朱志文
- 作品数：11 被引量：26H指数：3
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
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- 1.3 μm InGaAsP低电流超辐射发光二极管组件被引量：12
- 2001年
- 设计并制作了用于高精度光纤陀螺的 1.3μm低电流超辐射发光二极管组件。采用隐埋异质结结构 ,实现了良好的电流限制和光限制 ,同时采用长腔结构来提高器件单程增益 ,从而获得了高的输出功率。组件具有工作电流小、输出功率高 ,以及光谱特性好等特点。测试结果表明 ,在 70mA工作电流下 ,组件尾纤输出功率大于 0 .1mW ,光谱宽度大于 30nm。
- 李金良朱志文
- 关键词：超辐射发光二极管光纤陀螺INGAASP组件
- 1.3μm InGaAsP/InP全金属化耦合封装侧面发光二极管
- 1991年
- 本文报导1.3μm InGaAsP/InP内条限制部分注入全金属化耦合封装侧面发光二极管的结构、制作及器件特性。在100mA工作电流下,器件尾纤出纤功率典型值40μW,最大超过60μW,光谱宽度70nm,上升/下降时间小于2.5ns。该器件是中短距离,中小容量光纤通信系统和光测量系统的理想光源。
- 朱志文李金良计敏伍锋邓履清杨璠
- 关键词：光纤通信发光二极管金属化封装
- 1．3μmInGaAsP／InPLD，SLD和LED的介质镀膜被引量：5
- 1995年
- 简要叙述了介质镀膜对半导体激光器性能的影响。在１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器（ＬＤ）、超辐射发光二极管（ＳＬＤ）和发光二极管（ＬＥＤ）上进行了大量的Ａｌ２Ｏ３和ＺｒＯ２减反射膜的工艺研究。结果表明，该减反射膜使激光器阈值电流增加，并将部分激光器变成了超辐射发光二极管。减反射膜还显著地改进超辐射发光二极管的性能，增加其输出功率。它也能导致发光二极管的输出功率的有效增加。
- 罗江财朱志文王剑格唐祖荣
- 关键词：半导体激光器减反射膜
- １．３μｍ低电流超辐射发光二极管组件
- 李金良朱志文
- 关键词：低电流超辐射发光二极管
- 文献传递网络资源链接
- 1.55μm超辐射发光二极管组件
- 超辐射发光二极管(SLD)由于具有输出功率高,光谱宽度高,稳定性好,相干长度短等特点,是光纤陀螺的理想光源.1.55μm超辐射发光二极管组件是为高精度光纤陀螺研制的光源.组件采用标准14针双列直插式管壳,熊猫型保偏光纤对...
- 李金良朱志文
- 关键词：超辐射发光二极管光纤陀螺光有源器件
- 文献传递
- 1.51μm InGaAsP/InP DC-PBH分布反馈激光器
- 1992年
- 报道了1.51μm 波长 InGaAsP/InP DC-PBH 分布反馈激光器组件的结构、制作工艺和主要性能参数。
- 蔡开清朱志文王品红易向阳
- 关键词：相干光通信半导体激光器
- 光栅衬底液相外延技术
- 1992年
- 光栅衬底液相外延是分布反馈激光器研制的关键技术之一。利用 Sn-In-p 和 GaAs 单晶作为光栅衬底表面的高温热保护盖片,有效地解决了光栅表面高温热损伤问题,在光栅表面重复地生长出了高质量的外延层,并以此为基础,研制出了DFB 激光器。
- 朱志文
- 关键词：相干光通信半导体激光器液相外延
- 光纤陀螺用光源——超辐射发光二级管被引量：3
- 1993年
- 光纤陀螺用光源要求输出功率高、相干性低、稳定性好。超辐射发光二极管(SLD)是能满足这些要求的理想光源。本文介绍制作超辐射发光二极管的工作原理,制作技术难点,研究现状和今后的发展趋势。
- 朱志文
- 关键词：光纤陀螺半导体器件发光二极管
- 1.55μm超辐射发光二极管组件
- 超辐射发光二极管(SLD)由于具有输出功率高,光谱宽度宽,稳定性好,相干长度短等特点,是光纤陀螺的理想光源.1.55μm超辐射发光二极管组件是为高精度光纤陀螺研制的光源.组件采用标准14针双列直插式管壳,熊猫型保偏光纤对...
- 李金良朱志文
- 文献传递
- 1.3μm波长超辐射发光二极管组件被引量：5
- 1995年
- 光纤陀螺用关键器件之一是超辐射发光二极管（ＳＬＤ）。采用ＳＬＤ作为光源，光纤陀螺可达到高精度、高灵敏度、高稳定性、低噪声的目的。ＳＬＤ是一种以内部单程增益为特征的光发射器件。表征器件性能的主要技术参数指标是输出功率和光谱宽度。通过理论分析和实验，确定了器件的结构，在研制过程中解决了外延生长、端面镀膜等关键技术。组件采用１４针双列直插式管壳、标准单模光纤耦合封装。组件包括ＳＬＤ、光监视用ＰＩＮ光探测器、热敏电阻和半导体致冷器，可通过外电路对组件实现温控、光控，以便组件能长期稳定工作。组件尾纤输出功率大于３００μＷ，最大超过７００μＷ，光谱宽度大于３０ｎｍ。
- 朱志文蔡开清杨璠计敏易向阳唐祖荣陈其道罗江财
- 关键词：发光二极管传感器光纤陀螺半导体器件
