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采用石墨电极制备多孔硅工艺研究: 2013年; 采用石墨电极作为阴极,通过向腐蚀溶液中添加适量65%(质量分数wt%,下同)浓硝酸,以电化学腐蚀法在单晶硅片表面制备出多孔硅微结构。实验表明,随着腐蚀时间的增加,衡量多孔硅表面形貌的粗糙度和颗粒度指标值呈周期性增减变化;在电流密度为10 mA/cm2的阳极腐蚀参数下,将单晶硅片腐蚀1875秒制备的多孔硅样品的粗糙度和颗粒度值相对较大,原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)检测结果表明其硅柱最大高度、颗粒最大直径和平均直径分别达到470 nm、1693.590 nm、489.954 nm。; 李进庞骏敏高忙忙梁森王晓芳薛子文; 关键词：石墨电极多孔硅

多孔硅减反射层的电化学制备研究: 从世界上第一例多孔硅诞生以及第一次将多孔硅用作太阳电池的减反射材料到现在，多孔硅的制备技术及其应用有了很大进展，但是如何进一步促使形成的孔洞更加均匀以及降低多孔硅的反射率、提高少数载流子寿命、增强与硅基太阳电池其它工艺的...; 庞骏敏; 关键词：多孔硅太阳能电池光学性能结构特征

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庞骏敏