周蓉
- 作品数：9 被引量：34H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：四川省应用基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程语言文字更多>>
- 双极RF功率管的深阱结终端被引量：2
- 2003年
- 给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,深阱结终端结构器件 DCT2 6 0的BVCBO为理想值的 94 % ,比传统终端结构器件高 14 % ;与传统结构相比 ,在不减小散热面积的情况下 ,该结构还减小集电结面积和漏电流 ,器件的截止频率提高 33% ,功率增益提高 1d
- 周蓉胡思福李肇基张庆中
- 关键词：击穿电压
- 半导体桥(SCB)的研究被引量：26
- 1998年
- 目前常用的点火器Ｎｉ－Ｃｒ金属桥丝（热桥丝）体积较大，点火能量高（几十毫焦），作用时间长（几毫秒），且易误触发．本文中采用半导体器件和集成电路技术研制的新一代点火器——半导体桥（ＳＣＢ）体积小（为热桥丝三十分之一），结构上兼有Ｓｉ桥区倒圆点和Ｔｉ、Ａｌ金属导体倒圆点两大特点，其点火临界能量可降低到３～５ｍＪ，作用时间可缩短到５μｓ，从而能快速产生热等离子体来引爆猛炸药．同时，ＳＣＢ还具有较高的可靠性和安全性，其安全电流大于１．５Ａ．本文分析了ＳＣＢ工作原理，并研究了ＳＣＢ的结构对临界能量、点火作用时间、可靠性和安全电流的影响。
- 周蓉岳素格秦卉芊张玉才胡思福
- 关键词：半导体桥点火器半导体技术
- 硅双极功率晶体管镇流技术的改进
- 1999年
- 从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析，并提出了改进措施。结果表明，采用改进的复合镇流技术，不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象，提高了器件的可靠性和工作寿命，而且有助于提高器件的功率增益。
- 周蓉胡思福张庆中
- 关键词：硅化物氮化钛镇流电阻双极晶体管功率晶体管
- 双极高频、微波功率器件的研究
- 该文在分析双极高频、微波功率器件的工作特点的基础上,提出了有利于提高器件性能的新结构和新材料,详细分析了其特点和功能,完成了相关的实验工作,验得了重要的理论数据和实验数据.主要工作包括以下几个方面：针对频率与功率、功耗的...
- 周蓉
- 关键词：热敏电阻功率增益
- 双极功率器件中的深槽隔离
- 本文将深槽隔离应用于双极功率器件,模拟分析与实验结果表明,深槽隔离终端结构能将器件雪击穿电压提高到理想值的95%以上,在不减小本征散热面积的情况下,该结构减小了集电结面积和漏电流器件截止频率和功率增益分别增加33%和1d...
- 周蓉胡思福李肇基张庆中
- 关键词：结终端击穿电压电场强度
- 文献传递
- 提高雪崩击穿电压新技术──深阱终端结构被引量：1
- 1999年
- 研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理，模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明，带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的９０％。同时，深阱终端结构在不减小散热面积的情况下，还大大减小了结面积，减小了漏电流，有助于改善器件的频率特性，提高器件的稳定性。
- 周蓉胡思福张庆中
- 关键词：介质场板
- 一种提高硅双极器件频率和功率的新技术
- 2000年
- 提出了一种能同时提高硅双极器件频率和功率的新技术——具有深阱终端结构的新型梳状深阱结构技术。采用 MEDICI模拟分析表明 ,该技术可将双极器件的击穿电压 BVCB0 提高到平行平面结的 90 %以上 ;可减小寄生效应和漏电流 ,有助于提高小电流β0 ;可适当地增加集电区掺杂浓度 ,减小 τd,同时提高 ICM和 Po。采用该技术后 ,有效集电结的面积约为无阱器件的 50 % ,结电容较小 ,截止频率可提高一倍以上。该技术大大缓解了频率和功率的矛盾 。
- 周蓉胡思福张庆中
- 关键词：功率
- An Experiment on Integrated Approach to College English Writing Instruction
- 论文旨在探索评价综合教学法(theIntegratedApproach)在大学英语写作教学中的有效性。写作是四项基本语言技能之一，也是英语教学中的重要环节。我国英语教师主要采用三种教学方法，即成果教学法、过程教学法和写长...
- 周蓉
- 关键词：大学英语写作教学综合教学法
- 文献传递
- 一种新的梳状基区RF功率晶体管被引量：1
- 2001年
- 给出一种新的 RF功率器件结构 -梳状基区结构 .在不增加本征集电结面积的情况下 ,该结构能显著改善 RF功率晶体管散热特性 ,增大器件的耗散功率和输出功率 ,较好地缓解了传统结构中高工作频率与大输出功率之间的矛盾 .模拟分析表明 ,采用该结构 ,器件的雪崩击穿电压能提高到理想平行平面结的 90 %以上 ,器件的大电流特性和频率特性也有所改进 .采用该技术制作的试验样管 DCT375同传统结构器件相比 ,其热电特性得到显著的改善 .这种结构为新型超高频、微波大功率管的研制开辟了新途径 .
- 周蓉张庆中胡思福
- 关键词：散热雪崩击穿RF功率晶体管
