段树坤
- 作品数：24 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程化学工程更多>>
- 低压－金属有机物汽相外延生长的Ga＿（1－x）In＿xAs／InP激光器中深能级的研究
- 1994年
- 应用深能级瞬态谱（ＤＬＴｓ）技术详细研究低压－金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长的Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ／Ｉｎｐ量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的ＤＬＴＳ表明，在宽接触激光器的ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层里观察到Ｈ１（Ｅ＿ｖ＋０．０９ｅＶ）和Ｅ１（Ｅ＿ｃ－０．３５ｅＶ）陷阱，它们可能分别与样品生长过程中扩散到ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层的Ｚｎ和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层的Ｈ２（Ｅ＿ｖ＋０．１１ｅＶ）和Ｅ２（Ｅ＿ｖ－０．４２ｅＶ）陷阱则可能是Ｈ１和Ｅ１与质子轰击引起的损伤相互作用的产物。
- 卢励吾周洁封松林段树坤
- 关键词：半导体激光器能级汽相外延生长
- 改进的MOCVD生长AlGaN固溶体准热力学模型
- 本文提出了一种改进的准热力学模型.计算结果与Clur等人、Matloubianh等人和Asif Kuhn等人的实验结果吻合.从改进的准热力学模型的计算结果可以看出,在输入TMGa和TMAl摩尔流量不变的情况下,AlGaN...
- 陆大成段树坤
- 关键词：MOCVD金属有机化学气相淀积化学热力学
- 文献传递
- ＬＰ－ＭＯＶＰＥ １．３μｍ ＤＨ激光器
- 段树坤李晶
- 关键词：低压汽相外延生长激光器
- 生长氮化物四元系的热力学考虑(英文)
- 2001年
- 本文提出了一个MOVPE生长GaxAlyIn1-x -yN的膺热力学分析模型。假设此合金是由Ⅲ族元素与NH3 之间反应生成的。为了计算氨分解的影响 ,在模型中引入了氨分解率的概念 ,质量守恒方程是用摩尔量来计算的。我们计算了在不同生长条件下 ,与GaN晶格匹配的富Ga的GaxAlyIn1-x -yN合金组分和输入的Ⅲ族金属有机化合物摩尔比之间的关系。计算结果表明Al和Ga优先于In进入固相。为了增加固相的In含量应适当降低生长温度、使用氮载气、提高输入反应管的金属有机化合物的分压、采用高Ⅴ/Ⅲ比值和降低氨分解率。
- 陆大成段树坤
- 关键词：MOVPE
- 一种显示LiGaO_2晶体极性和缺陷的腐蚀液
- 2000年
- GaN及其合金具有大的带隙 ,高的热导和强的化学键 ,是制作短波长光电器件和高温电子器件重要的半导体材料 ,受到人们很大的关注。近年来 ,GaN器件已取得了快速进展 ,LED已经商品化。但对高性能的激光器和电子器件 ,GaN薄膜的质量急待进一步提高 ,GaN薄膜的衬底材料是影响其性能的一个重要因素。目前 ,广泛使用的是蓝宝石 (α Al2 O3 ) ,它与GaN的晶格失配高达 1 3% ,热匹配特性也不好。因此 ,探索与GaN的晶格失配较小的衬底一直受到重视。LiGaO2 属于正交晶系 ,它与六方GaN晶格失配的平均值约为 0 .9% ,且在可见光与紫外光区都具有高度的透明性 ,因此成为生长六方晶体GaN诱人的候选材料。然而 ,由于LiGaO2 本身沿c轴的极性结构和一些特点 ,要获得良好的受控GaN薄膜 ,尚需要在外延工艺和衬底材料质量的提高上同时下些功夫。我们用MOCVD方法在多畴 ( 1 1 1 )LiGaO2 上进行了两畴均不“剥皮”的六方GaN薄膜生长。为了提高GaN薄膜质量 ,研究衬底材料的极性以及缺陷对薄膜性能的影响 ,就显得很重要。化学腐蚀是一种方便而且直观的显示晶体缺陷的方法 ,本文在通常使用的氧化性腐蚀液的基础上 ,提出了还原性腐蚀液的使用。提高了腐蚀速度和对结构缺陷的辨认率 ,有利于认识衬底材料对GaN薄膜性能的影响。( 1 )
- 滕学恭段树坤
- 关键词：衬底材料
- MIS型GaNLED的LP-MOVPE
- 段树坤滕学公
- 关键词：光电器件半导体工艺
- ZnSe的MOVPE生长相图：以DMZn和H_2Se为源
- 1996年
- 本文基于热力学平衡计算，首次给出以ＤＭＺｎ和Ｈ２Ｓｅ为源，ＭＯＶＰＥ生长ＺｎＳｅ的相图．文中讨论了ＺｎＳｅ单一凝聚相区的范围，以及可能出现ＺｎＳｅ（ｓ）＋Ｚｎ（ｓ）或ＺｎＳｅ（ｓ）＋Ｓｅ（ｌ）两种双凝聚相区的条件．
- 段树坤陆大成
- 关键词：MOVPE硒化锌发光器件
- MOVPE生长GaAs薄层的线偏振光吸收系数的电流感生变化
- 1991年
- MOVPE生长不掺杂GaAs薄层的线偏振光吸收系数电流感生变化△α的实验结果表明,△α随光波长λ呈脉冲线型非线性变化;注人电流增加,△α明显增大,且△α(λ)谱极大值位置向长波端有一个小移动以至△α(λ)谱线半值全宽也有增宽.λ=900nm处,△α值基本上随电流线性增加.
- 王德煌王威礼李桂棠段树坤
- 关键词：MOVPE生长偏振光
- 生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究
- 1998年
- 在室温下测量了用ＭＯＶＰＥ方法生长在尖晶石（ＭｇＡｌ２Ｏ４）衬底上的ＧａＮ外延层的一阶喇曼光谱．应用各种背散射和９０°散射配置，测得了除低频Ｅ２模外所有ＧａＮ的喇曼活性光学声子模．并且在Ｘ（Ｚ，Ｘ）Ｚ和Ｘ（Ｙ，Ｙ）Ｚ配置下观测到了由Ａ１和Ｅ２模混合形成的准ＴＯ和准ＬＯ模．
- 李国华韩和相丁琨汪兆平段树坤
- 关键词：氮化镓喇曼散射
- 不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究
- 1994年
- 报道ＭＯＶＰＥ技术生长不掺杂ＧａＡｓ膜，在Ｈｅ－Ｎｅ激光场作用下，其近红外光吸收系数变化的实验结果。
- 王德煌王威礼李桂棠庄婉如段树坤
- 关键词：激光辐照砷化镓
