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李琳

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 2篇电离
  • 2篇修饰
  • 2篇选择性
  • 2篇真空
  • 2篇真空加热
  • 2篇探测器
  • 2篇浅结
  • 2篇冷却装置
  • 2篇离子
  • 2篇离子源
  • 2篇流片
  • 2篇晶片
  • 2篇精细化
  • 2篇刻蚀
  • 2篇化湿
  • 2篇击穿电压
  • 2篇高选择性
  • 2篇硅基
  • 2篇分子
  • 2篇暗电流

机构

  • 6篇中国科学院微...

作者

  • 6篇李琳
  • 4篇丁明正
  • 4篇张琦辉
  • 2篇殷华湘
  • 2篇夏洋
  • 2篇李俊峰
  • 2篇刘金彪
  • 2篇宋希明
  • 2篇赵超
  • 2篇许高博
  • 2篇卢维尔
  • 2篇郭晓龙
  • 2篇刘强
  • 2篇张浩
  • 2篇贺晓彬
  • 2篇朱慧珑
  • 2篇张永奎
  • 2篇傅剑宇

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2015
  • 1篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
用于超浅结注入的离子源装置
本发明提供了一种用于超浅结注入的离子源装置，包括：起弧室；对靶溅射装置，位于所述起弧室下方；其特征在于，所述对靶溅射装置包括冷却装置，对靶材进行冷却。本发明在离子源中引入了小型对靶溅射装置，并辅以强冷却系统，为起弧室提供...
刘金彪张琦辉宋希明张浩李琳刘强丁明正李俊峰赵超
文献传递
一种刻蚀装置及刻蚀方法
本发明公开了一种刻蚀装置，包括：氧化修饰单元、刻蚀单元、清洁单元、传输单元和控制单元；其中，氧化修饰单元包括：第一腔室，设置在第一腔室内的第一监控组件，以及由第一监控组件进行监控的第一供给组件，第一供给组件与第一腔室连通...
张永奎朱慧珑卢维尔夏洋李琳郭晓龙尹晓艮文庆涛
文献传递
硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置
本发明提供了一种硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置，该制造方法包括：提供经流片完成后的探测器晶圆；将所述探测器晶圆进行真空加热处理。该制造方法通过增加真空加热处理工艺，对经流片完成后的探测器晶圆进行热处理，因而能够...
丁明正许高博翟琼华傅剑宇孙朋殷华湘颜刚平田国良李琳张琦辉贺晓彬
用于超浅结注入的离子源装置
本发明提供了一种用于超浅结注入的离子源装置，包括：起弧室；对靶溅射装置，位于所述起弧室下方；其特征在于，所述对靶溅射装置包括冷却装置，对靶材进行冷却。本发明在离子源中引入了小型对靶溅射装置，并辅以强冷却系统，为起弧室提供...
刘金彪张琦辉宋希明张浩李琳刘强丁明正李俊峰赵超
文献传递
一种刻蚀装置及刻蚀方法
本发明公开了一种刻蚀装置，包括：氧化修饰单元、刻蚀单元、清洁单元、传输单元和控制单元；其中，氧化修饰单元包括：第一腔室，设置在第一腔室内的第一监控组件，以及由第一监控组件进行监控的第一供给组件，第一供给组件与第一腔室连通...
张永奎朱慧珑卢维尔夏洋李琳郭晓龙尹晓艮文庆涛
硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置
本发明提供了一种硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置，该制造方法包括：提供经流片完成后的探测器晶圆；将所述探测器晶圆进行真空加热处理。该制造方法通过增加真空加热处理工艺，对经流片完成后的探测器晶圆进行热处理，因而能够...
丁明正许高博翟琼华傅剑宇孙朋殷华湘颜刚平田国良李琳张琦辉贺晓彬
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