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夏小军

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 10篇半导体
  • 8篇功率器件
  • 8篇半导体功率器...
  • 6篇晶体管
  • 5篇载流子
  • 5篇双极型
  • 5篇双极型晶体管
  • 5篇功率半导体
  • 5篇功率半导体器...
  • 5篇半导体器件
  • 4篇电路
  • 4篇绝缘栅
  • 4篇绝缘栅双极型...
  • 4篇集成电路
  • 4篇功率集成
  • 4篇功率集成电路
  • 3篇载流子分布
  • 2篇电导
  • 2篇电极
  • 2篇电极结构

机构

  • 11篇电子科技大学

作者

  • 11篇夏小军
  • 11篇李泽宏
  • 9篇张波
  • 9篇任敏
  • 9篇张金平
  • 4篇张蒙
  • 4篇李长安
  • 4篇李巍
  • 3篇赵起越
  • 2篇肖璇
  • 2篇张灵霞
  • 2篇张硕
  • 2篇安俊杰
  • 2篇张超
  • 2篇杨文韬
  • 2篇王娜
  • 1篇宋询奕
  • 1篇李果
  • 1篇张鹏
  • 1篇单亚东

年份

  • 1篇2013
  • 9篇2012
  • 1篇2011
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有终端深能级杂质层的IGBT
一种具有终端深能级杂质层的IGBT，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统Planar FS-IGBT基础上，在终端漂移区（14）注入一层深能级杂质层（15）。所述的深能级杂质层（15），随着器件温度升高，深能级杂质电...
李泽宏李巍夏小军赵起越张金平任敏张波
一种平面栅电荷存储型IGBT
一种平面栅电荷存储型IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统平面栅电荷存储型IGBT的基础上，在N型漂移区和N型电荷存储层之间引入一层P型埋层；通过P型埋层引入的附加PN结和电荷的电场调制作用，屏蔽了高掺杂N型...
张金平夏小军王娜李长安张蒙李泽宏任敏张波
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一种超结功率器件终端结构
一种超结功率器件的终端结构，属于半导体功率器件技术领域。包括器件元胞和器件终端；器件元胞漂移区由交替相间的P柱区和N柱区构成超结结构；器件终端包括过渡终端区和耐压终端区；所述过渡终端区处于器件元胞和耐压终端区之间；过渡终...
任敏李果宋询奕张鹏王娜邓光敏夏小军张蒙李泽宏张金平张波
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具有埋岛结构的绝缘栅双极型晶体管
具有埋岛结构的绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域。本发明是在传统IGBT器件结构的基础上，在器件MOS结构表面下分别引入P型埋岛和N型载流子存储层结构。在正向阻断时，P型埋岛所引入的电荷及附加电场可以削弱MO...
张金平杨文韬李巍夏小军张灵霞李泽宏任敏张波
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一种具有高温自保护功能的IGBT器件
一种具有高温自保护功能的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明是在传统IGBT器件的P型基区（5）中靠近多晶硅栅电极（9）的沟道区（A）中引入带有受主能级的深能级杂质（12），这些深能级杂质（12）在常温下电离...
李泽宏赵起越夏小军任敏张金平张波
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一种沟槽栅电荷存储型IGBT
一种沟槽栅电荷存储型IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统的沟槽栅电荷存储型IGBT的基础上，在器件N型漂移区的上部引入一层P型埋层，通过P型埋层引入的附加PN结和电荷的电场调制作用，屏蔽了高掺杂N型电荷存储...
张金平夏小军李长安张蒙安俊杰李泽宏任敏张波
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一种深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管
一种深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规电场阻止平面型绝缘栅双极型晶体管结构中引入由P型浮空层、深槽二氧化硅氧化层和深槽体电极构成的深槽体电极结构，实现一个额外电场的引入，帮助...
李泽宏张超夏小军张硕肖璇
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一种FS-IGBT器件的制备方法
一种FS-IGBT器件的制备方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明使用衬底上进行N型杂质注入形成场截止层，然后生长外延层，制作正面图形，然后背部减薄，背部P型集电区注入并退火，背部金属化的方法来制作场截止型晶体管，可以...
李泽宏杨文韬单亚东夏小军李长安张蒙张金平任敏张波
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一种载流子存储的沟槽双极型晶体管
一种载流子存储的沟槽双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统CSTBT基础上，在P-base区域6沟道末端用一层薄N+层结构21来取代牺牲的少量P-base区域，从而进一步提高载流子储存层与漂移区的电子浓度...
李泽宏李巍赵起越夏小军李长安张金平任敏张波
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一种深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管
一种深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规电场阻止平面型绝缘栅双极型晶体管结构中引入由P型浮空层、深槽二氧化硅氧化层和深槽体电极构成的深槽体电极结构，实现一个额外电场的引入，帮助...
李泽宏张超夏小军张硕肖璇
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