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王怀荣

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：东北微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇金刚石膜
  • 1篇抗辐射
  • 1篇集成电路
  • 1篇辐照
  • 1篇IC

机构

  • 2篇吉林大学
  • 2篇东北微电子研...

作者

  • 2篇苏秀娣
  • 2篇陆剑侠
  • 2篇姚达
  • 2篇许仲德
  • 2篇金曾孙
  • 2篇顾长志
  • 2篇王怀荣
  • 1篇邹广田
  • 1篇孟强

传媒

  • 1篇吉林大学自然...
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1997
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性
1999年
以金刚石膜作为绝缘埋层， 利用金刚石膜上的薄层硅（ Ｓ Ｏ Ｄ）技术， 制作 ５４ Ｈ Ｃ Ｔ０３ Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ／ Ｓ Ｏ Ｄ 结构的集成电路． 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究． 结果表明， Ｓ Ｏ Ｄ 电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路； 常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的 Ｓ Ｏ Ｄ
王怀荣姚达苏秀娣许仲德陆剑侠顾长志金曾孙
关键词：集成电路抗辐射
CMOS/SOD电路的高温工作特性
1997年
采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电路．对该电路高温下的工作特性进行了研究．结果表明SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能，其工作温度明显高于体硅电路。
顾长志金曾孙孟强邹广田陆剑侠苏秀娣许仲德姚达王怀荣
关键词：金刚石膜IC
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