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朱彦武

作品数:2 被引量:11H指数:1
供职机构:北京大学物理学院更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇纳米
  • 1篇碳管
  • 1篇取向性
  • 1篇准一维
  • 1篇线阵列
  • 1篇纳米带
  • 1篇纳米碳
  • 1篇纳米碳管
  • 1篇纳米线
  • 1篇纳米线阵列
  • 1篇光致
  • 1篇光致荧光
  • 1篇发光
  • 1篇发光特性
  • 1篇场发射
  • 1篇场致发射
  • 1篇催化
  • 1篇催化剂

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇朱彦武
  • 1篇冯孙齐
  • 1篇俞大鹏
  • 1篇张国义
  • 1篇张洪洲
  • 1篇徐军
  • 1篇陈耀锋
  • 1篇陈喜红

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2003
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
功能准一维纳米材料的制备和场发射性能研究
该文主要介绍了作者在功能准一维纳米材料的制备和场发射性能研究两方面所做的工作.具体内容如下:利用物理蒸发的方法,在水平管式炉中大量制备出了各种Ca<,2>O<,3>准一维纳米结构,包括:纳米线、纳米带、纳米片和微米-纳米...
朱彦武
关键词:准一维纳米带光致荧光纳米碳管场致发射
超细氧化硅纳米线阵列的制备和发光特性被引量:10
2004年
以液态金属Ga作为催化剂合成了大量的非晶SiO_2纳米线阵列。这些纳米线具有高度取向性,直径分布均匀,平均约8 nm,长度大于300μm。研究发现,载气的湿度对非晶SiO_2纳米线阵列的生长有重大影响,提出了一种可能的生长模型,以解释这一与传统的VLS机制不同的生长过程。对样品的光致荧光(PL)谱的测量表明,非晶SiO_2纳米线阵列在蓝光波段附近存在两个很强且稳定的发射峰,它们直接与样品中的缺陷和空位有关。首次发现了一个稳定的PL峰,存在于红外波段,作为光源,非晶SiO_2纳米线阵列可能会在纳米光电子器件中得到应用。由于SiO_2是传统的光纤材料,单根SiO_2纳米线也有希望应用于近场光学扫描显微镜(SNOM)之中。
朱彦武陈喜红陈耀锋徐军张洪洲冯孙齐俞大鹏张国义
关键词:纳米线阵列催化剂取向性
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