袁凯
- 作品数：11 被引量：3H指数：1
- 供职机构：东北微电子研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 双层金属化工艺中绝缘介质的SEM研究
- 2003年
- 本文介绍了扫描电子显微镜 ( SEM)的器件剖面分析技术 ,并对双层金属化工艺中的技术难点进行了分析和研究。
- 王嵩宇路海林袁凯郭长厚
- 关键词：绝缘介质SEM集成电路扫描电子显微镜
- Bi-CMOS工艺的高精度单向模拟开关研究
- 2002年
- 分析了一种以 Bi- CMOS工艺实现的高精度单向隔离模拟开关 ,这种开关用在高速A/D转换器中使电路结构大为简化。通过对开关特性的理论分析、电路模拟及工艺验证 ,证明了这种模拟开关所具有的高速可控性和传输信号的精度均优于双极工艺所实现的单向隔离模拟开关。
- 袁凯李志辉高松陈东石王东梅田松
- 关键词：A/D转换器
- 64×64元IRFPA CMOS读出电路的研制
- 2001年
- 64× 64元 IRFPA CMOS读出电路是为红外探测器配套使用的数据处理芯片 ,用于对红外探测器产生的信号进行积分采样并且串行输出。为提高灵敏度及改善信号质量 ,取样电路的源跟随器的两个 NMOSFET采用了零开启电压 ;并且采用了双采样结构 ,用来减小噪声的影响。芯片的数字模块与模拟模块间用电源和电线进行了良好的隔离 ,减小了相互间的影响。电路工作电压1 0 V,芯片面积 5 .6× 7.9mm2 。本文简述了电路功能 ,重点介绍了该电路的制造工艺 ,分析了工艺中的重点 ,即电路采用 P型 ( 1 0 0 )单晶硅衬底、N阱 CMOS双层多晶硅双阈值工艺。双层多晶硅用来制作芯片内的电容。第一层多晶硅仅用作电容下极板 ,第二层多晶硅作电容的上极板、栅和部分连线 ,为了保证电容值及击穿电压 。
- 袁凯杨筱莉苏秀娣董岩詹立升
- 关键词：数模混合集成电路红外探测器
- CPU-80C86电路对EMP的敏感性研究
- 介绍了首次对CPU类超大规模集成电路(VLSI)所进行的EMP效应的敏感性模拟试验,并简单描述了电磁脉冲方波注入对80C86CPU电路产生的干扰情况.
- 许仲德高松姚达蔡振陈桂梅袁凯张丽
- 关键词：CPU电磁脉冲超大规模集成电路
- 文献传递
- IC SEM剖面分析技术研究
- 随着半导体工业的迅速发展,集成电路的生产已由大规模进入超大规模阶段,半导体工艺也发展到亚微米的水平.常规光学显微镜的放大倍数上限约为1200倍左右,在这样的放大倍数下,景深已非常小,于是扫描电子显微镜便得到日益广泛的应用...
- 王嵩宇王丽华袁凯张国俊林厚军
- 关键词：扫描电子显微镜集成电路
- 文献传递
- L82C37A可编程DMA控制器的研制
- 2000年
- 叙述了 L82 C3 7A可编程 DMA控制器的主要功能、制造工艺和测试 ,并对其基本电路及设计方法进行了简要介绍。
- 陆虹孙明峰袁凯
- 关键词：微机
- 一种无传感直流电机控制集成电路研究
- 2005年
- 本文介绍了一种性能优良的无刷直流电机控制电路,它具有可靠性高,速度快。
- 张仲书姜立娟蔡震袁凯
- 关键词：直流电机
- PROM器件中Ni-Cr熔丝的设计
- 2006年
- 介绍了应用在PROM器件中的Ni-Cr熔丝电阻的设计.熔丝是决定PROM器件稳定性的关键元件.Ni-Cr薄膜材料有良好的半导体加工特性和温度稳定性.通过热学分析和测试实验,得到相关数据,设计出熔丝形状以及三维尺寸.再根据此集成电路器件的整体版图布局设计出可应用到PROM中的Ni-Cr熔丝.采用磁控溅射方法,通过控制工艺条件得到所需的薄膜厚度,经光刻形成所需图形.通过产品的读取测试实验,取得了良好的效果.
- 孙承松张丽娟陈桂梅袁凯
- 关键词：熔丝可编程只读存储器集成电路
- LN7210型智能GPIB接口控制器的研制被引量：1
- 2001年
- 简介了 LN72 1 0智能 GPIB接口控制器的主要功能、制造工艺以及测试技术。
- 吉国凡陆虹袁凯
- 关键词：微机
- 扫描电子显微镜在半导体工艺中的应用技术研究被引量：1
- 2004年
- 针对半导体工艺的需要 ,本文提供了利用扫描电子显微镜进行分析的机理及采用的关键技术手段。
- 王嵩宇徐宁袁凯苏秀娣许仲德李宏林厚军
- 关键词：扫描电子显微镜解理
