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陈志勇

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：无锡微电子科研中心更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇电路
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇铝合金
  • 1篇金属
  • 1篇金属腐蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀工艺
  • 1篇集成电路
  • 1篇合金
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体工艺
  • 1篇PBL

机构

  • 2篇无锡微电子科...

作者

  • 2篇陈志勇
  • 1篇彭力
  • 1篇莫科伟
  • 1篇郑若成
  • 1篇徐政

传媒

  • 1篇电子与封装
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 2篇2002
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
金属铝合金侵蚀研究
本文研究了在半导体生产中出现的金属铝合金侵蚀现象,分析了金属侵蚀的机理,最后给出了金属侵蚀的防护方法.
陈志勇彭力莫科伟
关键词：金属腐蚀半导体工艺刻蚀工艺集成电路铝合金
文献传递
PBL隔离技术
2002年
本文介绍了 Polysilicon Buffered LOCOS(PBL)隔离工艺技术,与常规的 LOCOS 相比,PBL 只是在氧化层和氮化硅(SiN)之间加了一层多晶,用作缓冲层。缓冲层的引入,有效地减少了鸟嘴长度。
陈志勇郑若成徐政
关键词：PBL多晶硅
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共1页<1>
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