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罗江财

作品数：22 被引量：29H指数：4
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇中文期刊文章

领域

  • 20篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 10篇半导体
  • 5篇载流子
  • 4篇载流子浓度
  • 4篇光电
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇减反射膜
  • 2篇导体
  • 2篇电化学
  • 2篇射线衍射
  • 2篇剖面分布
  • 2篇离子注入
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇半导体薄膜
  • 2篇半导体表面
  • 2篇半导体光电
  • 2篇硅
  • 2篇INSB

机构

  • 22篇重庆光电技术...

作者

  • 22篇罗江财
  • 3篇杨晓波
  • 2篇朱志文
  • 2篇唐祖荣
  • 1篇谢国柱
  • 1篇陈其道
  • 1篇易向阳
  • 1篇杨璠
  • 1篇尹燕萍
  • 1篇王静波
  • 1篇计敏

传媒

  • 18篇半导体光电
  • 1篇现代科学仪器
  • 1篇功能材料
  • 1篇微电子学
  • 1篇四川真空

年份

  • 3篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1996
  • 2篇1995
  • 2篇1994
  • 3篇1993
  • 2篇1992
  • 2篇1990
  • 4篇1989
  • 1篇1987
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体材料的霍耳测量被引量：5
1994年
利用霍耳效应研究半导体材料的电阻率，载流子浓度和迁移率是霍耳测量的主要技术之一。文章简单介绍了ＨＬ５５００霍耳测量系统；列举了用该霍耳系统测量的各种半导体材料，特别是高阻和高迁移率材料的结果，并讨论了有关的干扰问题。
罗江财
关键词：半导体材料电阻率载流子浓度迁移率
全文增补中
PN4200载流子浓度剖面仪的特性和应用
1989年
一、引言一般地讲,半导体器件,包括半导体集成电路都是有选择性地将一定种类和一定浓度的杂质,掺入半导体内;或在半导体表面上淀积(生长)新层的办法制作的。这些结构材料中,电活性杂质浓度,即载流子浓度,将决定所成器件的电学特性或光电子学特性。这就是说,在昂贵和费时的半导体器件残半导体光电器件制作过程中,如杂质扩散、
罗江财
关键词：载流子浓度半导体光电光电子学半导体表面
半导体光电器件中的减反射膜被引量：5
1993年
用电子束蒸发技术制备了 GaAlAs/GaAs 和 InGaAsP/InP 发光管的减反射膜。从不同的 LED 和膜厚所获得的结果表明:0.85μm 或0.9μm GaAlAs/GaAsLED 端面上的单层(λ/4)Al_2O_3 AR 膜,能使之明显地增加输出光功率,其输出功率在50mA 和100mA 电流下通常可以增加25%～35%,最大达50%。但1.3μm 的InGaAsP/InP LED 上,单层的 ZrO_2 AR 膜比 Al_2O_3 AR 膜好。最后讨论了与输出功率和膜厚有关的问题。
王剑格罗江财杨连生
关键词：发光二极管光输出功率高增透膜
大功率AlGaAs—GaAs激光器干涉镜和减反射膜的制备
1999年
分别用磁控溅射和电子束蒸发技术，在大功率ＡｌＧａＡ３－ＧａＡ３激光器条端面上，制作了ＳｉＯ２／Ｓｉ干涉镜和Ａｌ２Ｏ３减反射膜。讨论了Ｓｉ靶反应磁控溅射下，氧化硅层的沉积速率和影响镀层质量的因素。
罗江财王静波
关键词：大功率激光器铝镓砷
在Al_xGa_(1-x)As/GaAs太阳电池中的Mg掺杂和接触扩散特性
1993年
研究了液相外延生长的高铝含量的Al_xGa_(1-x)/GaAs结构中的Mg掺杂特性,测量了各种接触扩散时间所对应的载流子浓度分布和表面质量。表明用Mg掺杂和接触扩散,能得到合适的结深和较高的载流子浓度的P-GaAs层。如果母液组份和生长温度恒定,并适当控制接触扩散时间,可以制备出重复性好的均匀高质量P-N结。
罗江财刘宗光
关键词：太阳能电池
1．3μmInGaAsP／InPLD，SLD和LED的介质镀膜被引量：5
1995年
简要叙述了介质镀膜对半导体激光器性能的影响。在１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器（ＬＤ）、超辐射发光二极管（ＳＬＤ）和发光二极管（ＬＥＤ）上进行了大量的Ａｌ２Ｏ３和ＺｒＯ２减反射膜的工艺研究。结果表明，该减反射膜使激光器阈值电流增加，并将部分激光器变成了超辐射发光二极管。减反射膜还显著地改进超辐射发光二极管的性能，增加其输出功率。它也能导致发光二极管的输出功率的有效增加。
罗江财朱志文王剑格唐祖荣
关键词：半导体激光器减反射膜
半导体单晶中的缺陷和观察
1987年
本文简述了半导体单晶材料中常见的各种晶体缺陷及检测方法。
罗江财
关键词：射线衍射晶格匹配电工材料电子顺磁共振电子自旋共振半导体表面
LiNbO_3衬底上电子束蒸发集成光学钛薄膜被引量：1
1994年
钛扩散铌酸锂（Ｔｉ－ＬｉＮｂＯ３）光波导是最基本的集成光学器件之一。文章报道了在ＬｉＮｂＯ３衬底上，用自动电子束蒸发技术淀积Ｔｉ薄膜。对各种淀积条件下的结果测试分析表明：用０．５～１．１ｎｍ／ｓ的淀积速率和２．７×１０－４Ｐａ以下的残余气压，可以得到较好的Ｔｉ薄膜。用这种Ｔｉ薄膜已研制出了光波导、薄膜偏振器、相位调制器、光开关、光耦合器和光纤陀螺芯片等集成光学器件。
罗江财王剑格
关键词：集成光学器件电子束蒸发钛
Ge_xSi_(1-x)/Si应变层和超晶格及其临界厚度被引量：1
1993年
异质外延层的性能和质量,往往取决于异质结构的特性。文章讨论了Ge_xSi-(1-x)/Si 应变层和应变层超晶格中的应变、位错和临界厚度,并比较了实验结果。
罗江财
关键词：应变层超晶格
硅中扩散参数的分析和测定被引量：1
1990年
扩散工艺至今仍是包括半导体光电器件在内的半导体器件和集成电路制造中的重要工艺步骤。但 Si 的扩散工艺中往往只测量扩散后的方块电阻。我们通过分析和实际测量 Si 扩散后的主要参数:方块电阻、结深、表面杂质浓度及杂质浓度分布,其相互关系表明,对于评价掺杂的总质量,只测量方块电阻是不全面的。而测量杂质浓度或杂质浓度分布,将是检查扩散层质量的较好方法。
罗江财
关键词：硅扩散层方块电阻
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