您的位置： 专家智库 > >

彭力

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：无锡微电子科研中心更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇低压
  • 1篇电路
  • 1篇英文
  • 1篇闪速存储器
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇铝合金
  • 1篇金属
  • 1篇金属腐蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀工艺
  • 1篇集成电路
  • 1篇合金
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体工艺
  • 1篇SI
  • 1篇GE量子点
  • 1篇存储器

机构

  • 2篇无锡微电子科...
  • 1篇清华大学

作者

  • 2篇彭力
  • 1篇陈培毅
  • 1篇莫科伟
  • 1篇刘志宏
  • 1篇陈志勇
  • 1篇潘立阳
  • 1篇朱军
  • 1篇邓宁

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2002
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
金属铝合金侵蚀研究
本文研究了在半导体生产中出现的金属铝合金侵蚀现象,分析了金属侵蚀的机理,最后给出了金属侵蚀的防护方法.
陈志勇彭力莫科伟
关键词：金属腐蚀半导体工艺刻蚀工艺集成电路铝合金
文献传递
基于Si Ge量子点实现增强F-N隧穿的低压闪速存储器(英文)
2006年
提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/Si Ge量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制.模拟结果表明该结构具有高速和高可靠性的优点.测试结果表明该结构的工作电压比传统NAND结构的存储器单元降低了4V.采用该结构能够实现高速、低功耗和高可靠性的半导体闪速存储器.
邓宁潘立阳刘志宏朱军陈培毅彭力
关键词：闪速存储器
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0