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刘志刚

作品数:72 被引量:187H指数:9
供职机构:天津大学更多>>
发文基金:天津市自然科学基金国家自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 41篇期刊文章
  • 17篇专利
  • 7篇学位论文
  • 4篇会议论文
  • 3篇科技成果

领域

  • 15篇理学
  • 14篇电子电信
  • 12篇一般工业技术
  • 7篇电气工程
  • 7篇自动化与计算...
  • 5篇机械工程
  • 2篇兵器科学与技...
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 17篇溅射
  • 13篇磁控
  • 13篇磁控溅射
  • 12篇电阻
  • 12篇氧化钒薄膜
  • 9篇电阻温度系数
  • 9篇纳米
  • 9篇感器
  • 9篇传感
  • 9篇传感器
  • 7篇电阻器
  • 5篇氧化钒
  • 5篇铁电
  • 5篇铁电薄膜
  • 5篇退火
  • 5篇气敏
  • 5篇溅射制备
  • 5篇磁控溅射制备
  • 4篇单晶
  • 4篇单晶硅

机构

  • 72篇天津大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇金策工业综合...

作者

  • 72篇刘志刚
  • 49篇胡明
  • 35篇张之圣
  • 14篇李海燕
  • 14篇梁继然
  • 11篇吕宇强
  • 10篇樊攀峰
  • 9篇吴淼
  • 8篇秦玉香
  • 7篇韩雷
  • 6篇王秀宇
  • 6篇王文生
  • 5篇尹英哲
  • 5篇冯有才
  • 5篇李晓云
  • 4篇邹强
  • 4篇王驰
  • 4篇李醒飞
  • 3篇姚家新
  • 3篇张国雄

传媒

  • 7篇压电与声光
  • 6篇天津大学学报
  • 5篇电子测量技术
  • 2篇硅酸盐通报
  • 2篇传感技术学报
  • 2篇电子元件与材...
  • 2篇传感器与微系...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇声学学报
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇功能材料
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇材料工程

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 7篇2009
  • 10篇2008
  • 10篇2007
  • 16篇2006
  • 5篇2005
  • 3篇2004
  • 4篇2003
  • 4篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1991
  • 1篇1987
72 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
地雷对地表声阻抗率的影响研究被引量:2
2008年
设计一种基于地震检波器的实验系统,分析地雷对地表声阻抗率的影响。用音响发射扫频的正弦声波穿透到地下土壤,用声级计和地震检波器分别测得地表声压级和振动速度。测试数据显示,没有地雷的地表声阻抗率与有地雷的比值在72,140Hz处出现2个极大值,用相长干涉原理和地雷与其上方土壤的谐振作用解释了这一现象。结果表明:地雷能在较宽频带内减小地面声阻抗率,所设计的实验系统可用于声波探雷的进一步研究。
王驰李醒飞付娟刘志刚梁光强
关键词:声阻抗率地雷探测地震检波器声压级
网络通信平台上实现ATM通信被引量:2
2006年
文中阐述在基于MPC8260的嵌入式网络通信平台上,通过MPC8260与PM5350的连接完成ATM通信。指出硬件设计中注意的问题,说明实现AAL5适配的过程。
郝长海丁朋林刘志刚
关键词:异步传输模式
对向靶磁控溅射制备三氧化钨薄膜气敏传感器的方法
本发明公开了一种对向靶磁控溅射制备三氧化钨薄膜气敏传感器的方法,属于气敏传感器技术。其制备过程包括:对单晶硅片依次在浓硫酸、去离子水、丙酮、乙醇中清洗;对Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基片依次在丙...
胡明冯有才尹英哲张之圣刘志刚
文献传递
三氧化钨薄膜气敏传感器的表面改性方法
本发明公开了一种三氧化钨薄膜气敏传感器的表面改性方法,属于气敏传感器技术。其制备过程包括:对Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基片进行清洗;在磁控溅射设备中,采用铂为靶材,在氩气为工作气体,在基片上溅...
胡明尹英哲冯有才陈鹏张伟张绪瑞刘志刚
文献传递
射频磁控溅射制备PZT铁电薄膜的工艺研究被引量:3
2005年
在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜。将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃。测试分析表明:薄膜厚度比较均匀、表面基本平整、没有裂纹和孔洞、致密性好、薄膜样品的矫顽场强(Ec)为28.6kV/cm,剩余极化强度(Pr)为18.7μC/cm2,自发极化强度(Ps)为37.5μC/cm2,是制备铁电薄膜存储器的优选材料。
毕振兴张之圣胡明樊攀峰刘志刚
关键词:射频磁控溅射钙钛矿相电滞回线PZT铁电薄膜溅射制备
LSMCD技术制备镧钛酸铅薄膜
2002年
详细介绍了采用 L SMCD技术制备了 PL T薄膜制备流程 ,并对薄膜的相结构做了分析。制备 PL T薄膜的最佳热处理工艺为预处理 3 0 0℃ ,保温 10分钟 ,然后退火至 60 0℃ ,保温
王玉东张之圣刘志刚
热红外探测器的最新进展被引量:19
2006年
对基于热敏电阻的微测辐射热计和基于热释电效应的热释电红外探测器在探测元材料、焦平面阵列(FPA)结构和读出电路(ROIC)3个方面进行了分析对比,讨论了这两种非制冷探测器热电材料的选取原则,FPA单元的热绝缘构造和读出电路的组成方式,并介绍了它们的最新进展和发展方向。
吕宇强胡明吴淼张之圣刘志刚
关键词:红外探测器微测辐射热计热释电焦平面阵列热绝缘
LSMCD技术制备PLT铁电薄膜的退火工艺研究
2004年
液态源雾化化学沉积 (L SMCD)技术自 1992年问世以来就引起了各国科学家的广泛关注。目前 ,已成功制备出了多种铁电薄膜。该文系统的分析了采用 L SMCD技术制备 PL T铁电薄膜在退火温度和退火方式的选择对其相结构的影响 ,在保证 Pb O不挥发的情况下 ,退火温度越高 ,薄膜的结晶越好 ;采用混合热处理 (RCA)制备的薄膜晶粒尺寸较大 ,形成了连续致密的薄膜 ,而快速热处理 (RTA)虽可以消除焦绿石相 。
于晓张之圣刘志刚
关键词:铁电薄膜锆钛酸铅
Al/SiO_2 周期迭层膜式微型偏光器中的Al膜层
1998年
对周期性Al/SiO2迭层膜式微型偏光器中的Al膜层进行了研究.高消光比的迭层膜式微型偏光器的性能主要决定于Al膜层的介电常数.从理论上分析了影响Al膜层介电常数的因素及Al膜层的介电常数偏离体金属Al相应值的原因.Al膜层溅射沉积条件实验研究结果表明,沉积速率。
胡明董向红刘志刚鲍振武
关键词:光纤铝膜介电常数
自动门控制系统被引量:4
2005年
文中介绍MC68HCllK4的性能特点和以它为核心的自动门控制系统的工作原理、硬件结构,着重阐述系统的软件设计,系统已完成调试。
刘志刚丁朋林郝长海赵淑珍
关键词:自动门控制系统硬件结构
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