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程哲
作品数:
32
被引量:2
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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电气工程
理学
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合作作者
张韵
中国科学院半导体研究所
张连
中国科学院半导体研究所
王军喜
中国科学院半导体研究所
孙莉莉
中国科学院半导体研究所
李晋闽
中国科学院半导体研究所
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件,该HEMT器件包括:GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上;高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域;第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域;第三...
贾利芳
何志
刘志强
李迪
樊中朝
程哲
梁亚楠
王晓东
杨富华
文献传递
基于电子束曝光的T型栅制备方法
本发明公开了一种基于电子束曝光的T型栅制备方法,包括:通过在基底上覆盖敏感度不同的两层光刻胶,曝光并显影,得到栅足光刻掩模结构;在具有栅足光刻掩模结构的基底上沉积金属;剥离由两层光刻胶掩模形成的栅足金属结构,获得附着于基...
张韵
何亚伟
程哲
张连
绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
本发明提供了一种氮化镓基绝缘栅双极型晶体管及其制备方法,其中,该晶体管包括:n型集电区;p型基区,设置于n型集电区上,露出部分n型集电区;n型发射区,设置于p型基区上,露出部分p型基区;压控沟道层,设置于部分n型集电区上...
程哲
张韵
张连
文献传递
兰姆波谐振器及其制备方法
一种兰姆波谐振器及其制备方法,其中兰姆波谐振器包括自下而上的衬底、底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极,其中:在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间还具有AlN成核层;衬底在正对底电极层的区域具有一凹槽,以使部分/全部的底电极...
艾玉杰
杨帅
张韵
孙莉莉
程哲
张连
贾丽芳
王军喜
李晋闽
文献传递
绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
本发明提供了一种氮化镓基绝缘栅双极型晶体管及其制备方法,其中,该晶体管包括:n型集电区;p型基区,设置于n型集电区上,露出部分n型集电区;n型发射区,设置于p型基区上,露出部分p型基区;压控沟道层,设置于部分n型集电区上...
程哲
张韵
张连
兰姆波谐振器及其制备方法
一种兰姆波谐振器及其制备方法,其中兰姆波谐振器包括自下而上的衬底、底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极,其中:在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间还具有AlN成核层;衬底在正对底电极层的区域具有一凹槽,以使部分/全部的底电极...
艾玉杰
杨帅
张韵
孙莉莉
程哲
张连
贾丽芳
王军喜
李晋闽
文献传递
HEMT器件及其制作方法
一种HEMT器件及制作方法,其制作方法包括:在外延片上形成介质掩膜;在介质掩膜上形成定义栅电极的栅足窗口的光刻胶;去除栅足窗口内的介质掩膜;形成栅电极的栅足和金属掩膜;在金属掩膜上形成具有裸露区域的光刻胶,定义非裸露区域...
张连
张韵
程哲
增强型高电子迁移率晶体管及制备方法、半导体器件
一种增强型高电子迁移率晶体管,包括栅极、源极、漏极、p型层、势垒层和设置在势垒层上的钝化层,钝化层上的部分区域设置有刻蚀至势垒层上表面形成的二次外延图形;势垒层还包括在所述图形的局部区域进一步向势垒层内刻蚀形成的凹槽;图...
黄宇亮
程哲
张连
张韵
王军喜
李晋闽
文献传递
金属上单晶氮化物薄膜制备方法及体声波谐振器
本发明提出一种在金属上生长高质量单晶氮化物薄膜的方法:在金属上先采用低温磁控溅射技术制备AlN成核层,然后采用MOCVD技术制备高质量单晶氮化物薄膜。此外,在此基础上提出了一种单晶氮化物体声波谐振器结构,与常规多晶体声波...
孙莉莉
张韵
程哲
张连
王军喜
李晋闽
一种凹槽阳极肖特基二极管及其制备方法
本发明公开了一种凹槽阳极肖特基二极管及其制备方法,该凹槽阳极肖特基二极管,包含衬底,形成于衬底上的外延层,形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽,以及形成于外延层上的阳极和阴极,其中:阳极形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽上...
程哲
张连
张韵
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