王威礼
- 作品数：31 被引量：25H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程政治法律更多>>
- 不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究
- 1994年
- 报道ＭＯＶＰＥ技术生长不掺杂ＧａＡｓ膜，在Ｈｅ－Ｎｅ激光场作用下，其近红外光吸收系数变化的实验结果。
- 王德煌王威礼李桂棠庄婉如段树坤
- 关键词：激光辐照砷化镓
- 激光辐照GaAs膜和GaAs多量子阱反射光强的观测
- 1994年
- 实验观测了Ｈｅ－Ｎｅ激光辐照不掺杂ＧａＡｓ膜和ＧａＡｓ多量子阱的反射光强，对比研究了实验的结果。
- 王德煌王威礼刘剑
- 关键词：激光辐照砷化镓
- KNbO_3:Fe的红外光折变效应
- 1992年
- 利用1.15μm He-Ne激光对光折变晶体KNbO_3:Fe的二波耦合实验测量,得到二波耦合增益系数为1.4cm^(-1),频率响应时间为5ms.在红外波段的初步实验结果与可见波段的规律相符.
- 王威礼王德煌
- 关键词：光折变二波耦合铁电晶体铌酸盐
- 电流注入块状GaAs和GaAs膜近红外光学常数变化实验研究
- 1994年
- 电流注入块状ＧａＡｓ和ＧａＡｓ膜近红外光学常数变化实验研究王德煌，王威礼（北京大学物理系，集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区，北京１００８７１）庄婉如，段树坤（北京集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区，北京１０００８３）ＧａＡｓ是半导体光电...
- 王德煌王威礼庄婉如段树坤
- 关键词：砷化镓电流注入
- GaAs／GaAlAs双异质结光波导开关内带隙的注入载流子感生变化被引量：1
- 1994年
- 本文研究了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结光波导开关内波导层带隙的载流子注入感生变化．给出了带隙变化值随注入载流子浓度变化的关系曲线，并与带填充理论和带隙收缩理论的计算结果进行了对比分析．
- 王德煌王威礼庄婉如林雯华
- 关键词：砷化镓GAALAS光波导开关
- 高效率KNbO_3:Fe自泵浦相位共轭器
- 1991年
- 报道对KNbO_3:Fe最佳二波耦合和全内反射的自泵浦相位共轭的设计考虑,两种考虑的主要根据是利用最大电光系数γ_(42)和优化几何配置,展示了相位共轭的一系列特性,并成功地把这些非线性光学效应从514.5nm扩展到632.8nm。
- 王威礼郑英俊王德煌张合义让庆澜沈德忠童小林
- 关键词：FE相位共轭
- 光折变立方晶体中的双光束正交耦合
- 本文报导光折变立方晶体中的双光束耦合的理论分析和实验研究,讨论了具有闪锌矿结构和具有非中心对称的43m立方晶体中的双光耦合,立方晶体具有(ε)=nδ和非零电光系数的张量元γ=γ=γ因此,由相干光场激发的载流子通过漂移和扩...
- 王威礼让庆澜张合义何雪华
- KNbO_3:Fe环形腔被动相位共轭器被引量：2
- 1993年
- 介绍有附加反射镜组成的KNbO_3:Fe环形腔自泵相位共轭器,实验演示了相位共轭光建立过程中各光束间的能量转移现象,并测得自泵相位共轭反射率R随入射角α、环形腔光束夹角2θ和入射光强I_4的依赖关系,在最佳条件α=23°和2θ=20°时,测得最大的相位共轭反射率R=36%。
- 王威礼王德煌
- 关键词：光折变相位共轭
- GaAs双光束耦合中的普克尔效应
- 1990年
- 本文报道在GaAs晶体中用1.15μm红外He—Ne激光进行相对传播的双光束耦合的实验研究,测量了透射光束偏振面的旋转角(?)与两束光强比β_0的关系,这些现象可归结于光感空间电荷电场引起的线性电光效应(普克尔效应)所造成。
- 王威礼何雪华让庆澜张合义
- 关键词：GAAS晶体光耦合
- GaAs多量子阱超晶格表面激光光伏效应
- 1992年
- 由于MOCVD、MBE等半导体材料生长技术飞跃发展,半导体多量子阱和超晶格的制备、研究和应用越来越引起广泛重视。GaAs多量子阱超晶格是较为成熟的一种结构。本文初次报道GaAs多量子阱超晶格表面激光辐照感生的光伏效应研究结果。实验样品是在〈001〉晶向半绝缘GaAs衬底上,MBE生长1.5μm n^+-GaAs缓冲层后,交替地周期生长两种阱宽和垒宽,不同周期数的掺硅GaAs层,构成GaAs多量子阱超晶格结构。
- 王德煌王威礼王恩哥周小川
- 关键词：光伏效应超晶格GAAS衬底激光辐照超晶格结构
