吕宇强
- 作品数：21 被引量：39H指数：3
- 供职机构：天津大学更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 热红外探测器的最新进展被引量：19
- 2006年
- 对基于热敏电阻的微测辐射热计和基于热释电效应的热释电红外探测器在探测元材料、焦平面阵列(FPA)结构和读出电路(ROIC)3个方面进行了分析对比,讨论了这两种非制冷探测器热电材料的选取原则,FPA单元的热绝缘构造和读出电路的组成方式,并介绍了它们的最新进展和发展方向。
- 吕宇强胡明吴淼张之圣刘志刚
- 关键词：红外探测器微测辐射热计热释电焦平面阵列热绝缘
- MEMS技术在非制冷热红外探测器中的应用被引量：1
- 2007年
- 微机电系统(MEMS)技术是以实现机电一体化为目标的一项新兴技术,它在红外器件制作中的引入为非制冷红外探测器的实用化开辟了新的途径。目前,应用MEMS技术制作的主要有微测辐射热计微桥结构和微悬臂红外探测器双层悬臂结构2种。对它们各自的工作原理、组成结构、MEMS工艺实现以及发展方向作了较为详细的阐述。
- 胡明吕宇强颜海洋吴淼
- 关键词：微机电系统红外探测器微悬臂
- 对向靶反应磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法
- 本发明涉及一种对向靶反应磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法，属于薄膜制备技术。包括①玻璃和硅基片表面清洗。②若采用硅为基片，先在硅片表面用PECVD方法沉积一层氧化硅薄膜。③采用了具有靶材利用率高、溅射薄膜均匀的对向靶反应磁控...
- 胡明吴淼张之圣刘志刚吕宇强
- 文献传递
- 先驱体法合成PZT-PMN系统压电陶瓷性能研究
- 本论文将先驱体法引入三元系复合钙钛矿PZT-PMN压电陶瓷系统的制备中。对该系统压电介电性能与烧成制度、配比和Nb5+掺杂的关系进行了研究。
首先,在相对较低的1350℃通过两次合成的方法制备了B位先...
- 吕宇强
- 关键词：先驱体共沉淀
- 文献传递
- 绝热性能的多孔硅基氧化钒薄膜及制备方法
- 本发明公开了一种绝热性能良好的多孔硅基氧化钒薄膜及制备方法，属于氧化钒薄膜热敏电阻技术。所述的多孔硅基氧化钒薄膜，包括单晶硅基层、多孔硅层、二氧化硅层和氧化钒薄膜层。制备过程包括：将单晶硅片依次在浓硫酸、去离子水、丙酮、...
- 胡明梁继然吕宇强张之圣刘志刚
- 文献传递
- 对靶磁控溅射制备VO_x薄膜及其退火研究被引量：2
- 2007年
- 利用对靶磁控溅射法在玻璃基片上制备VOx薄膜,采用正交实验方法研究了镀膜条件对VOx薄膜电阻温度系数(TCR)的影响,得到优化的镀膜工艺参数,主要包括Ar∶O2为48∶0.4、工作压力恒定为2 Pa、基底的温度为室温27℃、溅射功率保持在180W,在此基础上,进行不同温度条件的真空退火,得到薄膜TCR在-2.5%^-4.5%范围。利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱法(XPS)分析了退火对提高薄膜TCR的作用,并找出VOx薄膜阻值与TCR的优化组合。同时,还观察到薄膜表面形貌的变化以及退火后薄膜中VO2,V2O3,V2O5的比例变化情况,并对其机理进行解释。
- 韩雷胡明吕宇强梁继然刘志刚
- 关键词：氧化钒磁控溅射退火电阻温度系数
- 退火条件对氧化钒薄膜微观结构的影响被引量：3
- 2006年
- 采用直流对向靶磁控溅射的方法在S iO2/S i衬底上制备了具有(001)择优取向的V2O5薄膜,利用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜和四探针测试方法对退火前后薄膜的表面形貌、物相组分和电阻温度系数进行了测量.结果表明:200℃衬底温度下溅射得到的薄膜为多晶V2O5,膜表面颗粒呈细长针状,经700℃、1 h退火后,薄膜中VO2相成分增多,颗粒变为长方形柱状;退火后薄膜的电阻温度系数达到-3.200//K,与薄膜的微结构和物相组分有很大关系;3 h退火后,得到高纯度的V2O5薄膜.
- 梁继然胡明吕宇强韩雷刘志刚
- 关键词：氧化钒薄膜微观结构直流磁控溅射
- 非制冷红外探测器用高TCR氧化钒薄膜制备研究
- 主要介绍了红外探测器的分类、发展,及基于氧化钒薄膜的热探测器的优势;采用直流对靶磁控溅射法制备氧化钒薄膜,通过设计正交实验,获得了氧化钒薄膜的最佳制备参数,分析了各个制备参数对氧化钒薄膜成分以及 TCR 的影响,研究了硅...
- 胡明梁继然吴淼吕宇强韩雷刘志刚
- 关键词：氧化钒电阻温度系数红外探测器
- 文献传递
- 钛酸锆-铌酸镁系高频介质陶瓷的制备及介电性能的研究被引量：1
- 2003年
- 采用固相反应的方法制备粉料,合成了一种新型的(Zr1/2Ti1/2)1x(Nb2/3Mg1/3)xO2 (x=0.05～0.30)高频介质陶瓷。XRD分析确定粉料为单相,其晶相为ZrTiO4结构。瓷片在1 430～1 470℃之间烧结。讨论了收缩率与烧结温度的关系以及介电性能随烧结温度的变化,探讨了不同配比对材料电性能的影响,确定出最佳烧结温度为1 460℃。在1 MHz下测试了材料的介电常数及损耗。相对介电常数在26～34之间。配比为x=0.25的材料,品质因数可达到1×104。
- 吕宇强吴裕功
- 关键词：固溶体介电性能
- 红外微测辐射热计用纳米氧化钒薄膜的制备和性能研究被引量：2
- 2006年
- 具有优异热敏性能的氧化钒薄膜材料是红外测辐射热计的首选热敏电阻材料,合适的薄膜电阻及高温度电阻系数的氧化钒薄膜的制备是实现高探测率红外测辐射热计的保证．利用新型对靶反应磁控溅射工艺制备了具有纳米颗粒的氧化钒薄膜材料,确定了最佳工艺参数．对其组成、结构和性能进行了分析,原子力显微镜AFM形貌分析表明薄膜具有均匀致密的表面,X射线光电子能谱分析XPS确定了其组成成分主要为V_2O_5、VO_2和少量的V_2O_3．在常用作微测辐射热计结构层材料的氮化硅基底上,该薄膜材料在室温附近具有合适的薄膜电阻(大约为每方14 kΩ)以及高的温度电阻系数(-3．17%/℃),有望适用于非致冷红外测辐射热计探测器．
- 吕宇强胡明吴淼韩雷梁继然刘志刚
- 关键词：测辐射热计
