您的位置： 专家智库 > >

张永奎

作品数：42 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 15篇电子电信

主题

  • 31篇半导体
  • 24篇半导体器件
  • 15篇沟道
  • 14篇衬底
  • 12篇电子设备
  • 10篇堆叠
  • 8篇刻蚀
  • 7篇栅极
  • 7篇鳍片
  • 5篇源区
  • 5篇竖直
  • 5篇金属栅
  • 5篇晶体管
  • 5篇半导体材料
  • 4篇短沟道
  • 4篇短沟道效应
  • 4篇阈值电压
  • 4篇介质层
  • 4篇沟道效应
  • 4篇光刻

机构

  • 42篇中国科学院微...

作者

  • 42篇张永奎
  • 33篇朱慧珑
  • 23篇殷华湘
  • 9篇赵治国
  • 7篇张青竹
  • 7篇李俊杰
  • 6篇罗军
  • 5篇叶甜春
  • 5篇王文武
  • 4篇曹磊
  • 4篇李永亮
  • 4篇陆智勇
  • 3篇熊文娟
  • 3篇秦长亮
  • 3篇张严波
  • 3篇徐强
  • 2篇闫江
  • 2篇夏洋
  • 2篇李琳
  • 2篇赵超

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 3篇2024
  • 4篇2023
  • 3篇2022
  • 6篇2021
  • 3篇2020
  • 9篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 5篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 42 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备
公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。半导体器件包括：衬底；在衬底上形成的第一器件和第二器件，第一器件和第二器件各自均包括：在衬底上从下至上依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，以及绕沟道层的至...
朱慧珑张永奎尹晓艮李晨刘永波贾昆鹏
文献传递
一种垂直纳米线MOSFET及其制造方法
本发明公开了一种垂直纳米线MOSFET的制造方法，包括：提供生长有第一层、第二层、第三层和第四层外延层的半导体衬底，其中，所述第一层、第二层和第三层为半导体材料,第二层不同于第一层和第三层；对所述第二层进行刻蚀，使得第二...
尹晓艮朱慧珑万光星张永奎
文献传递
一种高精度的刻蚀方法
本发明实施例提供一种刻蚀方法，该方法包括：提供包括利用改性剂在半导体材料层的表面的选定区域上形成一个或若干个原子层厚度的改性层；以及去除所述改性层。该方法实现了对半导体加工时的刻蚀厚度的精确控制，同时提高了刻蚀速率。
朱慧珑尹晓艮李晨都安彦张永奎
文献传递
半导体器件及其制造方法
一种半导体器件，包括：多个鳍片结构，在衬底上沿第一方向延伸；栅极堆叠结构，在衬底上沿第二方向延伸，跨越多个鳍片结构，其中栅极堆叠结构包括栅极导电层和栅极绝缘层，栅极导电层由掺杂的多晶半导体构成；沟道区，多个鳍片结构中位于...
殷华湘张永奎赵治国陆智勇朱慧珑
文献传递
半导体器件及其制造方法
一种半导体器件，包括：多个鳍片结构，在衬底上沿第一方向延伸；栅极堆叠结构，在衬底上沿第二方向延伸，跨越多个鳍片结构，其中栅极堆叠结构包括栅极导电层和栅极绝缘层，栅极导电层由掺杂的多晶半导体构成；沟道区，多个鳍片结构中位于...
殷华湘张永奎赵治国陆智勇朱慧珑
文献传递
一种半导体器件的制备方法及半导体器件
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的纳米片堆栈部包括：纳米片形成的叠层及位于相邻纳米片之间的支撑结构，支撑结构是由第一半导体形成的，纳米片是由第二半导体形成的，支撑结构的宽度小于纳米片的宽度；环绕式栅极，其...
张青竹殷华湘曹磊张兆浩顾杰田佳佳李俊杰姚佳欣李永亮张永奎吴振华赵鸿滨罗军王文武屠海令叶甜春
一种垂直纳米线MOSFET及其制造方法
本发明公开了一种垂直纳米线MOSFET的制造方法，包括：提供生长有第一层、第二层、第三层和第四层外延层的半导体衬底，其中，所述第一层、第二层和第三层为半导体材料,第二层不同于第一层和第三层；对所述第二层进行刻蚀，使得第二...
尹晓艮朱慧珑万光星张永奎
文献传递
一种高精度的刻蚀方法
本发明实施例提供一种刻蚀方法，该方法包括：提供包括利用改性剂在半导体材料层的表面的选定区域上形成一个或若干个原子层厚度的改性层；以及去除所述改性层。该方法实现了对半导体加工时的刻蚀厚度的精确控制，同时提高了刻蚀速率。
朱慧珑尹晓艮李晨都安彦张永奎
半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备
公开了一种应用了应变工程的竖直型半导体器件及其制造方法以及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，一种竖直型半导体器件包括：设于衬底上的竖直有源区，包括依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，第一源/漏层中...
朱慧珑黄伟兴张永奎尹晓艮李晨贾昆鹏
文献传递
控制鳍式场效应晶体管器件鳍片尺寸的方法
本申请公开一种控制鳍式场效应晶体管器件鳍片尺寸的方法。该方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍片Fin；对所述Fin的关键尺寸进行测量；根据所述Fin的关键尺寸与Fin的规格要求的差异，查找预先获得的不同退火工艺对硅的消...
徐强熊文娟张永奎殷华湘
文献传递
全选 清除 导出
共5页<12345>
聚类工具0