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王宗富

作品数:9 被引量:12H指数:3
供职机构:中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 6篇声体波
  • 4篇延迟线
  • 3篇微波
  • 3篇微波延迟线
  • 2篇声表面波
  • 2篇声表面波器件
  • 2篇谐振器
  • 2篇薄膜换能器
  • 1篇低损耗
  • 1篇短延时
  • 1篇压电
  • 1篇压电薄膜
  • 1篇压电效应
  • 1篇压控
  • 1篇压控振荡器
  • 1篇氧化锌
  • 1篇氧化锌换能器
  • 1篇氧化钽
  • 1篇振荡器
  • 1篇声表面波卷积...

机构

  • 8篇四川压电与声...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 9篇王宗富
  • 6篇周勇
  • 5篇陈运祥
  • 3篇朱昌安
  • 2篇刘岳穗
  • 2篇周小平
  • 2篇汤劲松
  • 2篇郑泽渔
  • 1篇刘光耀
  • 1篇刘玲
  • 1篇田亚睿
  • 1篇郑泽渔
  • 1篇米佳
  • 1篇李世红
  • 1篇杨正兵

传媒

  • 8篇压电与声光
  • 1篇中国声学学会...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2004
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1987
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
高次谐波声体波谐振器
1996年
简要介绍了高次谐波声体波谐振器的独特优越性和发展概况。用有关高次谐波声体波谐振器的设计理论进行了设计。报道了对高次谐波声体波谐振器的实验研究,给出了超高频和L波段高Q值高次谐波声体波谐振器的实验结果。
王宗富刘岳穗周勇陈运祥汪渝
关键词:声体波高次谐波谐振器薄膜换能器Q值微波
微波延迟线用大功率ZnO薄膜换能器
杨龙共王宗富
关键词:延迟线薄膜换能器氧化锌换能器
2μs低损耗声体波微波延迟线被引量:5
2010年
通过优化换能器拓扑结构,探索长延时传声介质的双面光刻及探针提取S参数进行网络匹配等技术,改进了声体波微波延迟线换能器设计及制作工艺。研制出中心频率为4.3 GHz,带宽为200 MHz,延迟时间为1.999 7μs,插入损耗仅26 dB,直通抑制45 dB,3次渡越抑制42 dB的声体波微波延迟线。
朱昌安郑泽渔李世红汤劲松周勇王宗富米佳刘玲
关键词:低损耗声体波延迟线
C波段超短延时声体波延迟线被引量:1
1997年
叙述了超短延时声体波微波延迟线的设计和制作。制作了工作频率4.2GHz,延迟时间分别为50ns和70ns的器件。
周小平王宗富陈运祥刘岳穗周勇
关键词:声体波微波延迟线
倍频程宽带声体波微波延迟线被引量:3
2004年
报道了采用 Zn O压电薄膜换能器设计制作倍频程宽带声体波微波延迟线和实际结果。工作频率 2~6 GHz,延时 0 .2 μs,插入损耗波动≤ 6 d
周小平王宗富陈运祥周勇刘光耀
关键词:声体波微波延迟线宽带
Ta_2O_5膜压电效应研究
1991年
本文报道了新型Ta_2O_5压电膜的制备方法及其工艺技术。用×轴垂直取向性Ta_2O_5压电膜制作出了声表面波(SAW)延迟线及滤波器。并给出了相应的实验结果。
陈运祥杨龙其周勇王宗富何大珍
关键词:压电效应声表面波器件
声体波谐振器压控振荡器被引量:3
2011年
声体波谐振器(FBAR)压控振荡器(VCO)技术探讨了高品质因数Q谐振器并实现宽频率调谐难题,完成了声体波谐振器MBVD模型参数建立、电路的选择与布局,以及最优化的设计与制作,尽量消除了FBAR与IC之间的引线产生的影响,克服了频率调整问题。研制了中心频率2.1GHz的VCO振荡器,研究结果表明,其输出功率为5~10dBm,调谐范围为2.044‰,边带相噪为-143dBc/1Hz@1MHz。
王宗富郑泽渔杨正兵朱昌安田亚睿
关键词:声体波谐振器
ZnO压电薄膜双面共溅生长技术被引量:2
2010年
在只有一个靶源的情况下,利用改良的夹具,在钇铝石榴石(YAG)晶体的两端用反应磁控溅射法同时溅射生长ZnO压电薄膜。对ZnO压电薄膜做了X-射线衍射(XRD)分析,测试了用双面方法制作的声体波薄膜换能器的回波损耗。结果表明,采用双面共溅工艺生长ZnO压电薄膜有效地解决了第一端换能器压电性能退化的问题,提高了两端换能器压电性能的一致性,提高了生产效率。
郑泽渔汤劲松朱昌安周勇王宗富
关键词:氧化锌压电薄膜溅射声体波
声表面波卷积器/存储相关器用ZnO膜的制备
1992年
本文介绍了声表面波(SAW)卷积器/存储相关器用优质氧化锌(ZnO)压电膜的制备方法。用平面磁控溅射技术溅射ZnO陶瓷靶沉积出了激励SAW西沙瓦模式的优质ZnO膜。用同轴磁控溅射技术溅射ZnO陶瓷靶沉积出的优质ZnO膜制作ZnO/Si单片式SAW卷积器,使该器件性能进一步改善,同时给出了相应的实验结果。
陈运祥杨龙其王宗富
关键词:声表面波器件卷积器
共1页<1>
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