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张琦辉

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

主题

  • 3篇退火
  • 3篇热退火
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体器件
  • 3篇掺杂
  • 2篇导体
  • 2篇电离
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇真空
  • 2篇真空加热
  • 2篇探测器
  • 2篇浅结
  • 2篇冷却装置
  • 2篇离子
  • 2篇离子源
  • 2篇流片
  • 2篇击穿电压
  • 2篇硅基
  • 2篇分子
  • 2篇暗电流

机构

  • 7篇中国科学院微...

作者

  • 7篇张琦辉
  • 5篇李俊峰
  • 5篇刘金彪
  • 4篇丁明正
  • 4篇李琳
  • 4篇张浩
  • 3篇宋希明
  • 3篇刘青
  • 3篇王垚
  • 2篇殷华湘
  • 2篇赵超
  • 2篇许高博
  • 2篇刘强
  • 2篇贺晓彬
  • 2篇蒋浩杰
  • 2篇傅剑宇

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2021
  • 1篇2018
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种半导体器件的掺杂方法
本发明提供一种半导体器件的掺杂方法，其特征在于，包括：提供半导体结构；在半导体结构上形成氧化物薄膜，所述氧化物薄膜为B<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>或P<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub...
刘金彪李俊峰王垚刘青张浩蒋浩杰张琦辉
文献传递
用于超浅结注入的离子源装置
本发明提供了一种用于超浅结注入的离子源装置，包括：起弧室；对靶溅射装置，位于所述起弧室下方；其特征在于，所述对靶溅射装置包括冷却装置，对靶材进行冷却。本发明在离子源中引入了小型对靶溅射装置，并辅以强冷却系统，为起弧室提供...
刘金彪张琦辉宋希明张浩李琳刘强丁明正李俊峰赵超
文献传递
硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置
本发明提供了一种硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置，该制造方法包括：提供经流片完成后的探测器晶圆；将所述探测器晶圆进行真空加热处理。该制造方法通过增加真空加热处理工艺，对经流片完成后的探测器晶圆进行热处理，因而能够...
丁明正许高博翟琼华傅剑宇孙朋殷华湘颜刚平田国良李琳张琦辉贺晓彬
用于超浅结注入的离子源装置
本发明提供了一种用于超浅结注入的离子源装置，包括：起弧室；对靶溅射装置，位于所述起弧室下方；其特征在于，所述对靶溅射装置包括冷却装置，对靶材进行冷却。本发明在离子源中引入了小型对靶溅射装置，并辅以强冷却系统，为起弧室提供...
刘金彪张琦辉宋希明张浩李琳刘强丁明正李俊峰赵超
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一种半导体器件的形成方法
本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底及其上的栅堆叠；在所述栅堆叠的侧壁上形成伪侧墙，所述伪侧墙掺杂有N型或P型粒子；进行源漏注入；进行热退火，以形成源漏区，同时伪侧墙扩散形成源漏延伸区；去除伪侧墙，并形成替...
刘金彪李俊峰张琦辉刘青宋希明王垚
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硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置
本发明提供了一种硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置，该制造方法包括：提供经流片完成后的探测器晶圆；将所述探测器晶圆进行真空加热处理。该制造方法通过增加真空加热处理工艺，对经流片完成后的探测器晶圆进行热处理，因而能够...
丁明正许高博翟琼华傅剑宇孙朋殷华湘颜刚平田国良李琳张琦辉贺晓彬
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一种半导体器件的掺杂方法
本发明提供一种半导体器件的掺杂方法，其特征在于，包括：提供半导体结构；在半导体结构上形成氧化物薄膜，所述氧化物薄膜为B<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>或P<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub...
刘金彪李俊峰王垚刘青张浩蒋浩杰张琦辉
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