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张斯钰

作品数:17 被引量:11H指数:2
供职机构:长春理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金武器装备预研基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 12篇激光
  • 12篇激光器
  • 11篇半导体
  • 9篇半导体激光
  • 9篇半导体激光器
  • 4篇腔面
  • 4篇光电
  • 4篇光电子
  • 4篇半导体光电
  • 3篇电子器件
  • 3篇光电子器件
  • 3篇光束
  • 3篇光束质量
  • 3篇半导体光电子...
  • 3篇ALN
  • 2篇多环
  • 2篇生物芯片
  • 2篇生物战
  • 2篇生物战剂
  • 2篇通信

机构

  • 17篇长春理工大学
  • 1篇吉林师范大学

作者

  • 17篇张斯钰
  • 13篇曲轶
  • 13篇李辉
  • 13篇薄报学
  • 11篇刘国军
  • 11篇高欣
  • 7篇乔忠良
  • 7篇赵博
  • 5篇李再金
  • 5篇赵强
  • 5篇李特
  • 5篇芦鹏
  • 4篇李林
  • 4篇杨旭
  • 4篇李占国
  • 4篇王玉霞
  • 4篇王勇
  • 4篇邹永刚
  • 2篇王云华
  • 2篇贾宝山

传媒

  • 2篇中国激光
  • 2篇半导体光电
  • 1篇光子学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 6篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2008
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
半导体激光器腔面增透膜AlN薄膜的制备被引量:3
2011年
提出了一种新的半导体激光器增透膜———AlN膜,并用matlab软件模拟分析了不同腔面反射率对激光器输出功率的影响,得到激光器最大输出功率时前后腔面的反射率的最佳值。采用反应磁控溅射技术,利用高纯铝靶(99.999%)和N2+Ar的混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜。利用Filmetrics系统对薄膜进行光学性能测试,分析了不同工艺参数对薄膜沉积速率和折射率的影响。将最优条件下制得的AlN单层增透膜用于半导体激光器上,光学灾变损伤阈值和器件输出功率都得到了很大的提高。
周路王云华贾宝山白端元张斯钰乔忠良高欣薄报学
关键词:增透膜折射率溅射
一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器
本发明公开了一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器结构,由多个在半导体激光器外延片上刻蚀的脊形环相互耦合构成,由两个四分之一环耦合输出。该器件结构和工艺属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用不同结构环形激光器的不同Q...
张斯钰乔忠良薄报学高欣曲轶李辉王玉霞李占国芦鹏王勇李特李再金邹永刚李林刘国军
一种1.55μmInN量子点单光子源
量子密码通信是近年来发展起来的一种绝对安全的密钥分发技术,目前阻碍量子密码通信走向实用的主要问题是缺少高效的信息载体——单光子源。本发明是一种新的长波长InN量子点单光子源,在蓝宝石衬底生长InN量子点,发射波长可达到1...
曲轶杨旭赵博李辉赵强张斯钰高欣薄报学刘国军
文献传递
环形半导体发光器件的研究
张斯钰
关键词:环形谐振腔单环
文献传递
高功率980nm脊形量子阱半导体激光器的研究
高功率980nm脊形量子阱半导体激光器作为光纤放大器的泵浦源,以及在通讯、军事和医疗等方面的广阔应用前景,成为目前产业化的热点和焦点而受到高度重视。 本论文首先综述了高功率、高光束质量980nm半导体激光器(L...
张斯钰
关键词:半导体激光器光纤放大器优化设计
文献传递
一种集成紫外生物芯片传感器
集成紫外生物芯片传感器,涉及生物战剂传感器的设计制作领域。该领域中传统LIF探测系统的光源都是采用脉冲的可见或红外光倍频产生紫外光。其价格高、效率低,体积大且易碎,不利于实时探测和野外环境使用。其次,脉冲紫外光占空比不高...
曲轶赵强杨旭李辉张斯钰赵博刘国军薄报学
一种集成紫外生物芯片传感器的制作方法
集成紫外生物芯片传感器,涉及生物战剂传感器的设计制作领域。该领域中传统LIF探测系统的光源都是采用脉冲的可见或红外光倍频产生紫外光。其价格高、效率低,体积大且易碎,不利于实时探测和野外环境使用。其次,脉冲紫外光占空比不高...
曲轶赵强杨旭李辉张斯钰赵博刘国军薄报学
文献传递
一种抗辐射半导体激光器
半导体激光器作为空间激光通信系统的核心器件,不仅要具有高的电光转换效率,还应有良好的抗辐射性能。因为空间激光通信系统的半导体激光器在空间运行时不可避免地会受到空间环境中质子、中子、γ射线、电子等带电粒子的辐射,导致其性能...
曲轶杨旭李辉赵强张斯钰赵博高欣薄报学刘国军
文献传递
带有限制光反馈结构分别驱动的发射波长为808nm锥形半导体激光器
普通宽条808nm半导体激光器,输出功率很高,达到瓦级以上,但是通常为多模激光器且光束质量较差,缩小条宽可提高光束质量等,但是相应的,要以牺牲激光器的输出功率为代价。因此,带有限制光反馈结构分别驱动的发射波长为808nm...
曲轶曲博文李辉邓昀张斯钰李月一刘规东娄丽刘国军薄报学高欣
文献传递
基于AlN膜结构VCSEL热特性的研究(英文)被引量:1
2010年
本文用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和Si O2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布.目的是证明Al N膜钝化层要比SiO2膜钝化层有具更好的特性,使器件能更稳定的工作,提高器件的特性,经模拟得到基于Al N膜钝化层的VCSEL热阻为3.12℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.77℃/W.经实验测得基于Al N膜钝化层的VCSEL热阻为3.59℃/W而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.82℃/W,模拟结果和实验结果吻合较好.说明AlN膜钝化层要比SiO2膜钝化层具有更好的热特性.
马祥柱张斯钰赵博李辉霍晋曲轶
关键词:垂直腔面发射激光器SIO2膜
共2页<12>
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