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文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇电池
  • 4篇太阳电池
  • 2篇GA
  • 1篇多结太阳电池
  • 1篇周期
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇晶格匹配
  • 1篇光电转换
  • 1篇光电转换效率
  • 1篇光谱响应
  • 1篇GAAS/G...
  • 1篇MOCVD
  • 1篇AS

机构

  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 4篇马荣凯
  • 3篇孙强
  • 3篇陈文浚
  • 3篇乔在祥
  • 2篇章健
  • 2篇许军
  • 2篇王保民
  • 2篇刘海港
  • 1篇戴晓红
  • 1篇曹全君
  • 1篇刘汉英
  • 1篇章健
  • 1篇吴蔡臣
  • 1篇孙征
  • 1篇孙强
  • 1篇刘春明
  • 1篇曾慧珠
  • 1篇王敏
  • 1篇郭印池
  • 1篇杜福生

传媒

  • 1篇第十一届中国...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2003
  • 2篇2002
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
东四用GaAs/Ge单体电池
杜福生徐寿岩陈文浚孙强汤雁肖志斌刘春明戴忠涛孙彦铮许军曹全君郭印池郭爱萍李春燕王保民乔在祥刘海港孙鹏刘汉英章健李昌进马荣凯阎以蔚杨智敏陈新孙征曾慧珠
该项目以锗单晶代替砷化镓单晶作为外延用的衬底,采用先进的金属有机化学气相外延(MOVPE)技术生长砷化镓单晶薄膜,并采用其他相应的半导体工艺技术制备欧姆接触和光学减反射膜,制成锗衬底砷化镓太阳电池,即GaAs/Ge太阳电...
关键词:
关键词:太阳电池
与Ge衬底完全晶格匹配的GaInP2/Ga(In)As/Ge多结太阳电池
本文在GaInP2/GaAs双结电池研究的基础上,开展了Ge衬底上多结太阳电池的研究.实验在E400型MOCVD系统上进行,以n型Ge衬底上的P<'+>/n双结电池做为工作的起点.
陈文浚肖志斌乔在祥孙强许军章健刘海港马荣凯
关键词:多结太阳电池MOCVD
文献传递
太阳电池规模生产条件下GaAs/Ge界面特性研究
孙强陈文浚许军刘海港马荣凯乔在祥章健
超过30%光电转换效率应变平衡量子阱结构GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池
采用MOCVD技术制备的具有周期应变平衡量子阱结构的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池在标准AMO条件下光电转换效率超过30%。量子阱结构很好的改善了中间电池的光谱响应,解决了顶电池与中间电池的电流匹配问题,从而...
高伟张宝王保民孙强马荣凯刘杨
关键词:量子阱结构太阳电池光谱响应光电转换效率
文献传递
共1页<1>
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