- 可放置于晶圆划片槽的STI应力波动检测电路
- 2014年
- 提出了一个简易的浅沟道隔离(STI)应力波动检测电路。该电路可以放入晶圆片狭长的划片槽中,有利于减小芯片测试成本。采用了双开关管以确保测量精度,并实现了对256个器件参数的同时测量,以得到器件的随机波动特性。设置了一系列具有最小沟道长度、相同器件尺寸、不同STI宽度的共9种NMOS阵列。测量了这些阵列的饱和电流Idsat,以分析STI应力对器件性能的影响。此外,还测量了这些阵列的线性区阈值电压Vtlin波动作为对比。测试芯片在28 nm工艺中进行了流片和验证。每种测试电路所占版图面积为415μm×50μm。测试结果表明STI应力对器件性能有明显的影响,而且随着STI宽度的减小,Idsat波动增大,而Vtlin波动减小。
- 姜钰刘宁希董庆陈浩林殷茵
- 关键词：检测电路饱和电流
- 65nm SRAM传统静态指标的测试方案及研究被引量：2
- 2011年
- 65nm及其以下工艺,工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏,对于预测SRAM良率有着重要的作用。采用一种新型测试结构测量SRAM读写噪声容限(即SRAM传统静态指标),该测试结构能够测量65nm SRAM在保持、读、写三种操作下的指标:Hold SNM,RSNM,N-curve,WNM。为了解决其它测试方法存在的测试工作量大和IR drop(压降)等问题,该测试结构采用四端结构引出SRAM的内部存储结点,通过译码器选中特定的SRAM单元进行测试,解决了端口复用问题。提出的测试结构已在SIMC65nm CMOS标准工艺上流片验证,并测得相应数据。
- 陈凤娇简文翔董庆袁瑞林殷茵
- 关键词：工艺波动静态随机存取存储器
- 基于压控振荡器的BTI测试装置及其测试方法
- 本发明提供一种基于压控振荡器（VCO）的偏压温度不稳定性（BTI）测试装置及其测试方法，属于半导体器件可靠性测试技术领域。本发明的BTI测试装置包括被测器件（DUT）、环形振荡器（RO）、模拟电压切换模块和第一个振荡周期...
- 林殷茵董庆
- 文献传递
- 基于压控振荡器的BTI测试装置及其测试方法
- 本发明提供一种基于压控振荡器（VCO）的偏压温度不稳定性（BTI）测试装置及其测试方法，属于半导体器件可靠性测试技术领域。本发明的BTI测试装置包括被测器件（DUT）、环形振荡器（RO）、模拟电压切换模块和第一个振荡周期...
- 林殷茵董庆
- 文献传递
- 65nm标准CMOS工艺阈值电压系统波动检测方案设计
- 2013年
- 设计了一种标准CMOS工艺下的阈值电压系统波动检测电路,其检测电路核心部分是工作在亚阈值区的环形振荡器(SRO)。该方案包括8种级数、2种尺寸共16种SRO,并以8种级数、2种尺寸共16种传统环形振荡器(RO)作对比,在SMIC 65nm标准CMOS工艺上流片验证。芯片测试结果表明:新方案相对传统检测方案具有更高的灵敏度,更直观;且阈值电压的系统波动随器件尺寸增大而略微减小。
- 袁瑞董庆简文翔林殷茵
- 关键词：亚阈值环形振荡器
- 压控振荡器、用于检测工艺波动的测试系统及其测试方法
- 本发明属于微电子技术领域，具体为一种压控振荡器（VCO）、用于检测工艺波动的测试系统及其测试方法。该VCO包括环形振荡器以及流控MOS管，所述环形振荡器包括奇数个CMOS反相器；其中，在流控MOS管的栅端偏置电压以使其工...
- 林殷茵董庆
- 先进逻辑工艺下SRAM漏电流测试
- 2013年
- 对于65nm及以下的先进逻辑工艺,SRAM的漏电流功耗占据了保持状态下功耗的一半以上,成为降低功耗的主要瓶颈之一.精确测量漏电流成为优化工艺从而降低功耗的先决条件.在保持SRAM原有版图环境不变的情况下,通过对SRAM施加不同激励,将栅漏电流、结漏电流和衬底漏电流这3种漏电流有效地区分出来.通过大量的测试,得到在不同温度下SRAM漏电流的相应数据结果用以分析,并对漏电流在整片晶圆内的系统波动和局部随机波动进行了讨论.
- 陈浩董庆马亚楠林殷茵
- 关键词：漏电流SRAM
- 压控振荡器、用于检测工艺波动的测试系统及其测试方法
- 本发明属于微电子技术领域，具体为一种压控振荡器（VCO）、用于检测工艺波动的测试系统及其测试方法。该VCO包括环形振荡器以及流控MOS管，所述环形振荡器包括奇数个CMOS反相器；其中，在流控MOS管的栅端偏置电压以使其工...
- 林殷茵董庆
- 文献传递
