您的位置: 专家智库 > >

王知学

作品数:4 被引量:5H指数:1
供职机构:大连理工大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇实时监控
  • 3篇实时监控系统
  • 3篇监控系统
  • 3篇GAN
  • 3篇GAN生长
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电隔离
  • 2篇光电隔离
  • 2篇半导体
  • 1篇控制技术
  • 1篇半导体材料
  • 1篇半导体工艺
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇GAN薄膜

机构

  • 4篇大连理工大学

作者

  • 4篇王知学
  • 3篇王三胜
  • 3篇顾彪
  • 3篇徐茵
  • 3篇杨大智

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇大连理工大学...

年份

  • 2篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
控制技术在GaN薄膜生长过程中的应用
以GaN为主的Ⅲ-Ⅴ族氮化物是近年来光电子材料领域研究的热门课题。它具有 宽直接带隙、热导率高、抗辐射能力强等特性,是最有潜力的高温半导体材料。我室在 1995年初设计研制成功...
王知学
关键词:控制技术GAN薄膜生长
文献传递
GaN生长工艺流程实时监控系统被引量:2
2002年
文章分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素。在此基础上,设计了一套由80C31单片机为核心的光电隔离电路和PC机组成的两级系统,用于GaN薄膜外延生长的工艺流程监控,并提出了一种合适的工艺流程监控策略。
王三胜顾彪徐茵王知学杨大智
关键词:GAN半导体材料实时监控系统
GaN生长工艺流程实时监控系统被引量:1
2002年
分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素。在此基础上,设计了一套以80C31单片机为核心的光电隔离电路和PC机组成的两级系统,用于GaN薄膜外延生长的工艺流程监控,并提出了一种合适的工艺流程监控策略。
王三胜顾彪徐茵王知学杨大智
关键词:实时监控光电隔离氮化镓
GaN生长工艺流程实时监控系统被引量:1
2001年
分析了在 ECR-MOCVD装置上外延生长 Ga N单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响 Ga N结晶质量的主要因素 .在此基础上 ,设计了一套由 80 C31单片机为核心的光电隔离电路和 PC机组成的两级系统 ,用于 Ga N薄膜外延生长的工艺流程监控 .并提出了一种合适的工艺流程监控策略 ,阐述了如何从软件上确保工艺流程的连续可靠运行 .实践证明 ,软硬件系统设计合理、抗干扰措施完善 ,很好地保证了工艺流程的连续可靠运行 ,实验数据的可靠性和工艺流程的可重复性也大大提高 ,并对类似系统的工艺过程自动化设计具有一定的指导借鉴意义 .
王三胜顾彪徐茵王知学杨大智
关键词:半导体工艺实时监控光电隔离氮化镓GAN
共1页<1>
聚类工具0