梁继然
- 作品数：100 被引量：103H指数：6
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种实验室二氧化氮气体检测系统
- 本发明公开了一种实验室二氧化氮气体检测系统,所述系统为基于STM32与多孔硅气敏材料的主从分立式嵌入式气体探测系统，由主机和从机两个部分组成，其中主机由最小系统模块、人机交互模块、蓝牙通信模块、温湿度检测模块组成；从机主...
- 梁继然张文旭张颖许延雷
- 文献传递
- 在半导体-金属相变温度附近氧化钒薄膜光学性质的异常变动被引量：1
- 2014年
- 在可见光—近红外波段的不同波长下,测量了半导体-金属相变过程中氧化钒薄膜样品的反射率和透射率.在薄膜相变过程中,不同波段的反射率曲线和透射率曲线表现出不同的变化趋势.利用非相干光在薄膜中的多级反射-透射模型,计算了相变过程中不同波长下氧化钒薄膜的折射率n和消光系数k随温度的变化.结果表明,在相变温度附近氧化钒薄膜光学性质的异常变动,其原因既有薄膜的折射率和消光系数随波长的变化趋势不同,也有在吸收性薄膜中存在探测光多次反射和透射的累加效应.
- 杨伟梁继然刘剑姬扬
- 关键词：氧化钒薄膜
- 一种轻量化的车辆检测方法、设备与介质
- 本发明公开了一种轻量化的车辆检测算法，涉及图像处理技术领域，用于解决车辆检测算法计算量庞大而难以在嵌入式设备上部署的问题，包括以下步骤：采用Kmeans++算法对数据集进行聚类分析得到合适尺寸的锚框，将待检测图像输入车辆...
- 梁继然陈壮董国军陈琦
- 一种二氧化钒与石墨烯复合薄膜结构及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种二氧化钒与石墨烯复合薄膜结构及其制备方法和应用，通过在蓝宝石基底上旋涂还原氧化石墨烯，再采用磁控溅射的方式溅射钒薄膜，然后在快速退火炉中进行快速氧化退火，最后进行酸腐蚀，形成石墨烯‑VO<Sub>2</S...
- 梁继然张珂樊雅婕王双丽
- 文献传递
- 氧化钒薄膜的制备及其在光激励下对太赫兹波的调制被引量：2
- 2014年
- 采用磁控溅射法在蓝宝石基底上制备金属钒薄膜,然后在O2中快速热处理获得具有相变特性的VOx薄膜。实验对比了不同的热处理温度和热处理时间对薄膜性能的影响,薄膜的结晶状况用X射线衍射(XRD)进行分析;利用THz时域频谱系统,观测薄膜在不同激励光功率下的相变特性及其对THz波的调制作用。结果表明,在570℃条件下快速热处理60s所制得的VOx薄膜性能最佳,薄膜对THz波透过性最好,光激励后对THz波的调制作用最大,调制幅度达到83.9%,且引发相变的功率阈值低。
- 夏晓旭胡明朱乃伟梁继然韦晓莹
- 关键词：VOX光激励
- 一种通过快速热处理调控二氧化钒相变温度的方法
- 本发明公开了一种通过快速热处理调控二氧化钒相变温度的方法，包括蓝宝石基底的清洗、超高真空对靶磁控溅射设备的真空室进行溅射，在表面沉积钒薄膜、将制得的钒薄膜放于快速退火炉中进行快速氧化热退火的步骤。本发明采用磁控溅射的方式...
- 梁继然李景朋侯露辉刘星
- 文献传递
- 快速热处理温度对纳米结构二氧化钒薄膜相变特性的影响
- 2017年
- 采用射频磁控溅射方法在单晶硅基底表面制备了单一相纳米结构二氧化钒(VO_2)薄膜,相变幅度超过2个量级;利用快速热处理设备对VO_2薄膜进行热处理,研究氮气氛下快速热处理温度对VO_2相变特性的影响。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、高精度透射电子显微镜和四探针测试仪对热处理前后薄膜的结晶结构、表面形貌和电学相变特性分别进行了测试。实验结果表明,快速热处理状态下,温度为300℃时,VO_2薄膜的电阻相变幅度由200倍增加到277倍,但是当温度超过350℃后,相变性能迅速变差,相变幅度由2个量级下降为小于1个量级,当温度超过500℃时,相变特性消失;热处理温度升高的过程中,单斜VO_2(011)结晶结构逐渐消失,薄膜的成分转变为V4O7;快速热处理过程中薄膜内的颗粒尺寸保持不变。研究结果将有助于增强对VO_2薄膜在温度差异大、变化速度快环境中的特性进行分析与应用。
- 梁继然李景朋侯露辉李娜刘星胡明
- 关键词：二氧化钒
- 对向靶磁控溅射纳米氧化钒薄膜的热氧化处理被引量：1
- 2009年
- 采用直流对向靶磁控溅射方法制备低价态纳米氧化钒薄膜，研究热氧化处理温度和时间对氧化钒薄膜的组分、结构和电阻温度特性的影响采用X射线光电子能谱（XPS）、X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）对氧化钒薄膜的组分、结晶结构和微观形貌进行分析，利用热敏感系统对薄膜的电阻温度特性进行测量．结果表明，经300～360℃热处理后，氧化钒薄膜的组分逐渐由V2O3和VO向VO2转变，薄膜由非晶态变为单斜金红石结构，具有金属半导体相变性能；增加热处理温度后，颗粒尺寸由20nm增大为100nm，薄膜表面变得致密，阻碍氧与低价态氧化钒的进一步反应，薄膜内VO2组分舍量的改变量不大；增加热处理时间后，薄膜内VO2组分的含量明显增加，相变幅度超过2个数量级.
- 梁继然胡明陈涛刘志刚
- 在金属基底上制备具有相变特性纳米二氧化钒薄膜的方法
- 本发明公开了一种在金属基底表面制备具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的方法，步骤为：(1)对硅基片表面清洗，(2)采用等离子体增强化学气相沉积方法在硅基片上生长二氧化硅薄膜，(3)采用磁控溅射方法，在二氧化硅/硅基片上沉积金属...
- 梁继然胡明后顺保
- 文献传递
- 金属氧化法制备氧化钒薄膜的方法
- 本发明公开了一种金属氧化法制备氧化钒薄膜的方法，步骤为：(1)制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>层硅片；(2)制备纯金属钒薄膜：真空度为(5～6)×10<Sup>-4</Sup>Pa，溅射工作气压...
- 胡明陈涛梁继然逯家宁杨海波
- 文献传递
