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张纪生

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲功率晶体...
  • 2篇晶体管
  • 2篇功率晶体管
  • 2篇硅脉冲功率晶...
  • 2篇L波段
  • 1篇脉冲输出
  • 1篇P波段
  • 1篇硅

机构

  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 2篇刘六亭
  • 2篇郑承志
  • 2篇张纪生
  • 2篇王因生
  • 2篇张树丹
  • 2篇谭卫东
  • 1篇陈正东
  • 1篇康小虎
  • 1篇王志楠

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1994
  • 1篇1993
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
L波段100W硅脉冲功率晶体管
1993年
南京电器件研究所采用φ75mm硅片研制成脉冲输出100W的L波段硅功率晶体管，
谭卫东张纪生熊承堃王因生张树丹刘六亭郑承志陈统华陈正东
关键词：功率晶体管P波段脉冲输出
L波段150W硅脉冲功率晶体管
1994年
Ｌ波段１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管谭卫东，张纪生，王志楠，张树丹，王因生，郑承志，刘六亭，康小虎（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａｎ１５０ＷＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＴａｎＷｅｉｄｏｎｇ；Ｚｈ...
谭卫东张纪生王志楠张树丹王因生郑承志刘六亭康小虎
关键词：L波段硅脉冲功率晶体管
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