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张连

作品数：56 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺矿业工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 52篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇矿业工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 14篇发光
  • 12篇衬底
  • 10篇势垒
  • 10篇二极管
  • 9篇氮化
  • 9篇氮化镓
  • 8篇单晶
  • 8篇谐振器
  • 7篇氮化物
  • 7篇势垒层
  • 7篇化物
  • 7篇成核
  • 6篇多量子阱
  • 6篇金属
  • 6篇发光二极管
  • 5篇电极
  • 5篇电阻
  • 5篇量子阱结构
  • 5篇晶体管
  • 5篇半导体

机构

  • 56篇中国科学院
  • 1篇武汉大学

作者

  • 56篇张连
  • 38篇王军喜
  • 36篇张韵
  • 35篇李晋闽
  • 24篇程哲
  • 12篇孙莉莉
  • 9篇曾一平
  • 9篇杨帅
  • 6篇魏学成
  • 5篇闫建昌
  • 5篇魏同波
  • 4篇段瑞飞
  • 4篇路红喜
  • 4篇赵丽霞
  • 4篇于治国
  • 4篇李璟
  • 4篇刘喆
  • 4篇杨华
  • 4篇谢海忠
  • 3篇张宁

传媒

  • 1篇光子学报
  • 1篇中国科学：物...

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2023
  • 4篇2022
  • 4篇2021
  • 4篇2020
  • 4篇2019
  • 7篇2018
  • 3篇2017
  • 7篇2016
  • 6篇2015
  • 7篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2011
  • 2篇2010
共 56 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
本发明提供了一种氮化镓基绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中，该晶体管包括：n型集电区；p型基区，设置于n型集电区上，露出部分n型集电区；n型发射区，设置于p型基区上，露出部分p型基区；压控沟道层，设置于部分n型集电区上...
程哲张韵张连
兰姆波谐振器及其制备方法
一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括自下而上的衬底、底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间还具有AlN成核层；衬底在正对底电极层的区域具有一凹槽，以使部分/全部的底电极...
艾玉杰杨帅张韵孙莉莉程哲张连贾丽芳王军喜李晋闽
文献传递
基于InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管生长及发光性能被引量：4
2013年
对基于InGaN/GaN量子阱的蓝绿双波长发光二极管的材料生长和发光性质进行了研究.通过设计生长多组具有不同参量的外延结构,获得了优化的双波长量子阱结构参量,指出量子阱位置的分布、蓝绿阱间垒的宽度以及材料构成对量子阱发光性能均有较大影响.对双波长发光二极管器件光学性质进行了研究,结果表明,InGaN/GaN量子阱发光更依赖于In团簇形成的局域激子发光,从而导致了小电流下的反常光学现象.通过数值计算材料内部极化场的强度,对波长漂移的原因进行了解释,并通过双波长发光效率拟合分析了发光二极管"droop"效应可能的产生机理.
赵玲慧张连王晓东路红喜王军喜曾一平
关键词：INGAN双波长极化效应
HEMT器件及其制作方法
一种HEMT器件及制作方法，其制作方法包括：在外延片上形成介质掩膜；在介质掩膜上形成定义栅电极的栅足窗口的光刻胶；去除栅足窗口内的介质掩膜；形成栅电极的栅足和金属掩膜；在金属掩膜上形成具有裸露区域的光刻胶，定义非裸露区域...
张连张韵程哲
增强型高电子迁移率晶体管及制备方法、半导体器件
一种增强型高电子迁移率晶体管，包括栅极、源极、漏极、p型层、势垒层和设置在势垒层上的钝化层，钝化层上的部分区域设置有刻蚀至势垒层上表面形成的二次外延图形；势垒层还包括在所述图形的局部区域进一步向势垒层内刻蚀形成的凹槽；图...
黄宇亮程哲张连张韵王军喜李晋闽
文献传递
金属上单晶氮化物薄膜制备方法及体声波谐振器
本发明提出一种在金属上生长高质量单晶氮化物薄膜的方法：在金属上先采用低温磁控溅射技术制备AlN成核层，然后采用MOCVD技术制备高质量单晶氮化物薄膜。此外，在此基础上提出了一种单晶氮化物体声波谐振器结构，与常规多晶体声波...
孙莉莉张韵程哲张连王军喜李晋闽
降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法
本发明提供一种降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法，其中降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构，其包括：一衬底；一n型集电区，其制作在衬底上；一p型组分渐变基区，其制作在n型集电区上；一n型发射区，其制作在p...
张连张韵王军喜李晋闽
文献传递
一种多芯片LED封装体的制作方法
本发明公开了一种多芯片LED封装体的制作方法，该多芯片LED封装体包括LED芯片、金属基板和PCB基板。这种多芯片封装体采用金属基板作为封装主体，能有效提高散热效果，同时结合PCB板制作背电极和通孔，使得该多芯片封装体在...
张连谢海忠杨华李璟王军喜李晋闽
文献传递
芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法
一种芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，包括：在衬底的表面打两个通孔；在衬底的正反两面蒸镀二氧化硅膜保护膜；将衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，清洗；去掉衬底表面的二氧化硅膜保护膜；在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量...
谢海忠张连宋昌斌姚然薛斌杨华李璟伊晓燕王军喜李晋闽
文献传递
半导体器件及其制备方法
本公开提供了一种半导体器件及其制备方法。其中，所述半导体器件的制备方法，包括以下步骤：在衬底上溅射沉积AlN缓冲层；以及采用MOCVD工艺在所述AlN缓冲层上形成功能层，完成所述半导体器件的制备。本公开半导体器件及其制备...
张韵赵璐张连
文献传递
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