庄婉如
- 作品数：34 被引量：33H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- 不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究
- 1994年
- 报道ＭＯＶＰＥ技术生长不掺杂ＧａＡｓ膜，在Ｈｅ－Ｎｅ激光场作用下，其近红外光吸收系数变化的实验结果。
- 王德煌王威礼李桂棠庄婉如段树坤
- 关键词：激光辐照砷化镓
- MOCVD的InGaAs／GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究被引量：1
- 1994年
- 本文中利用ＭＯＣＶＤ方法得到了高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子阱材料，４．３ｎｍ量子阱１０ＫＰＬＦＷＨＭ仅为３．４９ｍｅＶ．通过对样品荧光谱在变激发强度，变温时的峰位、峰形研究，我们发现，合金组分起伏散射是样品低温荧光谱展宽的主要原因，因而是ＭＯＣＶＤ生长中应该首先解决的问题，实验结果还表明，在讨论低温ＰＬ谱形时，必需考虑光生载流子由随机起伏势中高能位置向低能位置的迁移过程．
- 王小军郑联喜王启明庄婉如黄美纯郑婉华
- 关键词：光致发光MOCVD
- 两段耦合腔半导体激光器
- 1989年
- 本文简单讨论各种单纵模半导体激光器的优缺点,扼要分析耦合腔激光器单纵模工作机理和条件,并介绍实现两段激光器的关键工艺。
- 张石桥庄婉如谭叔明
- 关键词：半导体激光器
- MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱和多量子阱激光器深能级研究被引量：2
- 1992年
- 应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究经MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs 单量子阱和多量子阱激光器深能级.样品的 DLTS谱表明,在激光器的量子阱和 n-GaAlAs 限制层里均存在着一个浓度和俘获截面较大的高温电子陷阱,该陷阱可能与MOCVD生长工艺和质子轰击引进的损伤有关,它直接影响激光器的性能.DX中心和高温电子陷阱在量子阱里可能局域在GaAlAs/GaAs层的界面附近.
- 卢励吾周洁庄婉如梅野正義
- 关键词：砷化镓激光器
- 光开关交叉角的上限和开关对数值孔径的影响被引量：1
- 1995年
- 本文讨论了全内反射型光开关的交叉角２和光路的数值孔径ＮＡ．本文给出了设计光开关时的上限，并且讨论了当光路中有全内反射型光开关时，ＮＡ受到的影响问题。
- 康寿万董玉和庄婉如
- 关键词：光开关数值孔径半导体材料
- 单片集成式反应离子刻蚀沟槽耦合腔AlGaAs/GaAs激光器被引量：1
- 1993年
- 利用反应离子刻蚀(RIE)技术刻蚀激光器腔面,获得集成式沟槽耦合腔AlGaAs/GaAs激光器,在室温下实现CW稳定单模运转。单模半宽约为0.23nm,边模抑制比达19dB,模间距约2.5nm,单模运转双腔阈值电流为52mA。
- 张石桥谭叔明庄婉如杨培生陈季英
- 关键词：离子刻蚀半导体激光器单片集成
- 飞速发展的半导体激光器被引量：1
- 1994年
- 评述半导体激光器的发展动态,包括应变量子阱激光器、垂直腔面发射激光器、可见光激光器、增益耦合型分布反馈激光器及高功率激光器列阵等。
- 庄婉如
- 关键词：半导体激光器激光器
- O<'+>注入在光电器件中的应用
- 石志文庄婉如
- 关键词：光致发光离子注入
- InGaAsP的折射率色散及其波导的单膜尺寸
- 1995年
- 理论分析了红外光波导开关中波导层Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ_ｙＰ_（１－ｙ）的折射率色散，对波长为１．３μｍ的激光，当ｙ＝０．４０，ｘ＝０．１８时，波导层的折射率为３．３８；当ｙ＝０．００，ｘ＝１．００时，其折射率为３．２１。数值计算得到矩形加载波导的单膜尺寸范围，为光波导开关的设计与制作提供了参考数据。
- 董玉和康寿万杨培生庄婉如
- 关键词：波导理论开关
- 激光辐照GaAs膜的光透射谱实验研究
- 1993年
- GaAs薄膜材料生长技术的迅速发展和成熟及其广泛应用,该材料性质及其在外部电磁场等条件下的变化的广泛研究,促使以GaAs多层膜为结构的光电子元器件和集成光学元件以及相关的集成光电子技术和光计算技术等高科技研究和实用化的飞速进展,其中GaAs膜材料的光学性质,尤其是激光与GaAs膜的相互作用,影响其光学性质的研究是极其有用的。本文报道He-Ne激光辐照金属有机氧化物气相外延(MOVPE)技术生长的不掺杂GaAs膜,其光透射性质发生变化的实验研究结果。
- 王德煌王威礼段树坤庄婉如
- 关键词：激光辐照
