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彭同华
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中国科学院物理研究所
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理学
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合作作者
陈小龙
中国科学院物理研究所
王文军
中国科学院物理研究所
杨慧
中国科学院物理研究所
王刚
中国科学院物理研究所
刘春俊
中国科学院物理研究所
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碳化硅晶体制备技术
陈小龙
吴星
胡伯清
李龙远
彭同华
王皖燕
倪代秦
鲍慧强
张贺
刘春俊
王波
王文军
许燕萍
朱丽娜
碳化硅(SiC)作为重要的第三代半导体材料,是制作高温、高频、大功率、高压以及抗辐射电子器件的理想材料,在军工、航天、固态照明和电力电子等领域具有重要的应用价值,因此成为全球半导体材料产业的前沿和制高点之一。物理气相传输...
关键词:
关键词:
半导体材料
SiC晶体中类似平面六方空洞缺陷研究
SiC作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料,其优异的性能可以满足现代电子技术对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射的要求而受到人们越来越多的关注。但SiC晶体生长过程中仍有很多缺陷有待研究,如微管,位错等[1]。在掺N的6...
王波
彭同华
刘春俊
赵宁
陈小龙
关键词:
SIC单晶
掺杂
文献传递
半绝缘碳化硅单晶
公开了一种半绝缘碳化硅单晶,包括本征点缺陷、深能级掺杂剂、本底浅施主和受主杂质;其中所述深能级掺杂剂和本征点缺陷的浓度之和大于浅施主和浅受主杂质浓度之间差值,且所述本征点缺陷的浓度小于深能级掺杂剂的浓度。该半绝缘碳化硅单...
陈小龙
刘春俊
彭同华
李龙远
王刚
刘宇
文献传递
一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托
本发明提供了一种用于物理气相传输法生长高质量碳化硅晶体的籽晶托,该籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底表面上的致密膜层。该致密膜层在高温下稳定而且致密,消除了石墨基底由于多孔性带来的缺陷。由于膜层的致密性,抑制了晶体背面蒸...
陈小龙
彭同华
杨慧
王文军
倪代秦
王皖燕
文献传递
半绝缘SiC晶体最新研究进展
碳化硅(SiC)是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的第三代宽禁带半导体。与Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比,SiC在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方面具有很大
彭同华
鲍慧强
刘春俊
王波
李龙远
张贺
张玮
郭钰
王锡铭
陈小龙
文献传递
一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺
一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺,利用氢原子可以在高温下与石墨颗粒反应生成气态的碳氢化合物或碳氢自由基,将石墨颗粒在原料中或从料面到晶体生长面的输运过程中消除,从而生长出无石墨包裹物导电碳化硅晶体;其过程为:将可...
王波
彭同华
刘春俊
赵宁
娄艳芳
王文军
王刚
陈小龙
文献传递
一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托
本发明提供了一种用于物理气相传输法生长高质量碳化硅晶体的籽晶托,该籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底表面上的致密膜层。该致密膜层在高温下稳定而且致密,消除了石墨基底由于多孔性带来的缺陷。由于膜层的致密性,抑制了晶体背面蒸...
陈小龙
彭同华
杨慧
王文军
倪代秦
王皖燕
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一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺
一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺,利用氢原子可以在高温下与石墨颗粒反应生成气态的碳氢化合物或碳氢自由基,将石墨颗粒在原料中或从料面到晶体生长面的输运过程中消除,从而生长出无石墨包裹物导电碳化硅晶体;其过程为:将可...
王波
彭同华
刘春俊
赵宁
娄艳芳
王文军
王刚
陈小龙
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一种高质量碳化硅晶体生长的方法
本发明公开了一种高质量碳化硅晶体生长的方法,其包括位于高温区的碳化硅原料,位于温度低于原料区的籽晶,以及覆盖于原料之上的一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层。相比于常规的气相传输法生长碳化硅晶体,本发明不同之处在于碳化硅...
刘春俊
彭同华
陈小龙
王波
赵宁
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高质量SiC晶体的产业化生产
鲍慧强
彭同华
王波
刘春俊
李龙远
张贺
张玮
王文军
王刚
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