刘志宏
- 作品数：5 被引量：9H指数：1
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 采用源极增强带带隧穿热电子注入编程的新型p沟选择分裂位线NOR快闪存贮器(英文)被引量：1
- 2002年
- 提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器 ,具有高编程速度、低编程电压、低功耗、高访问速度和高可靠性等优点 .该结构采用源极增强带带隧穿热电子注入进行编程 ,当子位线宽度为 12 8位时 ,位线漏电只有 3 5 μA左右 ,每位编程功耗为 16 5 μW ,注入系数为 4× 10 -4 ,编程速度可达 2 0 μs,存贮管的读电流可达 6 0 μA/ μm以上 .分裂位线结构和低编程电压使得该结构具有很好的抗位线串扰特性和可靠性 .
- 潘立阳朱钧刘楷刘志宏曾莹
- 一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器(英文)
- 2002年
- 提出一种采用带 带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器结构 ,在便携式低功耗的code闪存中有着广泛的应用前景 .该结构采用带 带隧穿热电子注入 (BBHE)进行“写”编程 ,采用源极Fowler Nordheim隧穿机制进行擦除 .研究显示控制栅编程电压为 8V ,漏极漏电流只有 3μA/ μm左右 ,注入系数为 4× 10 -4 ,编程速度可达 16 μs,0 8μm存贮管的读电流可达 6 0 μA/ μm .该新型结构具有高编程速度、低编程电压、低功耗、大读电流和高访问速度等优点 .
- 潘立阳朱钧刘志宏曾莹鲁勇
- 优化的BSIM3V3模型参数提取策略被引量：7
- 2000年
- 采用 Silvoca公司的 UTMOST模型参数提取程序对 BSIM3V3模型参数进行提取 ,得出了BSIM3V3模型参数随器件尺寸变化的规律 ,并将此方法应用于清华大学微电子所工艺线 1 .0 μm工艺 ,给出此工艺下的多尺寸器件的 BSIM3V3模型参数。同时 ,对该方法的准确性进行了分析。
- 李海王纪民刘志宏
- 关键词：BSIM3模型集成电路
- 基于Si Ge量子点实现增强F-N隧穿的低压闪速存储器(英文)
- 2006年
- 提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/Si Ge量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制.模拟结果表明该结构具有高速和高可靠性的优点.测试结果表明该结构的工作电压比传统NAND结构的存储器单元降低了4V.采用该结构能够实现高速、低功耗和高可靠性的半导体闪速存储器.
- 邓宁潘立阳刘志宏朱军陈培毅彭力
- 关键词：闪速存储器
- BV_(CBO)为23V且f_T为7GHz30叉指微波功率SiGe HBT(英文)被引量：1
- 2004年
- 在 12 5 m m标准 CMOS工艺线上 ,对标准 CMOS工艺经过一些必要的改动后 ,研制出了多叉指功率 Si GeHBT.该器件的 BVCBO为 2 3V .在较大 IC范围内 ,电流增益均非常稳定 .在直流工作点 IC=4 0 m A ,VCE=8V测得 f T为 7GHz,表现出较大的电流处理能力 .在 B类连续波条件下 ,工作频率为 3GHz时 ,测得输出功率为 31d Bm,Gp 为10 d B,且 PAE为 33.3% .测试结果表明 ,单片成品率达到了 85 % ,意味着该研究结果已达到产业化水平 .
- 熊小义张伟许军刘志宏陈长春黄文韬李希有钟涛钱佩信
- 关键词：SIGEHBTFT
