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文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇单点
  • 2篇调平
  • 2篇掩模
  • 2篇衍射
  • 2篇条纹
  • 2篇纳米光刻
  • 2篇空间频率
  • 2篇光刻
  • 2篇硅片
  • 1篇入射
  • 1篇双光束
  • 1篇双光束干涉
  • 1篇图像
  • 1篇图像探测器
  • 1篇平面波
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米制造技术
  • 1篇激光
  • 1篇激光管
  • 1篇光束

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇唐小萍
  • 4篇周绍林
  • 4篇陈明勇
  • 4篇杨勇
  • 4篇陈旺富
  • 4篇赵立新
  • 4篇胡松
  • 3篇徐峰
  • 1篇徐锋

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一种基于相位分布的单点掩模硅片调平方法
一种基于相位分布的单点掩模硅片调平方法,其特征在于:平面波入射到位于掩模上的第一组标记光栅与第二组标记光栅,衍射级次经硅片反射后再次透过标记光栅,在掩模面形成恒定的干涉场;当硅片在横、纵截面两个方向存在倾斜时,将导致干涉...
周绍林胡松唐小萍赵立新徐峰陈旺富杨勇陈明勇
一种接近式纳米光刻中的间隙测量方法
一种接近式纳米光刻中的间隙测量方法,主要针对纳米压印、波带片阵列成像等纳米制造技术中的掩模硅片间隙控制。其基本过程可由图1简单说明:入射平面波透过两个周期接近、以一定间隙重叠的硅片光栅与掩模光栅并发生多次衍射,来自于两个...
周绍林胡松唐小萍赵立新杨勇徐锋陈旺富陈明勇
文献传递
纳米光刻掩模硅片间隙测量及调平装置
纳米光刻掩模硅片间隙测量及调平装置由光源激光管发出的单色平面波经第一反射镜反射后,垂直入射位于掩模标记区域内的第一标记光栅和第二标记光栅,从第一标记光栅透射的衍射光B<Sub>1</Sub>经硅片表面反射与另一束直接从第...
周绍林胡松唐小萍赵立新杨勇陈旺富徐峰陈明勇
文献传递
一种基于相位分布的单点掩模硅片调平方法
一种基于相位分布的单点掩模硅片调平方法,其特征在于:平面波入射到位于掩模上的第一组标记光栅与第二组标记光栅,衍射级次经硅片反射后再次透过标记光栅,在掩模面形成恒定的干涉场;当硅片在横、纵截面两个方向存在倾斜时,将导致干涉...
周绍林胡松唐小萍赵立新徐峰陈旺富杨勇陈明勇
文献传递
共1页<1>
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