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章健
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供职机构:
中国电子科技集团公司
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合作作者
刘海港
中国电子科技集团公司
乔在祥
中国电子科技集团公司
马荣凯
中国电子科技集团公司
肖志斌
中国电子科技集团公司
陈文浚
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年份
1篇
2003
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与Ge衬底完全晶格匹配的GaInP2/Ga(In)As/Ge多结太阳电池
本文在GaInP2/GaAs双结电池研究的基础上,开展了Ge衬底上多结太阳电池的研究.实验在E400型MOCVD系统上进行,以n型Ge衬底上的P<'+>/n双结电池做为工作的起点.
陈文浚
肖志斌
乔在祥
孙强
许军
章健
刘海港
马荣凯
关键词:
多结太阳电池
MOCVD
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