陈凤娇
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 带电阻随机存储器模块的单芯片结构可编程逻辑器
- 本发明属于可编程逻辑器技术领域，具体为一种可编程逻辑器。该可编程逻辑器包括地址电路模块(310)、比较单元(320)、SRAM模块(380)、逻辑阵列(390)以及用于克服SRAM模块中软错误率的电阻随机存储器模块(37...
- 林殷茵陈凤娇薛晓勇
- 文献传递
- 65nm SRAM传统静态指标的测试方案及研究被引量：2
- 2011年
- 65nm及其以下工艺,工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏,对于预测SRAM良率有着重要的作用。采用一种新型测试结构测量SRAM读写噪声容限(即SRAM传统静态指标),该测试结构能够测量65nm SRAM在保持、读、写三种操作下的指标:Hold SNM,RSNM,N-curve,WNM。为了解决其它测试方法存在的测试工作量大和IR drop(压降)等问题,该测试结构采用四端结构引出SRAM的内部存储结点,通过译码器选中特定的SRAM单元进行测试,解决了端口复用问题。提出的测试结构已在SIMC65nm CMOS标准工艺上流片验证,并测得相应数据。
- 陈凤娇简文翔董庆袁瑞林殷茵
- 关键词：工艺波动静态随机存取存储器
- 先进逻辑工艺下SRAM关键参数波动测试方法和性能以及RRAM在FPGA中应用研究
- 随着逻辑工艺的发展,SOC得到了广泛的发展和应用。作为SOC最重要的组成部分嵌入式存储器,在SOC中所占的比重越来越大,一直是人们研究的重点。嵌入式存储器是按照功能划分主要分为挥发存储器和非挥发存储器。 挥发存储器SRA...
- 陈凤娇
- 关键词：嵌入式存储器SRAM工艺波动
- 一种采用增益单元eDRAM的查找表
- 本发明提供一种采用增益单元eDRAM的查找表，属于可编程逻辑器件领域。该查找表包括多路选择器、若干个反相器和增益单元eDRAM，每个反相器的输出端对应连接于多路选择器的一个数据输入端，每个增益单元eDRAM中的存储单元的...
- 林殷茵薛晓勇陈凤娇
- 文献传递
