苏秀娣
- 作品数：12 被引量：11H指数：2
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术航空宇航科学技术更多>>
- 超大规模集成电路的单粒子效应试验
- 空间环境下应用的微电子器件,都会产生单粒子效应.随着集成度的提高,它已成为发展长寿命、高可靠卫星和航天器的重大障碍.本文介绍超大规模集成电路L80C86CPU的锎源单粒子效应实验情况,以期找到解决加固的方向.
- 苏秀娣杨筱莉
- 关键词：超大规模集成电路单粒子效应微电子器件
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- L82C51串行通讯接口研制
- 1993年
- 本文介绍了L82C51芯片电路的基本功能,关键制造工艺,测试方法。分析了该芯片版图设计特点及V_T控制方法。
- 喻德顺苏秀娣朱恒静
- 关键词：芯片串行通讯接口设备
- 54HCT244高速CMOS电路交流特性辐照退化研究
- 2003年
- 本文研究了国产高速CMOS电路54HCT244八缓冲器/线驱动器在60Co辐照下,交流特性退化与总剂量、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系。研究表明,在低剂量率辐照下,延迟时间TPHL退化比高剂量率辐照下严重,且对加固电路,这一交流特性退化的剂量率效应更为明显。辐照偏置对延迟时间退化具有强烈的影响,4.5V和0V二种偏置状态将分别导致电路的TPLH和TPHL产生较早而明显地退化。
- 艾尔肯严荣良余学锋郭旗陆妩任迪远苏秀娣
- 关键词：卫星电子系统
- L82C52串行控制器研制
- 1996年
- 本文简明介绍了L82C52串行控制器的主要功能、制造工艺和测试，并对其基本电路及版图设计特点进行了较详细地分析。
- 喻德顺王忆文姜庆祥苏秀娣
- 关键词：单片集成电路控制器
- LN8254—可编程计数(间隔)定时器逻辑分析
- 1991年
- LN8254是为解决软件中常遇到的计时问题而设计的。文章重点介绍了计数器的逻辑分析,较详细的说明电路读/写原理,简单地介绍了电路的功能和用途。该电路编程简单,使用方便,是一种较理想的计数定时器件。
- 张东庄陈宜荣吉国凡赵军宁书林苏秀娣
- 关键词：定时器计数器逻辑分析
- 64×64元IRFPA CMOS读出电路的研制
- 2001年
- 64× 64元 IRFPA CMOS读出电路是为红外探测器配套使用的数据处理芯片 ,用于对红外探测器产生的信号进行积分采样并且串行输出。为提高灵敏度及改善信号质量 ,取样电路的源跟随器的两个 NMOSFET采用了零开启电压 ;并且采用了双采样结构 ,用来减小噪声的影响。芯片的数字模块与模拟模块间用电源和电线进行了良好的隔离 ,减小了相互间的影响。电路工作电压1 0 V,芯片面积 5 .6× 7.9mm2 。本文简述了电路功能 ,重点介绍了该电路的制造工艺 ,分析了工艺中的重点 ,即电路采用 P型 ( 1 0 0 )单晶硅衬底、N阱 CMOS双层多晶硅双阈值工艺。双层多晶硅用来制作芯片内的电容。第一层多晶硅仅用作电容下极板 ,第二层多晶硅作电容的上极板、栅和部分连线 ,为了保证电容值及击穿电压 。
- 袁凯杨筱莉苏秀娣董岩詹立升
- 关键词：数模混合集成电路红外探测器
- IC抗辐射加固的方法被引量：4
- 1998年
- 本文主要介绍电离辐射引起的CMOS集成电路的失效机理，并结合我所研制的L54HCT型抗辐射加固电路，提出了抗辐射加固技术的方法。
- 陈桂梅许仲德苏秀娣
- 关键词：抗辐射加固集成电路CMOS电路
- 单粒子翻转二维成像技术被引量：5
- 2012年
- 为了给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种高效、可靠手段,基于北京HI-13串列加速器,从重离子微束辐照技术和存储器单粒子效应检测技术这2方面,对微电子器件SEU二维成像测试技术进行了研究,建立了基于虚拟技术的测试系统。利用该成像技术,对国产2 kbit静态随机存储器(SRAM)的SEU敏感区域进行了实验研究,结果与理论结果及以往手动测试实验结果一致。
- 史淑廷郭刚王鼎刘建成惠宁沈东军高丽娟苏秀娣陆虹
- CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性
- 1999年
- 以金刚石膜作为绝缘埋层， 利用金刚石膜上的薄层硅（ Ｓ Ｏ Ｄ）技术， 制作 ５４ Ｈ Ｃ Ｔ０３ Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ／ Ｓ Ｏ Ｄ 结构的集成电路． 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究． 结果表明， Ｓ Ｏ Ｄ 电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路； 常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的 Ｓ Ｏ Ｄ
- 王怀荣姚达苏秀娣许仲德陆剑侠顾长志金曾孙
- 关键词：集成电路抗辐射
- CMOS/SOD电路的高温工作特性
- 1997年
- 采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电路．对该电路高温下的工作特性进行了研究．结果表明SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能，其工作温度明显高于体硅电路。
- 顾长志金曾孙孟强邹广田陆剑侠苏秀娣许仲德姚达王怀荣
- 关键词：金刚石膜IC
