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李仁挥
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供职机构:
中国电子科技集团第二十六研究所
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相关领域:
一般工业技术
电子电信
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合作作者
郑泽渔
中国电子科技集团第二十六研究所
周勇
中国电子科技集团第二十六研究所
汤劲松
中国电子科技集团第二十六研究所
朱昌安
中国电子科技集团第二十六研究所
于新晓
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压电薄膜换能器双端共溅生长ZnO薄膜的方法
本发明涉及压电薄膜换能器双端共溅生长ZnO薄膜的方法,它采用反应磁控溅射法在晶体两端生长ZnO薄膜,晶体附着在夹具上。生长时,将晶体的两端对称于靶源中心线放置使晶体两端处于完全相同的辉光区包裹中,利用同一靶源在晶体两端同...
汤劲松
朱昌安
郑泽渔
周勇
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压电薄膜换能器双端共溅生长ZnO薄膜的方法
本发明涉及压电薄膜换能器双端共溅生长ZnO薄膜的方法,它采用反应磁控溅射法在晶体两端生长ZnO薄膜,晶体附着在夹具上。生长时,将晶体的两端对称于靶源中心线放置使晶体两端处于完全相同的辉光区包裹中,利用同一靶源在晶体两端同...
汤劲松
朱昌安
郑泽渔
周勇
李仁挥
文献传递
声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法
本发明涉及声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法,步骤为:1)根据设计的底电极、压电膜和上电极各层的电极图形,制作底电极双面光刻掩膜版、套刻用压电膜和上电极掩膜版;2)在传声介质两端形成底电极金属薄膜;3)在底电极金属薄膜...
汤劲松
朱昌安
周勇
郑泽渔
米佳
于新晓
马晋毅
李仁挥
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声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法
本发明涉及声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法,步骤为:1)根据设计的底电极、压电膜和上电极各层的电极图形,制作底电极双面光刻掩膜版、套刻用压电膜和上电极掩膜版;2)在传声介质两端形成底电极金属薄膜;3)在底电极金属薄膜...
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