刘六亭
- 作品数：11 被引量：8H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 4英寸硅外延片生产中外延层缺陷的分析与控制
- 硅外延过程中常引入各种宏观和微观缺陷.本文以4英寸<111>硅片为研究对象,探讨了外延层缺陷的形态、成因及其减少的方法.
- 谭卫东刘六亭马林宝陆春一
- 关键词：硅外延片控制方法
- 文献传递
- Ni，Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管被引量：1
- 2007年
- 采用本实验室生长的4H-SiC外延片,分别用高真空电子束蒸Ni和Ti做肖特基接触金属,Ni合金作欧姆接触,SiO_2绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术,制作出4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。该器件在室温下反向击穿电压大于600 V,对应的漏电流为2.00×10^(-6)A。对实验结果分析显示,采用Ni和Ti作肖特基势垒的器件的理想因子分别为1.18和1.52,肖特基势垒高度为1.54 eV和1.00 eV。实验表明,该器件具有较好的正向整流特性。
- 汪浩柏松陈刚李哲洋刘六亭陈雪兰邵凯
- 关键词：碳化硅肖特基势垒二极管击穿电压
- C波段3瓦T形电极硅双极晶体管被引量：1
- 1995年
- 本文报道了一种自对准Ｔ形电极结构的硅双极晶体管的制作和实验结果．这种结构的晶体管发射极和基极接触窗口的间距仅０．４μｍ，发射极排列周期为４μｍ．测试结果表明，晶体管在４．２ＧＨｚ下，连续波输出功率大于３Ｗ，增益８ｄＢ和集电极效率４０％；作为振荡应用时。在４．３ＧＨｚ的振荡频率下，振荡输出功率可达１Ｗ，ＤＣ－ＲＦ转换效率为２０％．
- 张树丹王因生李相光陈统华谭卫东郑承志刘六亭陈培棣
- 关键词：双极晶体管硅晶体管晶体管
- L波段100W硅脉冲功率晶体管
- 1993年
- 南京电器件研究所采用φ75mm硅片研制成脉冲输出100W的L波段硅功率晶体管，
- 谭卫东张纪生熊承堃王因生张树丹刘六亭郑承志陈统华陈正东
- 关键词：功率晶体管P波段脉冲输出
- 3英寸重掺砷衬底高阻厚层硅外延生长技术
- 本文介绍了采用常压方式外延的方法,在3英寸重掺砷衬底上生长出了电阻率＞80Ωcm,厚度＞30μm的高质量硅外延层,从而使器件获得较为理想的结果,顺利通过设计定型.
- 谭卫东陆春一骆红刘六亭马林宝马利行
- 关键词：硅材料外延层
- 文献传递
- L波段150W硅脉冲功率晶体管
- 1994年
- Ｌ波段１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管谭卫东，张纪生，王志楠，张树丹，王因生，郑承志，刘六亭，康小虎（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａｎ１５０ＷＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＴａｎＷｅｉｄｏｎｇ；Ｚｈ...
- 谭卫东张纪生王志楠张树丹王因生郑承志刘六亭康小虎
- 关键词：L波段硅脉冲功率晶体管
- 4英寸重掺砷衬底N型高阻薄层硅外延片
- 陆春一马林宝谭卫东马利行刘六亭
- 该项目产品是肖特基二极管、微波功率晶体管等许多器件的关键原材料，而这些器件的制作对外延材料都有较为特殊的要求，如外延层电阻率、厚度控制精确，外延层与衬底过渡区要尽可能小，外延层晶格完整性好等等。
- 关键词：
- 关键词：硅外延片
- 600 MHz 150W硅脉冲功率晶体管被引量：3
- 1994年
- ６００ＭＨｚ１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管王因生，陈正东，张树丹，谭卫东，郑承志，刘六亭，康小虎，周德红，陈统华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａ６００ＭＨｚ１５０ＷＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...
- 王因生陈正东张树丹谭卫东郑承志刘六亭康小虎周德红陈统华
- 关键词：功率晶体管硅脉冲
- 4英寸P/P+高阻厚层硅外延片电阻率的精确控制
- 本文讨论了影响P/P<'+>高阻厚层硅外延片外延层电阻率稳定控制的主要因素,采取立式常压外延,利用背面封闭技术,充分抑制了高温状态下低阻重掺硼衬底的杂质自掺杂效应,使得外延层电阻率得到精确的控制.该技术已成功地应用到4英...
- 谭卫东刘六亭骆红马林宝陆春一马利行
- 关键词：硅外延片电阻率
- 文献传递
- 4H-SiC同质外延中的缺陷
- 从实验出发,有LPCVD外延系统在偏向<110>方向8°的4H-SiC(0001)Si面衬底上,利用CVD技术进行了4H-SiC同质外延生长.外延后在熔融KOH腐蚀液中进行腐蚀,使用SEM和光学显微表征方法探讨了CVD法...
- 李哲洋刘六亭董逊张岚许晓军柏松
- 关键词：微管位错扫描电子显微镜外延层
- 文献传递
