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薛子文

作品数:8 被引量:15H指数:2
供职机构:宁夏大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金宁夏回族自治区自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 5篇固液
  • 5篇固液界面
  • 4篇单晶
  • 4篇单晶硅
  • 3篇
  • 2篇氧含量
  • 2篇直径
  • 2篇太阳能级
  • 2篇炉压
  • 2篇放肩
  • 1篇大直径
  • 1篇电极
  • 1篇电极制备
  • 1篇多孔硅
  • 1篇原子
  • 1篇直拉单晶硅
  • 1篇直拉法
  • 1篇生产工艺
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨电极

机构

  • 8篇宁夏大学
  • 2篇北京工业大学
  • 1篇银川隆基硅材...

作者

  • 8篇薛子文
  • 7篇梁森
  • 7篇李进
  • 7篇高忙忙
  • 6篇李海波
  • 4篇何力军
  • 4篇李国龙
  • 4篇张洪岩
  • 1篇王晓芳
  • 1篇庞骏敏
  • 1篇王丽

传媒

  • 2篇硅酸盐通报
  • 2篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
制备直径为400mm以上的单晶硅的方法
一种制备直径为400mm以上的单晶硅的方法,该方法采用通过直拉法制造单晶硅,该方法包括如下步骤:装料和熔化;引晶;缩颈;放肩;等径生长:石英坩埚和晶体相互反方向旋转,根据熔体和单晶炉的状况,控制晶体等径生产所需长度,其中...
高忙忙李进张洪岩梁森李海波李国龙薛子文何力军
文献传递
感应加热制备太阳能级铸造准单晶硅熔体流动行为研究被引量:4
2015年
用专业晶体生长软件(CG-Sim)对制备太阳能级准单晶硅用真空感应铸锭炉的热场结构以及在熔炼过程中硅熔体的流动行为进行了研究。结果表明,熔体中电磁力是熔体流动的驱动力之一,并且感应线圈与熔体高度的比值(k)对熔体内电磁力的大小和分布具有很大的影响,当k值为1.2时,熔体内形成一个上下贯通的涡流,有利于杂质的挥发。同时,当感应线圈频率在3000~5000Hz范围时,熔体对流强度较低,可以增加坩埚-熔体边界层的厚度,降低熔体中的氧含量。
高忙忙薛子文李进董法运梁森李海波王丽
关键词:感应熔炼
采用石墨电极制备多孔硅工艺研究
2013年
采用石墨电极作为阴极,通过向腐蚀溶液中添加适量65%(质量分数wt%,下同)浓硝酸,以电化学腐蚀法在单晶硅片表面制备出多孔硅微结构。实验表明,随着腐蚀时间的增加,衡量多孔硅表面形貌的粗糙度和颗粒度指标值呈周期性增减变化;在电流密度为10 mA/cm2的阳极腐蚀参数下,将单晶硅片腐蚀1875秒制备的多孔硅样品的粗糙度和颗粒度值相对较大,原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)检测结果表明其硅柱最大高度、颗粒最大直径和平均直径分别达到470 nm、1693.590 nm、489.954 nm。
李进庞骏敏高忙忙梁森王晓芳薛子文
关键词:石墨电极多孔硅
拉锭速度对铸造准单晶硅固液界面、氧含量及V/Gn值的影响
2015年
太阳能级铸造准单晶硅具有较高的光电转换效率和低的生产成本,是一种具有竞争力的晶硅类太阳能电池材料。本文采用CGSim晶体生长软件,系统分析了拉锭速度对固液界面,晶体氧含量和V/Gn值的影响。结果表明,一方面,随着拉锭速度的增大,固液界面曲率逐渐加大,增加了铸锭边缘区域多晶的形成几率;另一方面,熔体温度逐渐降低,导致晶体氧含量会逐渐减少;同时,拉锭速度大于10 mm/h时,固液界面处V/Gn值均大于临界值。最终,最佳的铸造准单晶硅拉锭速度为10~15 mm/h。
李进薛子文高忙忙董法运梁森李海波
关键词:固液界面氧含量
提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法
一种提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法,该方法应用于直拉法制造单晶硅的生产工艺中,该提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法包括如下步骤:将直拉法制造单晶硅的生产工艺中的石英坩埚的尺寸设置为≥800mm...
李进高忙忙薛子文李海波李国龙梁森张洪岩何力军
文献传递
制备直径为400mm以上的单晶硅的方法
一种制备直径为400mm以上的单晶硅的方法,该方法采用通过直拉法制造单晶硅,该方法包括如下步骤:装料和熔化;引晶;缩颈;放肩;等径生长:石英坩埚和晶体相互反方向旋转,根据熔体和单晶炉的状况,控制晶体等径生产所需长度,其中...
高忙忙李进张洪岩梁森李海波李国龙薛子文何力军
文献传递
氩气流速对400mm大直径磁场直拉单晶硅固液界面、热应力及氧含量的影响被引量:13
2014年
大直径化是太阳能光伏用单晶硅发展的趋势之一。由于炉体结构的增大,炉内气体流场的变化对晶硅生长过程产生了一定的影响。本文采用CGSim晶体生长软件,系统分析了氩气进口流速对固液界面,热应力和晶体氧含量的影响。结果表明,随氩气流速的增加,固液界面高度逐渐下降,当氩气流速为中等范围时,固液界面波动最低,有利于提高拉晶过程的稳定性;另一方面,三相交界处热应力最大值随氩气流速的增加而降低,固液界面热应力波动幅度随氩气流速的增加而增加,综合两方面考虑,确定采用中等氩气流速(0.9—1.5m·s-1)工艺可有效避免断晶等缺陷的发生。同时,在中等氩气流速范围内,晶体中心处的氧含量下降至6.55×10^17m/cm3(氩气流速为1.5m·s-1时),与低氩气流速时相比,氧含量降低了18%。
李进张洪岩高忙忙周锐薛子文梁森李国龙李海波何力军
关键词:单晶硅固液界面氧含量
感应加热制备太阳能级铸造准单晶硅生长机理研究
太阳能是一种重要的绿色可再生能源,并且在二十一世纪前半期成为最重要的基础能源之一。目前为止,在光伏发电中晶硅类太阳能电池占整个光伏市场的90%以上,在晶硅类材料中,传统直拉单晶硅材料中杂质和缺陷的含量低且其太阳能电池转换...
薛子文
关键词:固液界面
文献传递
共1页<1>
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