许永生
- 作品数：13 被引量：28H指数：3
- 供职机构：华东师范大学更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金上海-AM基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- BiCMOS对数放大器
- 一种BiCMOS对数放大器，属于集成电路设计及信号处理的技术领域。该放大器具有与已有的CMOS或Bipolar对数放大器相同的电路结构：由直流电平反馈电路、单端－差分转换电路、电流相加电路和电流－电压转换电路与五个单级限...
- 许永生陶永刚赖宗声石春琦金玮俞惠洪亮李勇
- 文献传递
- CMOS射频器件建模及低噪声放大器的设计研究
- 近年来无线通信系统的蓬勃发展使得高集成度、低功耗的无线收发机成为学术界和工业界的研发热点。无线市场曾一度被特征频率更高的异质结材料或硅基双极型、BiCMOS技术所主导，但随着CMOS工艺尺寸的不断减小和工艺技术的不断进步...
- 许永生
- 关键词：片上螺旋电感低噪声放大器无线通信系统射频集成电路
- 文献传递
- 一种ASK接收器中的中频对数放大器IC设计被引量：4
- 2006年
- 一种适用于ASK接收器中的双极型对数中频放大器,具有接收信号强度指示的功能(RSSI)。这种放大器实现了对数响应的分段近似,同时作为信号解调的一部分。本文介绍了RSSI特殊的具体电路及其结构。该放大器包含五级放大,每一个放大级都由一个限幅放大器和跨导单元组成。此放大器在±1dB的线性度下实现了90dB的动态范围。
- 陶永刚许永生石春琦金玮俞惠洪亮李勇赖宗声
- 关键词：对数放大器中频放大器
- 一种基于PCI总线接口芯片的设计被引量：3
- 2002年
- PCI(Peripheral Component Interconnect)Local Bus是一种近年来在工作站和个人微机中得到广泛使用的一种局部总线规范,也是一种工业标准。研究并设计了符合PCI规范V2.2的接口芯片,着重阐述了它的功能特点、时序特征及其大致设计流程。
- 夏晓骎许永生赖宗声
- 关键词：接口芯片PCI局部总线寄存器测试电路芯片
- 一种射频接收芯片中的低相位噪声压控振荡器被引量：11
- 2006年
- 本文介绍了一种适用于ASK幅移键控接收器芯片中锁相环电路,集成于芯片内的LC压控振荡器,它的LC振荡电路采用了一种增强型的特别结构。芯片采用锁相环电路来产生本振信号。接收器通过它工作在290MHz到470MHz的ISM频段。锁相环中的VCO采用了差分对结构的LC压控振荡器结构,在1V到5V的控制电压下能产生290到470的可调频率,输出功率为2.20到2.30dBm。该VCO采用了增强型结构的LC振荡电路以得到更高的Q值来减小相位噪声,采用这种特殊结构,它能在433MHz载波的100kHz偏移范围内实现-99.7dBc/Hz的相位噪声。与普通LC振荡电路结构相比,该结构能使VCO相位噪声减小3dBc以上。且由于该电路由较少的有源器件组成,因此该VCO有着非常低的功耗和成本。
- 任铮许永生石艳玲赖宗声
- 关键词：锁相环压控振荡器相位噪声
- 一种新型高速低功耗BiC MOS分频器
- 2006年
- 本文设计了一种基于BiCMOS技术的分频器,结合了双极(Bipolar)和CMOS技术的优点。作为分频器的基本单元,锁存器的工作速度直接影响了分频器的性能。通过分离跟踪差分对与交叉耦合对,并减小后者的偏置电流可以提高锁存器的工作速度。同时,合并两个锁存器的跟踪差分对可以减小分频器的功耗。采用0.8μm BiCMOS模型在CadenceSPECTRE中仿真,可以得到这种新型高速低功耗分频器的工作频率上限可以达到2.4 GHz,功耗为-1.61 dBm。
- 李勇许永生赖宗声金玮陶永刚洪亮景为平
- 关键词：BICMOS
- 多端互连线网络布线时延的研究
- 2005年
- 互连线时延是集成电路设计中非常重要的影响因素。本文根据Elmore延迟模型推导出多端互连线的延迟估算公式,得出了在满足设计规则的前提下,多端互连线网络应尽量遵守的布线规则,即互连线之间不要有重叠,且从源点到每个终点都要走最短的曼哈顿路径。这种布线规则可以在不增加芯片面积的基础上使互连线时延减少,这对指导高速IC芯片的版图设计有重要的理论和实践指导意义。
- 俞惠许永生石春琦赖宗声陶永刚金玮洪亮
- 双频段接收机中的BiFET低噪声放大器(英文)
- 2006年
- 设计了一种采用BiFET结构的低噪声放大器(LNA),这种结构通过BiCMOS工艺使低噪声放大电路集合了双极型晶体管的低噪声特性和CMOS晶体管的高线性度。应用优化的BiFETCascode共源共栅结构能够明显地提高低噪声放大器的性能,并且能应用于两个不同频率。本文设计的低噪声放大器在低偏置电流(1.7mA)和低功耗(5.7mW)的情况下能取得1.69dB的噪声系数、15.96dB的电压增益、-8.5dBm的IIP3和-67dB的反向隔离。设计的BiFET低噪声放大器是采用了AMS0.8μm的BiCMOS混合信号工艺,经过优化可以用于工业、室内的远程无线控制系统包括无线门禁系统。
- 金玮许永生石春琦陶永刚俞惠李勇赖宗声
- 关键词：低噪声放大器ISM频段
- BiCMOS对数放大器
- 一种BiCMOS对数放大器，属于集成电路设计及信号处理的技术领域。该放大器具有与已有的CMOS或Bipolar对数放大器相同的电路结构：由直流电平反馈电路、单端-差分转换电路、电流相加电路和电流-电压转换电路与五个单级限...
- 许永生陶永刚赖宗声石春琦金玮俞惠洪亮李勇
- 文献传递
- 一种低噪声高线性度射频前端电路设计被引量：9
- 2006年
- 介绍了超高频接收系统射频前端电路的芯片设计。从噪声匹配、线性度、阻抗匹配以及增益等方面详细讨论了集成低噪声放大器和下变频混频器的设计。电路采用硅基0.8μm B iCM O S工艺实现,经过测试,射频前端的增益约为18 dB,双边带噪声系数2.5 dB,IIP 3为+5 dBm,5 V工作电压下的消耗电流仅为3.4 mA。
- 许永生游淑珍俞惠李小进石春琦赖宗声
- 关键词：射频集成电路射频前端低噪声放大器混频器
