胡思福
- 作品数：27 被引量：37H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程动力工程及工程热物理一般工业技术更多>>
- 太阳能电池硅片表面掺硫方法
- 本发明为太阳能电池硅片表面掺硫方法，解决现有方法制备的太阳能电池载流子寿命低以及近红外波段的光电转化效率低的问题。包括如下步骤：用碱性溶液或反应离子刻蚀法在硅片表面制备对太阳光具有减反射功能的晶体黑硅的微结构，简称黑硅,...
- 李晓红温才胡思福唐金龙杨永佳李同彩刘德雄邱荣
- 文献传递
- 双面黑晶硅高效太阳能电池
- 本发明为双面黑晶硅高效太阳能电池，解决巳有太阳能电池生产效率低，不适于大面积生产，光电转换效率低的问题。从上表面至下表面包括：双层减反射薄膜（4）、正面第一负电极（5）、吸收陷光层（3）、掺磷n型层（2）、P型硅基衬底的...
- 刘德雄胡思福李晓红温才唐金龙李同彩杨永佳邱荣周自刚
- 文献传递
- 一种具有厚度梯度可变的氮化硅薄膜的制作方法
- 一种具有厚度梯度可变的氮化硅薄膜的制作方法,属于半导体技术领域的薄膜制备领域。所述具有厚度梯度的氮化硅薄膜为中间薄、边缘厚的凹形结构，其厚度从中间区域向边缘区域逐渐增加。本发明提供的一种具有厚度梯度的氮化硅薄膜的制备方法...
- 钟志亲胡思福李同彩周梨戴丽萍胡加杰菲利克斯·胡许龙来王姝娅张国俊
- 文献传递
- 一种微米级S‑Si半导体合金膜及其制备方法
- 本发明公开了一种微米级S‑Si半导体合金膜，所述合金膜是由基片、S膜和Si膜组成的多晶结构；所述合金膜的薄层电阻为10～50Ω/口，在1.1～2.5μm近红外波段中，反射率为7～15%；该合金膜的制备方法包括镀膜、合金化...
- 郭宝刚胡思福李同彩杨永佳刘德雄蒋鑫李晓红温才唐金龙李同洪刘桂枝
- 文献传递
- 半导体桥(SCB)的研究被引量：26
- 1998年
- 目前常用的点火器Ｎｉ－Ｃｒ金属桥丝（热桥丝）体积较大，点火能量高（几十毫焦），作用时间长（几毫秒），且易误触发．本文中采用半导体器件和集成电路技术研制的新一代点火器——半导体桥（ＳＣＢ）体积小（为热桥丝三十分之一），结构上兼有Ｓｉ桥区倒圆点和Ｔｉ、Ａｌ金属导体倒圆点两大特点，其点火临界能量可降低到３～５ｍＪ，作用时间可缩短到５μｓ，从而能快速产生热等离子体来引爆猛炸药．同时，ＳＣＢ还具有较高的可靠性和安全性，其安全电流大于１．５Ａ．本文分析了ＳＣＢ工作原理，并研究了ＳＣＢ的结构对临界能量、点火作用时间、可靠性和安全电流的影响。
- 周蓉岳素格秦卉芊张玉才胡思福
- 关键词：半导体桥点火器半导体技术
- 一种提高硅双极器件频率和功率的新技术
- 2000年
- 提出了一种能同时提高硅双极器件频率和功率的新技术——具有深阱终端结构的新型梳状深阱结构技术。采用 MEDICI模拟分析表明 ,该技术可将双极器件的击穿电压 BVCB0 提高到平行平面结的 90 %以上 ;可减小寄生效应和漏电流 ,有助于提高小电流β0 ;可适当地增加集电区掺杂浓度 ,减小 τd,同时提高 ICM和 Po。采用该技术后 ,有效集电结的面积约为无阱器件的 50 % ,结电容较小 ,截止频率可提高一倍以上。该技术大大缓解了频率和功率的矛盾 。
- 周蓉胡思福张庆中
- 关键词：功率
- 太阳能电池单晶硅片绒面的制备方法
- 本发明为太阳能电池单晶硅片绒面的制备方法，解决巳有酸碱结合的单晶硅片绒面制备方法制备的单晶硅片表面反射率低的问题。清洗单晶硅片后，将其放入第一碱性溶液中，在[100]晶向的单晶硅片正面表面上形成第一层绒面，用酸性溶液清洗...
- 李同彩胡思福温才唐金龙李晓红刘德雄张军
- 文献传递
- 太阳能电池单晶硅片绒面的制备方法
- 本发明为太阳能电池单晶硅片绒面的制备方法，解决巳有酸碱结合的单晶硅片绒面制备方法制备的单晶硅片表面反射率低的问题。清洗单晶硅片后，将其放入第一碱性溶液中，在[100]晶向的单晶硅片正面表面上形成第一层绒面，用酸性溶液清洗...
- 李同彩胡思福温才唐金龙李晓红刘德雄张军
- 文献传递
- Al/a-Si:H肖特基势垒效应
- 1989年
- 利用辉光放电分解SiH_4的方法制备了三种不同的Al/a-Si:H肖特基势垒结构样品,并测试了它们的I-V和C-V特性.从I-V曲线得到开启电压为0.32V,双肖特基结构的高频C-V特性显示出在高偏压下异常.
- 惠恒荣胡思福高正新马元良何兴福
- 关键词：AIA-SI:H肖特基势垒二极管
- 全文增补中
- 深阱RF功率双极晶体管雪崩击穿特性的模拟分析被引量：2
- 1999年
- 本文提出一种能有效提高 Ｒ Ｆ 功率晶体管雪崩击穿电压和频率特性的晶体管结构深阱 Ｒ Ｆ 功率双极晶体管，并且采用 Ｍ Ｅ Ｄ Ｉ Ｃ Ｉ分析软件研究了影响器件特性的一些因素：深阱阱壁的宽度与深度、阱壁填充介质、界面电荷以及场板．采用这种技术的功率晶体管（ Ｖ Ｈ Ｆ，线性输出功率 １５ Ｗ ）的结构参数为 Ｎ Ｃ＝ ７０×１０１５ ｃｍ － ３ Ｎ 型外延层，集电结结深 Ｘ Ｊ Ｃ＝ ０３μｍ ，未掺杂多晶硅填充深槽．典型的器件雪崩击穿电压为 Ｂ Ｖ Ｃ Ｂ Ｏ＝ ７２ Ｖ，截止频率 １６ Ｇ Ｈｚ；并且该晶体管具有较小的漏电流（～２０μ Ａ）．这初步显示了深阱结构在 Ｒ Ｆ
- 张玉才胡思福
- 关键词：双极晶体管雪崩击穿
