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一种超掺杂硅薄膜HJT电池及其制备方法: 本发明提供了一种超掺杂硅薄膜HJT电池及其制备方法，其中，所述制备方法包括：对晶体硅衬底进行湿法清洗制绒；在晶体硅衬底两侧表面沉积形成本征非晶硅薄膜；在本征非晶硅薄膜远离晶体硅衬底的两侧的表面分别沉积形成P型与N型非晶硅...; 温才杨洪旺刘德雄戴祺又

InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响(英文): 2014年; 系统研究了在调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结中嵌入InAs量子点后对二维电子气输运特性的影响。使用分子束外延设备生长了量子点层与二维电子气沟道距离(Tch)不同的3个样品,霍尔测试结果表明,二维电子气的电子迁移率和载流子浓度都随Tch的减小而降低。基于几何相位分析算法对部分样品的高分辨透射电镜图像进行了处理,得到了其应变分布图。结果表明,应变主要分布在量子点的周围,并延伸到了量子点的上方。该不均匀的应力场可能是除库伦散射外影响电子迁移率降低的另一个重要因素。; 田海涛王禄温才石震武孙庆灵高怀举王文新陈弘; 关键词：量子点二维电子气应力分子束外延

AlSb/GaAs(001)界面失配位错核心原子结构与应变分布: 本文对不同离焦条件普通200 kV LaB6灯丝电镜(点分辨本领0.194 nm)A1Sb/GaAs(001)界面(样品厚度为0.4 nm)高分辨模拟像，进行解卷处理和几何相位分析，研究界面失配位错核心原子结构与其应变分...; 温才刘虹贺小庆段晓峰陈弘; 关键词：闪锌矿结构应力应变; 文献传递

真空蒸镀氟化镁增透膜的厚度与均匀性控制被引量：1: 2012年; 基于光学增透膜与真空蒸发镀膜的基本原理,从MgF2原料状态、原料蒸镀质量、蒸发源与基片间距等方面,研究了热电阻和电子束蒸镀的MgF2薄膜厚度与其均匀性的控制工艺,以制备出高效的MgF2增透膜。结果表明:对于颗粒度较小或熔点较低的原料,热电阻比电子束蒸镀更易控制,并可避免原料污染;原料实际蒸镀质量与膜厚呈较好的线性关系;实际蒸镀质量相同的多晶颗粒与粉末状原料相比,前者蒸镀膜更厚;基片置于旋转工转盘中心比其侧部区域蒸镀膜更厚、均匀性更好。最后利用旋转球面夹具的小平面源蒸发模型很好地解释了上述实验结果。; 温才令勇洲李文俊刘虹寇采懿蒋耀唐金龙; 关键词：真空蒸镀厚度均匀性

电子束蒸镀纳米TiO_2薄膜结构、相组成及亲水性研究被引量：2: 2015年; 利用电子束蒸镀技术在石英玻璃和单晶Si〈100〉上制备了纳米TiO2 薄膜,研究了衬底温度和退火温度对其结构、相组成和亲水性能的影响.结果表明,衬底温度为40-240℃时,石英玻璃上制备的薄膜为无定型TiO2,单晶Si〈100〉上制备的薄膜为弱结晶性的金红石TiO2,两类薄膜的亲水性均很差.退火温度显著影响薄膜的相组成及亲水性能.石英玻璃上不同衬底温度制备的TiO2 薄膜经550,650 ℃退火后均转变为锐钛矿TiO2,具有很好的亲水性能. 单晶Si〈100〉上不同衬底温度制备的TiO2 薄膜经550-950℃退火后,均由金红石和锐钛矿TiO2 混晶组成,且随退火温度升高,薄膜中锐钛矿TiO2 含量逐渐增加;随退火温度升高,衬底温度为40℃时制备的TiO2薄膜的亲水性能逐渐降低,而衬底温度为240 ℃时制备的TiO2 薄膜的亲水性能逐渐增强.; 李同彩郭宝刚李同洪温才陈伟; 关键词：TIO2 相组成亲水性

鳞片石墨径厚比及掺量对导电混凝土性能的影响: 为了降低导电混凝土中石墨导电相的掺量,以提高其抗压强度,降低电阻率,提高电热升温速度,将迭层状鳞片石墨剥制成径厚比大的超薄片石墨作为导电混凝土的导电相,重点探索了超薄片石墨的加工方法、掺量、导电混凝土试件结构与其抗压强度...; 冯启明董发勤温才; 关键词：导电混凝土抗压强度电阻率; 文献传递

太阳能电池硅片表面掺硫方法: 本发明为太阳能电池硅片表面掺硫方法，解决现有方法制备的太阳能电池载流子寿命低以及近红外波段的光电转化效率低的问题。包括如下步骤：用碱性溶液或反应离子刻蚀法在硅片表面制备对太阳光具有减反射功能的晶体黑硅的微结构，简称黑硅,...; 李晓红温才胡思福唐金龙杨永佳李同彩刘德雄邱荣; 文献传递

双面黑晶硅高效太阳能电池: 本发明为双面黑晶硅高效太阳能电池，解决巳有太阳能电池生产效率低，不适于大面积生产，光电转换效率低的问题。从上表面至下表面包括：双层减反射薄膜（4）、正面第一负电极（5）、吸收陷光层（3）、掺磷n型层（2）、P型硅基衬底的...; 刘德雄胡思福李晓红温才唐金龙李同彩杨永佳邱荣周自刚; 文献传递

太阳能电池单晶硅片绒面的制备方法: 本发明为太阳能电池单晶硅片绒面的制备方法，解决巳有酸碱结合的单晶硅片绒面制备方法制备的单晶硅片表面反射率低的问题。清洗单晶硅片后，将其放入第一碱性溶液中，在[100]晶向的单晶硅片正面表面上形成第一层绒面，用酸性溶液清洗...; 李同彩胡思福温才唐金龙李晓红刘德雄张军; 文献传递

ZAO导电膜的制备与性能分析被引量：2: 2011年; 采用ZnO、Al2O3(2.5%(质量分数))靶材,真空腔温度保持在40℃左右,运用电子束蒸发法制得系列的ZnO∶Al(ZAO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、光学显微镜、紫外-可见近红外光谱仪、四探针测试仪等仪器对薄膜进行了测定。薄膜呈c轴择优取向的六角纤锌矿结构;具有致密平滑的表面形貌;最佳工艺下样品在702nm波长处透过率达90%;最低电阻率为1.7×10-3Ω.cm。; 刘德雄唐金龙温才胡思福; 关键词：ZAO薄膜电子束蒸发 X射线衍射透射率电阻率

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