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李晶

作品数：9 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 4篇脊形
  • 3篇单模
  • 3篇调制
  • 3篇直接调制
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇高阶
  • 3篇波导
  • 2篇单模传输
  • 2篇低压
  • 2篇雪崩
  • 2篇雪崩光电探测...
  • 2篇增层
  • 2篇探测器
  • 2篇平板波导
  • 2篇倏逝波
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 2篇光栅

机构

  • 9篇中国科学院

作者

  • 9篇李晶
  • 6篇郑婉华
  • 2篇段树坤
  • 2篇万寿科
  • 2篇彭红玲
  • 2篇熊飞克
  • 2篇徐俊英
  • 2篇齐爱谊
  • 1篇王玉田
  • 1篇梁骏吾
  • 1篇江德生
  • 1篇朱龙德
  • 1篇钱家骏
  • 1篇李学斌
  • 1篇王海玲
  • 1篇渠红伟

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇第四届全国固...

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1991
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
ＬＰ－ＭＯＶＰＥ １．３μｍ ＤＨ激光器
段树坤李晶
关键词：低压汽相外延生长激光器
一种采用表面高阶光栅的直接调制半导体激光器
本发明提供一种采用表面高阶光栅的直接调制半导体激光器及其制备方法，包括：三层平板波导(1000)，包括至上而下的上波导层(1100)、芯层(1200)及下波导层(1300)，其中，上波导层(1100)为脊形，其脊背或脊侧...
郑婉华马丕杰李晶董风鑫
低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析
1993年
用低压MOCVD方法生长了InGaAs/InP单量子阱及多量子阱结构。用低温光致发光方法研究了量子阱样品因量子尺寸效应引起的激子能量移动以及激子谱线线宽同量子阱阱宽的关系,7A阱宽的激子能量移动达370meV。选取Q_c=△E_c/△E_g=0.4,采用修正后的Kronig-Penny模型,考虑能带的非抛物线性,拟合了激子能量移动和阱宽的关系曲线。用有效晶体近似方法(VCA)分析了激子尺寸范围内界面不平整度以及合金组分无序对激子谱线线宽的影响。以界面不平整度参量δ_1和δ_2,合金组分元序参量r_c为拟合参数,拟合了激子线宽对阱宽的关系曲线。取δ_1=2.93A,δ_2=100A,r_c=3ML,理论拟合值与实验值符合较好。
陈德勇朱龙德李晶熊飞克徐俊英万寿科梁骏吾
关键词：INGAAS/INP
硅红外增强倏逝波耦合雪崩光电探测器及其制作方法
本发明提供一种硅红外增强倏逝波耦合雪崩光电探测器及制备方法，该探测器包括：SOI晶片；脊形单模传输波导；吸收层，具有缺陷能级，外延形成于单模传输波导上；波导与吸收层之间通过倏逝波进行光的耦合；倍增层，形成于吸收层中；P型...
郑婉华彭红玲王天财石涛孟然哲齐爱谊李晶
一种半导体激光器及其制备方法
本公开提供了一种半导体激光器，包括：依次生长在衬底上的第一限制层、有源层、第二限制层及波导层，其中，波导层上表面部分刻蚀形成主振荡结构，另一部分刻蚀形成功率放大结构，其中，主振荡结构与功率放大结构之间设置电隔离区，主振荡...
郑婉华李晶王海玲渠红伟
高阶耦合模式激光器
本公开提供了一种高阶耦合模式激光器，自下而上顺次包括：下电极层、N型衬底层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型盖层、绝缘层和上电极层；波导结构由刻蚀的P型盖层和P型限制层形成，包括至少一个增益腔和多个损耗腔，损耗腔对称...
郑婉华李晶马丕杰王学友傅廷
LP-MOVPE Ga_(1-x)In_xAs/InP量子阱结构材料被引量：2
1991年
本文报道用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOVPE) 的方法生长了晶格匹配的Ga_(1-x)In_4As/InP 量子阱结构材料.X光双晶衍射和透射电子显微镜测量表明多量子阱结构的周期性和界面质量较好、光致发光和光吸收谱的测量都观测到因量子尺寸效应导致的带间跃迁向高能方向的移动.
段树坤熊飞克李学斌李晶王玉田江德生徐俊英万寿科钱家骏
关键词：量子阱材料
硅红外增强倏逝波耦合雪崩光电探测器及其制作方法
本发明提供一种硅红外增强倏逝波耦合雪崩光电探测器及制备方法，该探测器包括：SOI晶片；脊形单模传输波导；吸收层，具有缺陷能级，外延形成于单模传输波导上；波导与吸收层之间通过倏逝波进行光的耦合；倍增层，形成于吸收层中；P型...
郑婉华彭红玲王天财石涛孟然哲齐爱谊李晶
文献传递
一种采用高阶表面光栅的直接调制半导体激光器
本发明提供一种采用高阶表面光栅的直接调制半导体激光器及其制备方法，包括：三层平板波导(1000)，包括至上而下的上波导层(1100)、芯层(1200)及下波导层(1300)，其中，上波导层(1100)为脊形，其脊背或脊侧...
郑婉华马丕杰李晶董风鑫
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