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杨慧

作品数：14 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇碳化硅
  • 4篇欧姆接触
  • 3篇退火
  • 3篇晶体
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶生长
  • 2篇地倾斜
  • 2篇电极
  • 2篇电极结构
  • 2篇电学性能
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔性
  • 2篇真空机组
  • 2篇真空计
  • 2篇真空室
  • 2篇致密
  • 2篇碳化硅单晶
  • 2篇碳膜
  • 2篇退火过程
  • 2篇气保护

机构

  • 14篇中国科学院

作者

  • 14篇杨慧
  • 9篇彭同华
  • 9篇陈小龙
  • 5篇王皖燕
  • 5篇王文军
  • 5篇倪代秦
  • 4篇吕惠宾
  • 4篇赵嵩卿
  • 4篇曹玲柱
  • 4篇杨国桢
  • 4篇陆珩
  • 4篇孙志辉
  • 4篇宁廷银
  • 4篇金奎娟
  • 4篇周岳亮
  • 4篇张洪艳
  • 3篇朱丽娜
  • 1篇胡伯清

传媒

  • 1篇第14届全国...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 5篇2008
  • 3篇2006
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有外加磁场的真空淀积薄膜和薄膜热处理设备
本发明涉及具有外加磁场的真空淀积薄膜和薄膜热处理设备，包括样品室和在样品室一端设有进气口的球形进气室，另一端通过密封机构与真空机组的管道相通，样品室设真空计；密封机构的压丝和密封接头中间放置密封橡胶圈，压丝与密封接头螺合...
曹玲柱孙志辉宁廷银赵嵩卿张洪艳周岳亮陆珩杨慧金奎娟吕惠宾杨国桢
文献传递
一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托
本发明提供了一种用于物理气相传输法生长高质量碳化硅晶体的籽晶托，该籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底表面上的致密膜层。该致密膜层在高温下稳定而且致密，消除了石墨基底由于多孔性带来的缺陷。由于膜层的致密性，抑制了晶体背面蒸...
陈小龙彭同华杨慧王文军倪代秦王皖燕
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SiC体材料欧姆接触的制备
SiC 材料的宽禁带、高热导率、高饱和电子速度、高击穿电场等特性决定 SiC 器件可以在高温大功率下工作,在国民经济各方面具有广泛的应用1-3]。而 SiC 材料在高温,大功率和高频半导体器件领域应用的关键工艺之一是制备...
杨慧彭同华陈小龙
关键词：碳化硅材料
Ru/SiC接触特性研究
Ru是Pt族金属,已被成功用作n型或P型6H-SiC的整流电极。其功函数为5.4eV,具有熔点高(2400℃),化学稳定性好,在其它金属中的固溶度低的特点。采用直流磁控溅射法在n-SiC的Si面制备好金属电极后,将样品于...
杨慧彭同华王文军王皖燕陈小龙
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一种用于脉冲激光沉积系统中的调节基片角度的装置
本发明涉及脉冲激光沉积系统中用于调节基片角度的装置，该装置包括加热器与真空腔外的加热控制器电连接，通过中心轴将第一变向齿轮和加热固定架固定，第一变向齿轮与固定在轴杆上的第二变向齿轮互相咬合；磁力法兰内外腔耦合安装在真空腔...
曹玲柱孙志辉宁廷银赵嵩卿张洪艳陆珩杨慧周岳亮金奎娟吕惠宾杨国桢
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SiC材料欧姆接触特性的研究
碳化硅(SiC)是性能优异的宽禁带半导体材料之一，其在高温、高频、高功率和抗辐射器件等方面具有巨大的应用潜力。但是要达到SiC器件实用化的目的，仍存在若干工艺难点，其中关键工艺技术之一是获得良好的欧姆接触。本论文从探索用...
杨慧
关键词：欧姆接触退火工艺接触电阻率介电性能
一种用于碳化硅的欧姆电极结构及其制造方法
本发明提供了一种用于碳化硅的欧姆电极结构，包括在衬底碳化硅(1)上依次形成的第一层钽(Ta)膜(2)、第二层铂(Pt)膜(3)和第三层钽(Ta)膜(4)的欧姆电极，其中，第一层钽膜(2)的厚度为20－40nm，第二层铂膜...
陈小龙杨慧彭同华王文军王皖燕
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一种用于脉冲激光沉积系统中的调节基片角度的装置
本发明涉及脉冲激光沉积系统中用于调节基片角度的装置，该装置包括加热器与真空腔外的加热控制器电连接，通过中心轴将第一变向齿轮和加热固定架固定，第一变向齿轮与固定在轴杆上的第二变向齿轮互相咬合；磁力法兰内外腔耦合安装在真空腔...
曹玲柱孙志辉宁廷银赵嵩卿张洪艳陆珩杨慧周岳亮金奎娟吕惠宾杨国桢
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一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托
本发明提供了一种用于物理气相传输法生长高质量碳化硅晶体的籽晶托，该籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底表面上的致密膜层。该致密膜层在高温下稳定而且致密，消除了石墨基底由于多孔性带来的缺陷。由于膜层的致密性，抑制了晶体背面蒸...
陈小龙彭同华杨慧王文军倪代秦王皖燕
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一种碳化硅单晶生长后的热处理方法
本发明公开了一种碳化硅单晶生长后的热处理方法，该方法将覆碳膜的SiC单晶和粉料置于坩埚中，在加热炉中氩气保护下升至预定热处理温度，并保温一定时间，随炉冷却，即可通过热处理过程中的SiC晶体重结晶和固态扩散来消除部分微管和...
朱丽娜陈小龙倪代秦杨慧彭同华
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