汪孝杰
- 作品数：23 被引量：40H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 1.5μm InGaAsP/InP P型衬底隐埋新月型(PBC)结构激光器被引量：2
- 1989年
- 本文简要报道了P型衬底1.5μm隐埋新月型激光器的制备和特性,激光器在室温下连续工作的典型阈值电流为20mA低的为15mA,发射波长为1.53μm,最高连续工作温度105℃.
- 彭怀德马朝华汪孝杰张盛廉吕卉王丽明武淑珍马骁宇张洪琴
- 关键词：激光器PBC
- 离子注入实现的ＭＱＷ混合蓝移效应
- 〈’＋〉离子注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变多量子阱激光器结构，再经Ｈ〈，２〉／Ｎ〈，２〉混合气氛下的快速退火，体内ＭＷＱ层中发生组份混合，导致激光器件的激射波长蓝移７７．９ｍｍ，而未作注入的纯退火区器件蓝移只有５．...
- 朱洪亮汪孝杰王圩韩德俊
- 关键词：多量子阱激光器
- 光学薄膜技术改善分布反馈(DFB)激光器的光谱特性被引量：1
- 1999年
- 报导了利用镀光学薄膜的方法来改变镀层厚度，可以有效地将原来处于双模工作的１．３μｍ ＤＦＢ激光器变为单模工作。模式改变起主导作用的是加镀膜层影响到激光器端面反射特性中的相移。实验表明，镀膜技术可望成为改善ＤＦＢ激光器单模工作的一种辅助方法。实验结果有助于理解相移对激射特性的作用。
- 毕可奎朱洪亮汪孝杰
- 关键词：光学薄膜DFB激光器单模光谱特性激光器
- 浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应被引量：1
- 1999年
- 利用３００ｋｅＶ的Ｐ＋离子对ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变层多量子阱（ＭＱＷ）激光器外延结构实施浅注入，经Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火，结构的光致发光（ＰＬ）峰值波长蓝移了７６ｎｍ，所作宽接触激光器的激射波长蓝移了７７．９ｎｍ．发现具有应变结构的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ。
- 朱洪亮韩德俊胡雄伟汪孝杰汪孝杰
- 关键词：激光器
- 低阈值1.3μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP┐MOCVD生长
- 1998年
- 本文报道了用低压－金属有机化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法制作１．３μｍ应变补偿多量子阱结构材料．Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±４级卫星峰和卫星峰间的Ｐｅｎｄｅｌ－ｌｏｓｏｎｇ条纹．整个有源区的平均应变量几乎为零．用掩埋异质结（ＢＨ）条形工艺制备的含一级光栅的ＤＦＢ激光器室温下阈值电流２～４ｍＡ，外量子效率０．３３ｍＷ／ｍＡ，线性输出光功率达３０ｍＷ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ．２０～４０℃下的特征温度Ｔ０为６７Ｋ．
- 陈博王圩汪孝杰张静媛朱洪亮周帆王玉田马朝华张子莹刘国利
- 关键词：DFB激光器LP-MOCVD
- 单脊条形可调谐电吸收调制DFB激光器被引量：8
- 2001年
- 报道了一种波长可热调谐的电吸收调制分布反馈激光器(Electroabsorptionmodulateddistributedfeedbacklaser,EML)。在激光器条形的侧面淀积一薄膜加热器,EML实现了 2 2nm的连续调谐。在调谐范围内,激光器输出功率的变化小于 3dB。采用端面有效反射率方法和耦合波理论的计算表明:采用相调制方法,可实现调谐范围达3 2nm的EML。如果热调谐与相调谐方法结合。
- 刘国利王圩张静媛陈娓兮汪孝杰朱洪亮
- 关键词：DFB激光器电吸收调制器
- 1.3微米低阈值DC—PBH激光器
- 报导了低阈值DC—PBH激光器的研制结果，条宽作到1．5微米左右，最低阈值为12．6亮安，线性输出功率10～15毫瓦，单横模，并测量了平行于p-n结方向的发光相位均匀性，得到在一定功率输出水平下相位均匀的光束。（本刊录）
- 彭怀德汪孝杰王莉
- 关键词：半导体激光器性能分析
- 1.55μm InGaAsP-MQW自对准压缩台面高速DFB激光器被引量：2
- 2002年
- 采用一种自对准压缩台面结构制作高速 1.5 5 μmDFB激光器。激光器的典型阈值为 12mA ,单面斜率效率达 0 .15 7mW /mA ,出光功率大于 2 0mW。由于采用窄条p InP作为电流阻挡层 ,因此激光器的寄生电容可降至 2 .5 pF ,- 3dB调制带宽可达 9.
- 张静媛刘国利朱洪亮周帆孙洋汪孝杰王圩
- 关键词：DFB激光器多量子阱局域网
- InGaAsP／InPPFBH激光器被引量：1
- 1996年
- 采用Ｎ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器和ＤＦＢ激光器在国内已报导过多次，本文介绍用Ｐ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平面埋层异质结构（ＰＦＢＨ）激光器和ＤＦＢ－ＰＦＢＨ激光器，同时利用晶体生长和晶向的依赖关系，改进埋区的结构，使器件最高激射温度大于１００℃。
- 张静媛王圩汪孝杰田慧良
- 关键词：激光器液相外延磷化铟INGAASP
- 光纤光栅作为外反馈的混合腔半导体激光器被引量：2
- 1998年
- 利用一个一端镀有增透膜的Ｆ－Ｐ腔半导体激光器芯片和一段反射率为５０％的光纤光栅组合成一混合腔激光器，腔长约为２ｃｍ。在５０ｍＡ的偏置电流下，主边模抑制比为３７．６ｄＢ，出纤功率为１ｍＷ。
- 周凯明葛璜安贵仁汪孝杰王圩
- 关键词：光纤光栅混合腔外腔半导体激光器
