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作者

  • 15篇陈文浚
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  • 2篇孙强
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  • 1篇王爱坤
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  • 1篇吕有朋
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传媒

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  • 1篇中国第三届光...

年份

  • 2篇2007
  • 4篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇2000
  • 1篇1996
  • 1篇1994
  • 1篇1992
  • 1篇1991
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
III-V族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破被引量:7
2007年
从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起,光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下,在空间飞行器能源系统需求的牵引下,这一技术领域内不断取得重要技术突破。晶体硅太阳电池、非晶硅薄膜太阳电池、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体多晶薄膜太阳电池等,越来越多的太阳电池技术日趋成熟。光电转换效率的不断提高及制造成本的持续降低,使今天的光伏技术在空间和地面都得到了越来越广泛的应用。
陈文浚
关键词:晶体硅太阳电池光伏技术硅薄膜太阳电池空间飞行器级连
热光伏技术的研究进展被引量:26
2005年
热光伏是通过光伏电池将热辐射能量转换成电能的技术。热光伏的优点是可以使用很广泛的热源以及具有很高的潜在输出密度,热光伏应用的潜在市场是很大的。主要介绍了热光伏辐射器、热光伏电池、光学滤波器、热回收器和系统应用的近期发展状态。
乔在祥陈文浚杜邵梅
关键词:同位素
第23届IEEE PVSC简介
1994年
根据1993年国际学术交流计划,笔者于5月中旬赴美参加了第23届IEEE光伏专家会议(Photovoltaic Specialists Confer-ence,简称PVSC).现将情况介绍如下:1 关于PVSC美国IEEE PVSC是国际三大光伏专业学术会议(另外两个是欧共体光伏太阳能会议和亚太地区的PVSEC)中规模最大的一个,每一年半一届.本次会议是第23届,与会代表约六百人,送交大会的论文比上届增加40%,由于会期所限,有60%的论文被拒收,最后共录用论文287篇.会议期间有二十多家美国和少量欧洲厂家举办了展览会.
陈文浚
关键词:单晶硅太阳能电池
东四用GaAs/Ge单体电池
杜福生徐寿岩陈文浚孙强汤雁肖志斌刘春明戴忠涛孙彦铮许军曹全君郭印池郭爱萍李春燕王保民乔在祥刘海港孙鹏刘汉英章健李昌进马荣凯阎以蔚杨智敏陈新孙征曾慧珠
该项目以锗单晶代替砷化镓单晶作为外延用的衬底,采用先进的金属有机化学气相外延(MOVPE)技术生长砷化镓单晶薄膜,并采用其他相应的半导体工艺技术制备欧姆接触和光学减反射膜,制成锗衬底砷化镓太阳电池,即GaAs/Ge太阳电...
关键词:
关键词:太阳电池
转换效率为21.6%的硅太阳电池
肖志斌陈文浚陈之南孙昀黎文明
基于AlInGaAsP材料的应变平衡量子阱太阳能电池被引量:4
2005年
近年来,基于晶格匹配的多结太阳能电池光电转换效率已经接近30%[1,2],中国电子科技集团公司第十八研究所三结GaInP/GaAs/Ge电池技术已经达到小批量生产水平。为了进一步提高多结太阳电池的转换效率,可以采用增加pn结的数量和优化三结电池子电池带宽组合等办法,但上述途径受到材料晶格匹配的限制,目前同时实现晶格匹配和最佳带宽的材料生长还存在一些问题。为此,我们采用与多结电池技术兼容的设备和材料,开展了基于A lInGaAsP材料的应变平衡量子阱太阳能电池的研究。本文给出GaAs单结量子阱电池的实验过程及结果,证实了量子阱结构的引入确实能够提高电池的输出电流。随着研究的深入,我们希望用此结构作为中间电池,以提高三结电池的效率。
孙强许军陈文浚娄朝刚
关键词:太阳能电池MOCVD
用于四结电池的InGaAsN材料研究
2005年
随着InGaP2/InGaAs/Ge三结太阳电池技术日趋成熟,具有更高理论效率的基于GaAs体系的四结电池新材料A lInGaP/InGaAs/?(新材料)/Ge已经受到人们的关注,经过计算,要求新材料的禁带宽度应该为0.95 eV^1.05 eV。InxGa1-xAs1-yNy材料的禁带宽度可以调整为0.95 eV^1.05 eV,是有望实现突破的材料。我们通过选取合适的生长方案,在D180MOCVD系统上外延生长了InxGa1-xAs1-yNy材料,并通过高分辨X光双晶衍射仪、分光光度计以及电化学电容-电压(EC-V)测试仪等对材料性能进行了分析。获得了室温下禁带宽度为1.17 eV的InxGa1-xAs1-yNy材料。
乔在祥赵新杰陈文浚
关键词:MOCVD
与Ge衬底完全晶格匹配的GaInP2/Ga(In)As/Ge多结太阳电池
本文在GaInP2/GaAs双结电池研究的基础上,开展了Ge衬底上多结太阳电池的研究.实验在E400型MOCVD系统上进行,以n型Ge衬底上的P<'+>/n双结电池做为工作的起点.
陈文浚肖志斌乔在祥孙强许军章健刘海港马荣凯
关键词:多结太阳电池MOCVD
文献传递
太阳电池规模生产条件下GaAs/Ge界面特性研究
孙强陈文浚许军刘海港马荣凯乔在祥章健
ZnSe/GaAs/Ge高效太阳能电池的研制
李国昌李果华白志明王爱坤陈文浚吕有朋魏江南杨韧咸立芬李世强
该项研究首次提出了可用ZnSe/GaAS/Ge三种功能匹配材料的来制作高效太阳电池,并对极联多结太阳能转换功能材料的ZnSe p-n结的光谱响应曲线,制作了极联多结太阳电池的阶段性样品,为实用化提供了技术储备,并对进一步...
关键词:
关键词:太阳能电池功能材料
共2页<12>
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