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翟亚红

作品数：57 被引量：40H指数：4
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇专利
  • 23篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 28篇电子电信
  • 8篇自动化与计算...
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 23篇铁电
  • 13篇电路
  • 13篇晶体管
  • 12篇铁电电容
  • 9篇存储器
  • 8篇铁电存储器
  • 8篇集成电路
  • 7篇场效应
  • 6篇电路设计
  • 6篇场效应晶体管
  • 5篇负电容
  • 5篇PZT
  • 4篇单粒子
  • 4篇电容
  • 4篇增益
  • 4篇铁电薄膜
  • 4篇铁电材料
  • 4篇模拟集成电路
  • 4篇模拟集成电路...
  • 4篇晶体

机构

  • 56篇电子科技大学
  • 2篇西南电子设备...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 56篇翟亚红
  • 25篇李平
  • 11篇李威
  • 9篇蔡道林
  • 9篇胡滨
  • 8篇李珍
  • 7篇张树人
  • 7篇阮爱武
  • 5篇杨成韬
  • 5篇欧阳帆
  • 5篇辜科
  • 5篇张国俊
  • 5篇杨锋
  • 5篇陈彦宇
  • 5篇李俊宏
  • 4篇李泽宏
  • 4篇李大刚
  • 4篇何弢
  • 4篇曹飞飞
  • 4篇李威

传媒

  • 12篇压电与声光
  • 2篇物理学报
  • 2篇材料导报
  • 2篇微电子学
  • 1篇电子科技
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇上海交通大学...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇2006上海...
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 7篇2023
  • 5篇2022
  • 2篇2021
  • 5篇2020
  • 9篇2019
  • 2篇2017
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 4篇2008
  • 4篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
共 57 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种过采样自举开关隔离驱动采样保持电路
本发明公开了一种过采样自举开关隔离驱动采样保持电路，属于模拟集成电路设计领域。对模拟信号的采样，是从模拟信号转换到数字信号的关键一步，对模拟信号采样的精确程度将直接影响后续数字编码的准确性。本发明基于栅压自举开关电路，提...
李大刚李泽宏李平翟亚红何弢杨绍澎
基于HSIM的铁电电容性能的研究
2012年
基于对铁电电容实际测试性能及物理模型的分析,在仿真软件HSIM原始电容模型库的基础上,通过对实验室制备的铁电电容电滞回线的拟合,得出新的模型库参数。将这些参数导入HSIM中对铁电存储器(FRAM)进行仿真,根据仿真结果对比铁电电容的性能,并由此优化铁电电容的性能,使之更匹配于电路特性。
毕长红罗玉香胡滨翟亚红辜科
关键词：铁电电容铁电存储器
一种基于忆阻器实现的硬件卷积神经网络模型
本发明公开了一种利用忆阻器所构建的卷积神经网络模型，涉及半导体集成电路和神经网络领域。所提出的卷积神经网络系统核心为忆阻器组成的卷积层和全连接层，以及与之配套的数据编码方法。本发明利用了忆阻器可实现多电阻态的特性，将卷积...
翟亚红王健竹
抗辐照双极器件
抗辐照双极器件，涉及电子器件技术。本发明包括半导体区、设置于半导体区上方的绝缘介质区和电极，所述半导体区包括设置于衬底内的基区、发射区、P+欧姆接触区，发射区和P+欧姆接触区之间的区域为间隔区；在绝缘介质区和半导体区上表...
翟亚红杨峰李珍李威张国俊
具有抗辐射加固结构的低功耗晶体管器件及其制备方法
一种具有抗辐射加固结构的低功耗晶体管器件，其特征在于，包括衬底，位于衬底之上的埋氧层，位于所述埋氧层之上的体硅层，位于所述体硅层之中、两侧的源区和漏区，位于体硅层之上的栅氧化层，位于所述栅氧化层之上的栅极叠层结构，所述栅...
翟亚红杨锋李珍李威李平
文献传递
基于动态频率补偿的LDO电路设计被引量：3
2019年
文中提出了一种基于动态频率补偿技术的LDO电路。通过添加电压缓冲器,提高了LDO的环路增益和瞬态响应特性。该电路通过电流镜采样调整管电流,使主极点频率与第三极点频率随负载电流的改变而产生相同倍数的变化,克服了LDO零极点随负载变化而导致环路稳定性变差的问题。文中设计采用中电二十四所HC12. BJT工艺,利用Spectre仿真工具进行仿真,研究了不同负载电流下该LDO的频率特性及其稳定性问题。仿真结果表明,该电路在10μA～100 m A负载电流的变化范围内,LDO环路的相位裕度保持在50°～70°之间,证明提出的LDO调整器具有良好的稳定性。
牛刚刚李威刘文韬翟亚红
关键词：电流镜频率特性相位裕度稳定性
一种新型铁电存储器脉冲式读出方法的研究
本文首先介绍了先进的铁电存储器脉冲式读出机理(pulse-sensing scheme),采用这种读出机理可以减小铁电材料疲劳特性对存储器的影响,但是基于这种读出机理的各种原有读出方法具有读出周期长的缺点。本文提出的改进...
陈彦宇阮爱武李平蔡道林欧阳帆翟亚红
关键词：铁电存储器读出电路
文献传递
抗辐射双极n-p-n晶体管的研究被引量：5
2011年
根据发射极周长与面积比(P/A)最小的原则,优化设计了双极n-p-n晶体管的尺寸参数,采用20V双极型工艺设计制造了三种抗辐射加固的n-p-n晶体管.测试表明,在总剂量为1kGy的辐照条件下,所制备的发射结加固型n-p-n晶体管和含有重掺杂基区环的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高10%—15%;而两种加固措施都有的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高15%—20%.
翟亚红李平张国俊罗玉香范雪胡滨李俊宏张健束平
关键词：电流增益抗辐射
铁电存储器的设计及工艺研究
本文通过对各种铁电材料以及电极材料的研究分析,在电极的设计中采用Pt/Ti/SiO<,2>/Si的下电极材料结构以及Pt/TiN的上电极材料.讨论了由于材料的影响而在存储器的应用中涉及到的疲劳、老化、印记等可靠性问题.本...
翟亚红
关键词：铁电薄膜铁电电容
文献传递
铁电电容工艺与标准CMOS工艺兼容性研究
2007年
在铁电存储器制备过程中,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜需经历多次热处理,铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成加工过程中可能存在交叉污染。对PZT薄膜中的铅在不同温度下的挥发量进行了测定,在温度为400℃时有0.15×10-6铅挥发。同时进一步研究了铁电工艺对底层NMOS管、PMOS管和CMOS电路性能的影响。实验结果表明:PMOS管的性能所受影响较大,PMOS管子的跨导(gm)明显降低;而NMOS管的性能所受影响较小;CMOS电路的数字逻辑功能正常。
翟亚红李平张树人杨成韬阮爱武蔡道林欧阳帆陈彦宇
关键词：PZT薄膜铁电电容跨导
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