张静媛
- 作品数：33 被引量：36H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 1.55μm InGaAsP-MQW自对准压缩台面高速DFB激光器被引量：2
- 2002年
- 采用一种自对准压缩台面结构制作高速 1.5 5 μmDFB激光器。激光器的典型阈值为 12mA ,单面斜率效率达 0 .15 7mW /mA ,出光功率大于 2 0mW。由于采用窄条p InP作为电流阻挡层 ,因此激光器的寄生电容可降至 2 .5 pF ,- 3dB调制带宽可达 9.
- 张静媛刘国利朱洪亮周帆孙洋汪孝杰王圩
- 关键词：DFB激光器多量子阱局域网
- InGaAsP／InPPFBH激光器被引量：1
- 1996年
- 采用Ｎ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器和ＤＦＢ激光器在国内已报导过多次，本文介绍用Ｐ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平面埋层异质结构（ＰＦＢＨ）激光器和ＤＦＢ－ＰＦＢＨ激光器，同时利用晶体生长和晶向的依赖关系，改进埋区的结构，使器件最高激射温度大于１００℃。
- 张静媛王圩汪孝杰田慧良
- 关键词：激光器液相外延磷化铟INGAASP
- 10Gbit/s高T<,0>无制冷分布反馈激光器
- 与折射率耦合分布分布反馈(DFB)激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定的单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性.本文介绍了作者课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行单...
- 赵玲娟朱洪亮张静媛周帆王宝军边静王鲁峰田慧良王圩
- 关键词：激光器单纵模激光器增益耦合
- 文献传递
- 高速、可调谐光通信用长波长半导体激光器
- 本文报道了几种作者最近制作的适用于光通信的高速,可调谐长波长半导体激光器,以满足长途、干线光通信对光源低调啾的要求.
- 王鲁峰刘国利张静媛朱洪亮王圩
- 关键词：半导体激光器光通信
- 文献传递
- 选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器被引量：3
- 2001年
- 报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为 2 6mA ,最大光功率可达 9mW ,消光比可达 16dB。减小端面的光反馈后 ,从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化 ,调制器部分的电容为 1 5pF ,初步筛选结果显示阈值、隔离电阻、消光比基本没有变化 ,可应用在 2 5Gb/s的长途干线光纤传输系统上。
- 刘国利王圩许国阳陈娓兮张佰君周帆张静媛汪孝杰朱洪亮
- 关键词：DFB激光器电吸收调制器脊型波导单片集成电路
- Bragg光栅在DFB激光器中的应用以及其占空比的控制
- 当前通信技术快速发展，传输向高速、大容量、长距离开发，因此对光电子器件提出越来越高的要求。该文介绍Bragg光栅在DFB激光器中的应用，光栅占空比对器件的影响及控制，研制出1.3μm MQW-DFB,1.5μm MQW-...
- 张静媛
- 关键词：BRAGG光栅DFB激光器
- 文献传递
- Ｐ－ＩｎＰ衬底ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ ＤＦＢ－ＢＨ激光器埋区的漏电流分析
- 张静媛王圩
- 关键词：衬底漏电流激光器
- 低阈值1.3μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP┐MOCVD生长
- 1998年
- 本文报道了用低压－金属有机化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法制作１．３μｍ应变补偿多量子阱结构材料．Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±４级卫星峰和卫星峰间的Ｐｅｎｄｅｌ－ｌｏｓｏｎｇ条纹．整个有源区的平均应变量几乎为零．用掩埋异质结（ＢＨ）条形工艺制备的含一级光栅的ＤＦＢ激光器室温下阈值电流２～４ｍＡ，外量子效率０．３３ｍＷ／ｍＡ，线性输出光功率达３０ｍＷ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ．２０～４０℃下的特征温度Ｔ０为６７Ｋ．
- 陈博王圩汪孝杰张静媛朱洪亮周帆王玉田马朝华张子莹刘国利
- 关键词：DFB激光器LP-MOCVD
- 啁啾光栅色散及时延特性研究被引量：12
- 1997年
- 基于耦合模理论，通过对耦合波方程进行相位共轭变换，将反向耦合波方程变换为Ｒｉｃ－ｃａｔｉ微分方程，利用数值解法对常耦合系数和高斯型耦合系数线性啁啾光栅的反射特性、色散特性和时延特性进行了详细分析，为设计具有理想效果的色散补偿器件提供了有效的理论方法。
- 赵玉成李唐军简水生祝亚琴张静媛韩勤王圩
- 关键词：啁啾光栅时延色散耦合模光栅
- 单脊条形可调谐电吸收调制DFB激光器被引量：8
- 2001年
- 报道了一种波长可热调谐的电吸收调制分布反馈激光器(Electroabsorptionmodulateddistributedfeedbacklaser,EML)。在激光器条形的侧面淀积一薄膜加热器,EML实现了 2 2nm的连续调谐。在调谐范围内,激光器输出功率的变化小于 3dB。采用端面有效反射率方法和耦合波理论的计算表明:采用相调制方法,可实现调谐范围达3 2nm的EML。如果热调谐与相调谐方法结合。
- 刘国利王圩张静媛陈娓兮汪孝杰朱洪亮
- 关键词：DFB激光器电吸收调制器
