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李威

作品数：115 被引量：6H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 102篇专利
  • 7篇学位论文
  • 4篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 26篇电子电信
  • 19篇自动化与计算...
  • 4篇电气工程
  • 2篇经济管理
  • 1篇天文地球
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 60篇电路
  • 33篇集成电路
  • 14篇芯片
  • 14篇反熔丝
  • 13篇电路设计
  • 12篇存储器
  • 11篇电压
  • 11篇模拟集成电路
  • 11篇集成电路设计
  • 10篇编程
  • 9篇晶体管
  • 9篇功耗
  • 9篇放大器
  • 8篇电流
  • 8篇电路技术
  • 8篇运算放大器
  • 8篇集成电路技术
  • 6篇带隙基准
  • 6篇低功耗
  • 6篇模拟集成电路...

机构

  • 115篇电子科技大学
  • 3篇华微电子系统...

作者

  • 115篇李威
  • 24篇杜涛
  • 16篇李平
  • 15篇李建军
  • 11篇翟亚红
  • 10篇谢小东
  • 6篇杨成韬
  • 6篇王靖
  • 6篇邢俊青
  • 5篇李珍
  • 5篇罗和平
  • 4篇王刚
  • 4篇李泽宏
  • 4篇李大刚
  • 4篇李宏亮
  • 4篇罗冰
  • 4篇吴庆波
  • 4篇宋江明
  • 4篇杨锋
  • 4篇何弢

传媒

  • 2篇四川省电子学...
  • 1篇微处理机
  • 1篇电子技术与软...
  • 1篇2009四川...
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 6篇2024
  • 21篇2023
  • 15篇2022
  • 9篇2021
  • 12篇2020
  • 4篇2019
  • 9篇2018
  • 13篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 4篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2004
共 115 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种总剂量辐射加固的半导体存储器
一种总剂量辐射加固的半导体存储器，涉及集成电路。本发明包括存储单元和选择管，其特征在于，还包括一个第一晶体管，所述第一晶体管与存储单元、选择管串联，并且第一晶体管的栅氧化层厚度小于选择管。本发明的有益效果是，能够在原先半...
李平王刚李威张大华谢小东李建军范雪
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一种高压侧电流检测放大器
本发明公开了一种高压侧电流检测放大器，属于电流检测技术领域。高压侧电流检测放大器包括放大单元，所述放大单元包括顺次连接的输入级电路、放大级电路和输出级电路，所述输入级电路为具有电迁移结构的共基差分对。本发明通过对输入级电...
邢俊青张磊杨成韬李威
基于自然场景统计和感知质量传播的盲图像质量评价方法
本发明提供一种基于自然场景统计和感知质量传播的盲图像质量评价方法，对测试图像和大量无失真的自然图像计算专家场FoE梯度响应值，统计响应值直方图分布，计算两者分布的KL散度，得到测试图像的绝对失真程度。对测试图像和已标记的...
李宏亮吴庆波熊健李威罗冰
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一种基于DC-DC开关电源实现自定时重启电路
适用于DC‑DC开关电源系统的过流保护电路上，利用数字控制电路对负载电流进行周期性的过流检测，对输出驱动进行调制。同时，在此基础上每周期将检测信号传递给自定时逻辑进行诊断，进行对应电容充放电，当电容电压超过阈值时，自定时...
李威陈志贤邹志航
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多路信号复接光纤传输系统及ASI与SPI接口的设计与实现
随着通信技术的发展,数据传输的电磁环境越来越恶劣,因此怎样实现在复杂多变的电磁环境下实现数据的正确传输,越来越受到人们的关心.而采用光纤进行数据的传输.与电缆传输相比,不但能够抗电磁干扰,而且重量轻,所占空间小.因此采用...
李威
关键词：光纤误码率
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应用于FPGA的通用位元电路及编程方法
应用于FPGA的通用位元电路及编程方法，涉及芯片技术。本发明的电路包括：设置于编程高电平端和第一开关器件的输入端之间的第一可编程器件，所述第一可编程器件为反熔丝器件或熔丝器件；设置于编程低电平端和第一开关器件的输入端之间...
谢小东李平李威李曼袁蕊林
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可配置逻辑模块结构
可配置逻辑模块结构，涉及集成电路设计技术领域。本发明具有D触发器功能模块，所述D触发器功能模块由LUT构成。本发明的有益效果是，更高效的利用了资源，用LUT组合实现D触发器的功能，采用本发明的FPGA可以不必专设D触发器...
谢小东李平阮爱武李威宋江明王强
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一种沟槽型铁电存储单元结构及制备方法
本发明涉及信息存储技术领域，提出了一种沟槽型铁电存储单元结构及制备方法。本发明包括，在制备工艺中采用鳍式场效应晶体管FinFET替代传统平面型晶体管，相比于传统平面晶体管，FinFET晶体管在抑制短沟道效应，减小漏电方面...
李建军邓皓王刚李威
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一种基于页模式操作的存储器快速访问方法
本发明公开了一种基于页模式操作的存储器快速访问方法，本发明属于半导体集成电路设计和制造技术领域。该发明在传统的存储器读写电路的基础上增加内部寄存器组、地址比较与运算模块、页流水与位宽配置控制器等模块，通过对寄存器组访问的...
李威刘未杜涛
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高压电流源复用采样电路和开关电源
高压电流源复用采样电路和开关电源，涉及集成电路技术。本发明包括开关电流输入端、开关信号输入端、内部供电输入端、整流控制信号输入端和检测电流端，还包括：开关功率管，其栅极与开关信号输入端相连，漏极与开关电流输入端相连，源极...
张国俊杨兴李威李平
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