耿磊
- 作品数：4 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国科学院安徽光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 新型红外晶体硫锗镓银的多晶合成被引量：3
- 2008年
- 本文直接使用高纯Ag,Ga,Ge,S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶。为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂,采用双温区气相输运的合成方法。对合成的多晶作粉末衍射(XRD)分析,衍射图谱与标准JC-PDF卡片上峰值位置一致,表明样品为高纯单相AgGaGeS4多晶。使用该多晶原料成功生长出了优质单晶,并对合成工艺中存在的关键问题进行了讨论。
- 吴海信王振友倪友保耿磊毛明生黄飞
- 关键词：多晶合成
- 红外非线性光学晶体材料AgGaGeS4激光实验参数的模拟计算被引量：1
- 2008年
- 在小信号近似下，对红外非线性光学晶体AgGaGeS4的非线性性质进行研究。模拟计算了钛宝石0．8μm，Nd：YAG1．064μm泵浦下，Ⅰ类AgGaGeS4-OPO在XZ调谐面上的相位匹配情况，晶体波长调谐范围可达0．90-11．4μm，调谐角19．7—59．3°，有效非线性系数随匹配角增大而逐渐降低。另外也计算了晶体激光倍频波波长和相位匹配角的关系，晶体调谐角度范围0～62°，波长1．5—10．6μm，同时对倍频允许角及非临界准相位匹配（NCPM）下的情况也进行了探讨。所得结果可预测其非线性性质，并对探索AgGaGeS4晶体用于特定波长激光器，设计新波段提供了理论依据。
- 倪友保吴海信耿磊王振友黄飞毛明生程干超
- 关键词：OPO
- AgGaGeS_4晶体介电性能的初步探讨
- 2009年
- 利用本实验室生长的红外非线性晶体材料AgGaGeS4(AGGS),常温下进行腐蚀实验并观察畴结构,测试了不同频率、电压下晶体的电滞回线以及同一电压下不同频率介质的电容值。腐蚀图像显示出畴结构,畴尺寸5～10μm左右,证实AGGS为一热释电晶体。然而,室温下的电滞回线变形为一近似椭圆,介质电容与电场频率关系表现出强色散特性。本文对这一现象进行了系统分析,最后提出了进一步探索AGGS铁电性质的具体建议。
- 倪友保吴海信耿磊王振友毛明生程干超黄飞
- 关键词：介电性能畴结构
- 红外非线性晶体ZnGeP_2的生长及品质研究被引量：11
- 2007年
- 采用高温元素反应法直接合成ZnGeP2多晶料,用竖式Bridgman法生长出ZnGeP2单晶,晶体棒毛坯尺寸达15×70mm3。对多晶料和单晶体进行了X射线粉末衍射(XRD)、低倍率红外显微镜、红外分光光度计检测;对晶体切片进行退火处理,使得在2μm吸收系数降到α=0.10cm-1;加工出一块5×6×6.5mm3的晶体倍频元件,在一台射频激励CO2激光器上实现了从9.24μm到4.26μm的倍频。
- 吴海信倪友保耿磊毛明生王振友程干超杨琳
- 关键词：ZNGEP2非线性光学晶体CO2激光器倍频
