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胡滨

作品数:26 被引量:39H指数:4
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术经济管理电气工程更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 4篇学位论文
  • 3篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇电气工程

主题

  • 11篇电路
  • 7篇读出电路
  • 7篇铁电
  • 5篇焦平面
  • 5篇红外
  • 5篇红外焦平面
  • 4篇单片
  • 4篇单片集成
  • 4篇铁电电容
  • 4篇热释电
  • 4篇微传感器
  • 4篇互连
  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 4篇存储器
  • 3篇铁电存储器
  • 3篇集成电路
  • 2篇电路技术
  • 2篇电路设计

机构

  • 23篇电子科技大学
  • 1篇昆明物理研究...
  • 1篇西南电子设备...

作者

  • 23篇胡滨
  • 14篇李平
  • 9篇翟亚红
  • 6篇阮爱武
  • 5篇辜科
  • 5篇李威
  • 3篇沈科
  • 3篇李俊宏
  • 2篇范雪
  • 2篇李威
  • 2篇罗玉香
  • 2篇蔡道林
  • 2篇王红培
  • 1篇王刚
  • 1篇太云见
  • 1篇张健
  • 1篇张国俊
  • 1篇白丕绩
  • 1篇谢小东
  • 1篇刘俊杰

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇微电子学
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇上海交通大学...
  • 1篇红外技术
  • 1篇材料导报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇压电与声光
  • 1篇实验科学与技...
  • 1篇2006上海...
  • 1篇2009四川...
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2013
  • 5篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
26 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
抗辐射铁电存储器的研究进展被引量:6
2012年
在分析铁电存储器工作原理以及铁电薄膜材料抗辐射能力的基础上,综述了商业化铁电存储器的发展历程以及辐射实验结果。总结了抗辐射加固的铁电存储器的研究进展以及抗辐射加固的方法,展望了抗辐射铁电存储器的应用前景。
翟亚红李威李平胡滨霍伟荣李俊宏辜科
关键词:铁电存储器铁电材料铁电电容
单片集成微传感器中多层耐熔金属硅化物互连
2007年
在微传感器系统中,采用多层耐熔金属硅化物互连工艺,克服微传感器与IC芯片单片集成时,铝连线不能承受微传感器制造过程中要求的退火高温,而且此互连结构能在标准CMOS工艺线上加工,降低了制造成本.经流片验证,此互连结构具有台阶覆盖能力强、热稳定性好、电阻率较低、易于干法刻蚀等特点,能满足大规模IC多层互连线要求.由它构成的大规模数模混合集成电路,在退火条件分别为500°C5、h,600°C、30 min,650°C5、min的实验后仍保持性能.以上退火条件符合基于铁电薄膜的微传感器系统单片集成的要求.
胡滨阮爱武李平翟亚红蔡道林
关键词:互连工艺铁电集成电路微传感器
耐高温单片集成微传感器结构及系统集成方法
耐高温单片集成微传感器结构及系统集成方法,涉及集成电路技术,特别涉及单片集成微传感器技术。本发明的耐高温单片集成微传感器结构,包括IC层和微结构层,采用耐熔金属硅化物或者耐熔金属硅化物作为互连线。本发明的有益效果是,克服...
李平阮爱武胡滨
文献传递
单片集成微传感器中多层耐熔金属硅化物互连
在微传感器系统中,采用多层耐熔金属硅化物互连工艺,克服微传感器与IC芯片单片集成时,铝连线不能承受微传感器制造过程中要求的退火高温,而且此互连结构能在标准CMOS工艺线上加工,降低了制造成本.经流片验证,此互连结构具有台...
胡滨阮爱武李平翟亚红蔡道林
关键词:互连工艺单片集成铁电薄膜微传感器CMOS工艺
文献传递
基于HSIM的铁电电容性能的研究
2012年
基于对铁电电容实际测试性能及物理模型的分析,在仿真软件HSIM原始电容模型库的基础上,通过对实验室制备的铁电电容电滞回线的拟合,得出新的模型库参数。将这些参数导入HSIM中对铁电存储器(FRAM)进行仿真,根据仿真结果对比铁电电容的性能,并由此优化铁电电容的性能,使之更匹配于电路特性。
毕长红罗玉香胡滨翟亚红辜科
关键词:铁电电容铁电存储器
320×240非制冷红外焦平面读出电路研究与设计
本课题《320×240非制冷红外焦平面读出电路研究与设计》源于国家973项目《铁电薄膜非制冷焦平面探测器重大基础研究项目》。  课题的任务:一是自主设计适用于单片式非制冷红外焦平面阵列的读出电路;二是自主设计单片式红外读...
胡滨
关键词:非制冷红外焦平面阵列读出电路热释电探测器铁电薄膜高温退火
一种基于遗传算法和DC-DC变换器建模的参数优化设计方法
本发明涉及DC‑DC变换器的参数优化设计领域,尤其是一种基于遗传算法和DC‑DC变换器建模的参数优化设计方法,选取DC‑DC变换器的基本拓扑中的电感、电容以及负载电阻作为主要优化参数,采用遗传算法结合DC‑DC变换器建模...
胡滨
文献传递
基于Java EE的单点登录的研究与开发
随着互联网技术的发展,企事业单位以及政府机构的信息化建设将会大规模的开展,各种应用系统会不断的增多。由于每个系统都会分别保存用户的身份信息,并且拥有自己独立的安全认证机制,因此就导致了用户不得不需要针对多个应用系统设置和...
胡滨
关键词:计算机网络单点登录身份认证
文献传递
热释电红外读出电路的设计与验证被引量:1
2012年
设计并验证了亚阈区MOS管作反馈大电阻的电阻反馈跨阻型(RTIA)非制冷热释电红外焦平面读出电路。在此基础上,对采用浅耗尽(Native)MOS管实现同样功能的RTIA进行仿真。与采用特殊高阻薄膜材料的RTIA不同,两种设计方案实现的RTIA不增加工艺步骤,有效降低了芯片的制造成本,再配合两管共源放大器,构建了像元下前置高增益放大器。此外,相对于亚阈区MOS RTIA,浅耗尽MOS RTIA可节省偏置电路,设计更加简洁。亚阈区MOS RTIA经流片验证,在5V电源电压下,实现增益为40dB、带宽为60kHz、输出摆幅为3V,符合混合或单片集成热释电探测器阵列的设计要求。
胡滨李威李平
关键词:红外焦平面阵列读出电路
DC-DC变换器参数优化技术研究
开关电源的核心是开关变换器,当前的研究热点之一就是DC-DC开关变换器的建模和参数优化,这是电路分析设计的关键环节。通常变换器的性能指标都与电路主回路的电路基本拓扑类型和元件器参数(电感、电容、电阻等)有关。有时会借用其...
胡滨
关键词:变换器遗传算法多目标优化
文献传递
共3页<123>
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