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郑承志

作品数：5 被引量：6H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇晶体管
  • 3篇脉冲
  • 3篇脉冲功率晶体...
  • 3篇功率晶体管
  • 3篇硅脉冲功率晶...
  • 2篇硅
  • 2篇L波段
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇脉冲输出
  • 1篇混合结构
  • 1篇硅晶
  • 1篇硅晶体
  • 1篇硅晶体管
  • 1篇硅双极晶体管
  • 1篇P波段
  • 1篇XPS
  • 1篇XPS研究
  • 1篇C波段
  • 1篇MHZ
  • 1篇F

机构

  • 5篇南京电子器件...

作者

  • 5篇郑承志
  • 4篇刘六亭
  • 4篇王因生
  • 4篇张树丹
  • 4篇谭卫东
  • 2篇张纪生
  • 2篇陈正东
  • 2篇康小虎
  • 1篇李相光
  • 1篇周德红
  • 1篇陈培棣
  • 1篇王志楠

传媒

  • 4篇固体电子学研...
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 2篇1993
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
L波段100W硅脉冲功率晶体管
1993年
南京电器件研究所采用φ75mm硅片研制成脉冲输出100W的L波段硅功率晶体管，
谭卫东张纪生熊承堃王因生张树丹刘六亭郑承志陈统华陈正东
关键词：功率晶体管P波段脉冲输出
微晶Si_(1-x)C_x:F:H薄膜X衍射和XPS研究被引量：2
1993年
用PECVD法分解SiH_4,CF_4,PH_3和H_2混合气体制备电导性能良好的磷重掺杂微晶Si_(1-x)C_x:F:H薄膜;薄膜的X衍射谱表明其结构为非晶-微晶两相混合结构;膜中C的XPS峰表现为F键合C和无F键合C两种信号的叠加;F键合c含量增大时,薄膜电导率迅速下降。文中提出了薄膜结构模型及能带模型。
郑承志
关键词：XPS混合结构
L波段150W硅脉冲功率晶体管
1994年
Ｌ波段１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管谭卫东，张纪生，王志楠，张树丹，王因生，郑承志，刘六亭，康小虎（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａｎ１５０ＷＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＴａｎＷｅｉｄｏｎｇ；Ｚｈ...
谭卫东张纪生王志楠张树丹王因生郑承志刘六亭康小虎
关键词：L波段硅脉冲功率晶体管
C波段3瓦T形电极硅双极晶体管被引量：1
1995年
本文报道了一种自对准Ｔ形电极结构的硅双极晶体管的制作和实验结果．这种结构的晶体管发射极和基极接触窗口的间距仅０．４μｍ，发射极排列周期为４μｍ．测试结果表明，晶体管在４．２ＧＨｚ下，连续波输出功率大于３Ｗ，增益８ｄＢ和集电极效率４０％；作为振荡应用时。在４．３ＧＨｚ的振荡频率下，振荡输出功率可达１Ｗ，ＤＣ－ＲＦ转换效率为２０％．
张树丹王因生李相光陈统华谭卫东郑承志刘六亭陈培棣
关键词：双极晶体管硅晶体管晶体管
600　MHz　150W硅脉冲功率晶体管被引量：3
1994年
６００ＭＨｚ１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管王因生，陈正东，张树丹，谭卫东，郑承志，刘六亭，康小虎，周德红，陈统华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａ６００ＭＨｚ１５０ＷＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...
王因生陈正东张树丹谭卫东郑承志刘六亭康小虎周德红陈统华
关键词：功率晶体管硅脉冲
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