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梁森

作品数:64 被引量:52H指数:4
供职机构:宁夏大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金宁夏回族自治区自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:化学工程理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 40篇专利
  • 21篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇化学工程
  • 8篇理学
  • 7篇一般工业技术
  • 4篇电气工程
  • 3篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇电阻
  • 9篇陶瓷
  • 8篇单晶
  • 8篇单晶硅
  • 7篇纳米
  • 7篇负温度系数
  • 6篇热敏电阻
  • 5篇石墨
  • 5篇温度系数
  • 5篇固液
  • 5篇固液界面
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇氧含量
  • 4篇生坯
  • 4篇收率
  • 4篇陶瓷材料
  • 4篇陶瓷粉
  • 4篇陶瓷粉料
  • 4篇离子

机构

  • 45篇宁夏大学
  • 20篇西安交通大学
  • 4篇北方民族大学
  • 2篇北京工业大学
  • 1篇广西大学
  • 1篇浙江工业大学
  • 1篇银川隆基硅材...

作者

  • 64篇梁森
  • 33篇高忙忙
  • 27篇李海波
  • 21篇李进
  • 18篇杨建锋
  • 17篇何力军
  • 13篇李国龙
  • 12篇柯高潮
  • 11篇罗民
  • 10篇杨武
  • 8篇王波
  • 7篇乔冠军
  • 7篇薛子文
  • 5篇白宇
  • 5篇高积强
  • 5篇张笑
  • 4篇伊小红
  • 4篇罗明
  • 4篇张洪岩
  • 3篇袁海雯

传媒

  • 7篇硅酸盐通报
  • 5篇人工晶体学报
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇物理学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇河南科技
  • 1篇功能材料
  • 1篇稀有金属
  • 1篇广东化工
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇Transa...

年份

  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 4篇2020
  • 5篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 7篇2016
  • 8篇2015
  • 5篇2014
  • 9篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2005
64 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
利用梯度保温提高合金法提纯多晶硅收率的方法
利用梯度保温提高合金法提纯多晶硅收率的方法包括:将铝硅原料按照Al‑50wt%Si进行配比作为提纯原料;通入氩气和氢气的混合气体,氩气与氢气的体积比为100:4;按照7℃/min的速度提高反应炉的温度,直至反应炉中的温度...
高忙忙高昂强璐赵旭祁雪燕梁森李海波
文献传递
具有电阻突变性的复合高分子薄膜材料的制备方法
本发明公开了一种具有电阻突变性的复合高分子薄膜材料的制备方法,首先按质量份数,在100份的蒸馏水中加入5~15份的聚乙烯醇,搅拌使聚乙烯醇充分溶解得PVA溶液;然后称取聚乙烯醇质量的20~60%的硝酸银,用少许蒸馏水使其...
杨建锋梁森柯高潮胡志英张笑王波乔冠军
一种应用于高温下的NTC材料及其制备方法
一种应用于高温下的NTC材料及其制备方法,其原料组分为:2~10wt.%La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、5wt.%~20wt.%ZrO<Sub>2</Sub>、其余为Ni<Sub>0.6</Sub...
杨建锋伊小红梁森王波杨武柯高潮史忠旗
文献传递
加热器/坩埚相对位置对ф200mm单晶硅生长过程中温度场和晶体质量的影响被引量:3
2016年
采用CGSim晶体生长软件,对现有工业单晶炉中的加热器位置进行优化并分析了其对热场、固液界面、晶体中温度梯度和氧含量的影响。结果表明,随加热器的上移,功率消耗略有降低,熔体内的温度梯度逐渐下降,在高埚位的生长条件下可以适当提升拉晶速率;同时,固液界面也趋于平坦,晶体中的温度梯度有所减少,从而可以有效地抑制缺陷的形成。另外,晶体中的氧含量也有一定程度的下降。可以得出,在晶体等径生长初期,提高加热器的位置是降低晶体生长成本和提升晶体品质的途径之一。
高忙忙朱博李进景华玉董法运梁森李海波
关键词:单晶硅温度梯度固液界面氧含量
一种分级结构金属基复合材料的制备方法
本发明专利属于材料加工技术领域,具体涉及一种高强韧分级结构金属基复合材料的制备方法,具体步骤如下:(1)将基体合金粉末经过高能球磨,获得片状金属粉末;(2)将增强体与所得片状金属粉末在分散液中机械搅拌和超声分散混合,过滤...
李普博曹博高忙忙杨珮珮李海波梁森李进何力军
文献传递
水基冷冻干燥工艺制备莫来石结合多孔SiC陶瓷被引量:2
2015年
以微米级SiC和纳米级α-Al_2O_3为原料,经水基冷冻干燥及原位反应烧结工艺制备莫来石结合多孔SiC陶瓷。XRD分析表明多孔陶瓷主相是α-SiC,结合相是莫来石。多孔陶瓷的孔径分布呈现双峰分布特点,大孔孔径峰值介于3~20μm,小孔孔径峰值为0.5~1μm。体系中SiC固相含量及烧结温度对多孔陶瓷显微结构及性能有显著影响。当SiC固相含量由20vol%增至30vol%时,多孔陶瓷的孔结构由间距为20~30μm、且定向排列的层状结构演变为孔径约为4μm的定向通孔结构。当烧结温度由1200℃升至1500℃时,多孔SiC陶瓷开气孔率由66%下降至64%,抗压缩强度由4.5 MPa升至16 MPa。
梁森徐照芸罗民高忙忙梁斌
关键词:冷冻干燥法莫来石结合
电容去离子装置壳体和电容去离子装置及方法
一种电容去离子装置壳体,其特征在于,包括上固定壳和下固定壳;上固定壳包含矩形的上壁和4个上壳侧壁,上壁上开设有进水孔和出水孔,4个上壳侧壁与上壁共同形成一面开口的梯形壳体,各个上壳侧壁上均设置有上螺栓孔;下固定壳包含矩形...
李海波梁森马玉龙牛芮
纳米NTC热敏材料的制备方法
本发明公布一种制备纳米热敏材料的新方法,首要采用溶胶凝胶方法制备粒径约为50nm镍锰尖晶石粉体,纳米粉体采用压片加等静压方式初步得到生坯,生坯放入超快速烧结炉中在1000~1040℃中烧结0~60s,然后放入空气炉中85...
梁森崔苗苗张笑袁羽李海波高忙忙
制备直径为400mm以上的单晶硅的方法
一种制备直径为400mm以上的单晶硅的方法,该方法采用通过直拉法制造单晶硅,该方法包括如下步骤:装料和熔化;引晶;缩颈;放肩;等径生长:石英坩埚和晶体相互反方向旋转,根据熔体和单晶炉的状况,控制晶体等径生产所需长度,其中...
高忙忙李进张洪岩梁森李海波李国龙薛子文何力军
文献传递
线性温度传感器及制备方法
本发明公开了一种线性温度传感器及制备方法,其特征在于,将烧结后的NiO-MnO<Sub>2</Sub>-MgO-Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>为基的负温度系数的热敏材料,采用超音速等离子喷涂(SA...
杨建锋韩志海梁森王波杨武柯高潮白宇
共7页<1234567>
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